Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-252 (D-PAK)

Транзистор STD12NM50N (550V,11A,0.38R) , D-PAK(Заміна для FDD8N50NZ )

94,00 ₴

Немає в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Немає в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

STD12NM50N – N-канальний MOSFET STMicroelectronics серії MDmesh II у корпусі D-PAK для імпульсних перетворювачів. Нова деталь.

ПараметрЗначення
КорпусTO-252 (D-PAK)

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, MDmesh II
Напруга Vds500 В (550 В при Tj max)
Струм стоку Id (TC 25 °C)11 А
Струм стоку Id (TC 100 °C)6,7 А
Опір Rds(on)0,29 Ом тип., 0,38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5,5 А; TC 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.) (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Потужність Pd100 Вт (TC 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
Час зворотного відновлення діода trr340 нс (ISD = 11 А, di/dt = 100 А/мкс, VDD = 100 В)
КорпусTO-252 (D-PAK)
Опис

STD12NM50N – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics (MDmesh II) у корпусі DPAK. Напруга Vds 500 В (550 В при Tj max), струм стоку Id 11 А при TC 25 °C і 6,7 А при TC 100 °C. Опір Rds(on) 0,29 Ом типово, 0,38 Ом максимум (VGS = 10 В, ID = 5,5 А; TC 25 °C). Порогова напруга Vgs(th) 2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.) при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Потужність Pd 100 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C, час зворотного відновлення діода trr 340 нс (ISD = 11 А, di/dt = 100 А/мкс, VDD = 100 В).

Нова деталь, не демонтаж. У назві товару вказано, що STD12NM50N може замінити FDD8N50NZ. Заміна одностороння: зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Підбираючи заміну за параметрами, дивіться на корпус, напругу, струм і опір відкритого каналу. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • Імпульсні перетворювачі
Часто питають
Чим замінити STD12NM50N?

У назві товару вказано, що STD12NM50N може замінити FDD8N50NZ. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Як перевірити транзистор STD12NM50N?

Мультиметром у режимі перевірки діодів: між стоком і витоком має бути внутрішній діод, а затвор не повинен проводити струм ні на витік, ні на стік.

Це нова деталь чи демонтаж?

Нова деталь, не демонтаж.

Який опір відкритого каналу у STD12NM50N?

0,29 Ом типово і 0,38 Ом максимум при VGS = 10 В, ID = 5,5 А, TC 25 °C.

Datasheet

Документація виробника: STD12NM50N (STMicroelectronics).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

STD12NM50N (STMicroelectronics) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (CoolMOS P7)
Напруга Vds600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max
Струм стоку Id48 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)30 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА)
Заряд затвора Qg67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В)
Вхідна ємність Ciss2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц)
Потужність Pd164 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN (режим збагачення)
Напруга Vds80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd345 Вт (TC 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Trench Gate
Напруга Vdss250 В
Струм Id25 (Tc 25 °C)50 А
Rds(on)60 мОм (макс.) при Vgs 10 В
Vgs(th)3.0–5.0 В при Id 1 мА
Заряд затвора Qg(on)78 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання400 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )

В наявності

109,98 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss60 В
Струм Id (25 °C)200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А)
Струм Id (100 °C)140 А (розрахунково)
Rds(on)2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА
Qg155 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникRuichips
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5