Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор STD12NM50N (550V,11A,0.38R) , D-PAK(Заміна для FDD8N50NZ )
94,00 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STD12NM50N – N-канальний MOSFET STMicroelectronics серії MDmesh II у корпусі D-PAK для імпульсних перетворювачів. Нова деталь.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, MDmesh II |
| Напруга Vds | 500 В (550 В при Tj max) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 6,7 А |
| Опір Rds(on) | 0,29 Ом тип., 0,38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5,5 А; TC 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.) (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 100 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 340 нс (ISD = 11 А, di/dt = 100 А/мкс, VDD = 100 В) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
STD12NM50N – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics (MDmesh II) у корпусі DPAK. Напруга Vds 500 В (550 В при Tj max), струм стоку Id 11 А при TC 25 °C і 6,7 А при TC 100 °C. Опір Rds(on) 0,29 Ом типово, 0,38 Ом максимум (VGS = 10 В, ID = 5,5 А; TC 25 °C). Порогова напруга Vgs(th) 2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.) при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Потужність Pd 100 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C, час зворотного відновлення діода trr 340 нс (ISD = 11 А, di/dt = 100 А/мкс, VDD = 100 В).
Нова деталь, не демонтаж. У назві товару вказано, що STD12NM50N може замінити FDD8N50NZ. Заміна одностороння: зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Підбираючи заміну за параметрами, дивіться на корпус, напругу, струм і опір відкритого каналу. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Імпульсні перетворювачі
Чим замінити STD12NM50N?
У назві товару вказано, що STD12NM50N може замінити FDD8N50NZ. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Як перевірити транзистор STD12NM50N?
Мультиметром у режимі перевірки діодів: між стоком і витоком має бути внутрішній діод, а затвор не повинен проводити струм ні на витік, ні на стік.
Це нова деталь чи демонтаж?
Нова деталь, не демонтаж.
Який опір відкритого каналу у STD12NM50N?
0,29 Ом типово і 0,38 Ом максимум при VGS = 10 В, ID = 5,5 А, TC 25 °C.
Документація виробника: STD12NM50N (STMicroelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.