Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор RJH60F7 оригінал демонтаж б/в, TO-3P
188,00 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор RJH60F7 з вбудованим швидким діодом у корпусі TO-3P. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT з вбудованим швидким діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 90 А |
| Струм Ic при 100 °C | 50 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,75 В (макс.) при IC = 50 А |
| Розсіювана потужність Pc | 328,9 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 4890 пФ (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
RJH60F7 – IGBT-транзистор (біполярний транзистор з ізольованим затвором) з вбудованим швидким діодом у корпусі TO-3P. Точного даташиту на RJH60F7 не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі RJH60F7ADPK (Renesas) у тому самому корпусі TO-3P: напруга колектор–емітер Vces 600 В, струм колектора Ic 90 А при TC = 25 °C і 50 А при TC = 100 °C, імпульсний струм 180 А. Напруга насичення Vce(sat) не більше 1,75 В при IC = 50 А і типово 1,6 В при IC = 90 А (VGE = 15 В). Напруга відсічки Vge(off) від 4 до 8 В, напруга затвор–емітер ±30 В. Вхідна ємність Cies типово 4890 пФ. Час затримки вимкнення td(off) типово 122 нс, час спаду tf типово 95 нс (IC = 30 А, VCC = 300 В, резистивне навантаження). Розсіювана потужність Pc 328,9 Вт (TC = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус 0,38 °C/Вт, температура переходу до +150 °C. Діод: пряма напруга типово 1,6 В (макс. 2,1 В) при IF = 20 А, час відновлення trr типово 140 нс, імпульсний прямий струм 100 А.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Заміну підбирайте за корпусом TO-3P і розпіновкою (1 – G, 2 – C, 3 – E), з напругою не нижче 600 В, струмом не нижче 50 А при 100 °C і з вбудованим швидким діодом. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- швидке силове перемикання
Чим замінити RJH60F7?
Шукайте IGBT у корпусі TO-3P з вбудованим швидким діодом, напругою колектор–емітер не нижче 600 В і струмом не нижче 50 А при TC = 100 °C. Параметри RJH60F7 наведено за даташитом RJH60F7ADPK, тому перед заміною звірте їх зі схемою.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Яка розпіновка RJH60F7?
За даташитом RJH60F7ADPK: 1 – затвор (G), 2 – колектор (C), 3 – емітер (E), 4 – колектор (фланець).
Звідки параметри RJH60F7?
Точного даташиту на RJH60F7 не знайшли. Параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі – RJH60F7ADPK (Renesas) у корпусі TO-3P. Точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Найближчий datasheet: RJH60F7ADPK (Renesas).
Точного даташиту на RJH60F7 не знайдено. Найближчий схожий даташит – RJH60F7ADPK (Renesas), корпус TO-3P.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.