Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TSSOP8 |
Мікросхема FS8205A ( 8205A , GM8205A , CEG8205A ) , TSSOP-8
13,16 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FS8205A (8205A, GM8205A, CEG8205A) – два N-канальні MOSFET в одному корпусі TSSOP-8 для захисту Li-ion акумуляторів. Нова деталь.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TSSOP8 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fortune Semiconductor |
| Тип | Два N-канальні MOSFET в одному корпусі |
| Корпус | TSSOP8 |
| Напруга Vds | 20 В |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±12 В |
| Струм стоку Id | 6 А (TA = 25 °C, на платі 1 дюйм² міді); 5 А (TA = 70 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 25 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | макс. 28 мОм (тип. 23 мОм), Vgs = 4,5 В, Id = 4 А, Tj 25 °C |
| Rds(on) при Vgs 2,5 В | макс. 37 мОм (тип. 30 мОм), Id = 3 А, Tj 25 °C |
| Порогова напруга Vgs(th) | 0,45–1,2 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА) |
| Розсіювана потужність | 1 Вт (TA = 25 °C) |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 125 °C/Вт (макс.), на платі 1 дюйм² міді |
| Пряма напруга вбудованого діода | макс. 1,2 В (Is = 1,25 А, Vgs = 0, Tj 25 °C) |
FS8205A виробництва Fortune Semiconductor – збірка з двох N-канальних MOSFET в одному корпусі TSSOP-8. Її застосовують у схемах керування й захисту Li-ion акумуляторів. Напруга Vds – 20 В, напруга затвор–витік Vgs – ±12 В. Струм стоку Id – 6 А при TA = 25 °C (на платі з 1 дюйм² міді) і 5 А при TA = 70 °C; імпульсний струм стоку – 25 А. Опір відкритого каналу Rds(on) – макс. 28 мОм (тип. 23 мОм) при Vgs = 4,5 В, Id = 4 А, Tj 25 °C та макс. 37 мОм (тип. 30 мОм) при Vgs = 2,5 В, Id = 3 А. Порогова напруга Vgs(th) – 0,45–1,2 В при Vds = Vgs, Id = 250 мкА. Розсіювана потужність – 1 Вт при TA = 25 °C.
Нова деталь, не демонтаж. У назві також вказано 8205A, GM8205A і CEG8205A. Підбираючи заміну, порівняйте корпус TSSOP-8, розпіновку та Rds(on) при тій самій напрузі Vgs. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Керування акумуляторами Li-ion (захист батареї)
Це нова деталь чи демонтаж?
Нова деталь, не демонтаж.
Що таке FS8205A?
Це два N-канальні MOSFET в одному корпусі TSSOP-8, які використовують для захисту Li-ion акумуляторів.
Як підібрати заміну FS8205A?
Порівняйте корпус TSSOP-8, розпіновку, Vds 20 В, струм стоку та Rds(on) при тій самій напрузі Vgs за даташитом.
Який опір каналу у FS8205A?
Макс. 28 мОм (тип. 23 мОм) при Vgs = 4,5 В, Id = 4 А, Tj 25 °C.
Документація виробника: FS8205A (Fortune Semiconductor).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Мікросхема 24C02 ( AT24C02B , ST24C02WP ) , DIP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність пам'яті | 2 Кбіт (256 x 8) |
| Інтерфейс | I2C (two-wire) |
| Корпус | DIP8 |
| Розмір сторінки запису | 8 байт |
| Напруга живлення (версія -1.8) | 1,8–5,5 В |
| Напруга живлення (версія -2.7) | 2,7–5,5 В |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В і 5 В) |
| Час циклу запису | 5 мс, макс. |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | 100 років |
| Захист запису | вивід WP |
Мікросхема 24C04WP ( ST24C04WP , 24C04WBN6 , AT24C04N ), DIP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 4K (4096 біт) |
| Організація | 512 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема 24C08WP ( ST24C08WP , M24C08-WMN6TP ) оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 8K (8192 біт) |
| Організація | 1024 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.