Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KF7N60F ( KF7N60 ) оригінал , TO220F
126,90 ₴
3 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
KF7N60F оригінал – N-канальний польовий транзистор KEC на 600 В у корпусі TO-220F. Використовують у PFC та імпульсних джерелах живлення.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | KEC |
| Напруга Vdss | 600 В (TC 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 7 А |
| Струм Id (100 °C) | 4 А |
| Rds(on) | 0,95 Ом типово (Vgs 10 В, Id 3,5 А) |
| Qg | 19 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В |
| Pd | 41 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
KF7N60F – N-канальний планарний MOSFET виробництва KEC у корпусі TO-220F (TO-220IS). Напруга стік–витік Vdss – 600 В при TC 25 °C. Струм стоку Id – 7 А при TC 25 °C і 4 А при TC 100 °C; для KF7N60F він обмежений температурою переходу. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 0,95 Ом при Vgs 10 В і Id 3,5 А, максимум 1,2 Ом. Заряд затвора Qg типово 19 нКл при Vds 480 В, Id 7 А, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 2,5–4,5 В при Id 250 мкА. Потужність розсіювання Pd – 41 Вт при TC 25 °C. Вбудований діод є: Vsd максимум 1,4 В при Is 7 А, trr 320 нс.
Стан: оригінал, не демонтаж. Під час підбору заміни дивіться на тип каналу, корпус TO-220F з тією самою розпіновкою, Vdss, Id та Rds(on) за однакових умов вимірювання; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Активна корекція коефіцієнта потужності (PFC)
- Імпульсні джерела живлення
Чим замінити KF7N60F?
Потрібен N-канальний транзистор у корпусі TO-220F з тією самою розпіновкою, Vdss не нижче 600 В і близькими Id та Rds(on). Порівнюйте за datasheet обох деталей за однакових умов вимірювання.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Для чого підходить KF7N60F?
Для активної корекції коефіцієнта потужності (PFC) та імпульсних джерел живлення.
Який струм витримує KF7N60F?
Id – 7 А при TC 25 °C і 4 А при TC 100 °C; для KF7N60F він обмежений температурою переходу.
Документація виробника: KF7N60P/F Revision No 1 (2013.05.03).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор IRG7S313U оригінал , D2PAK
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vces (мін.) | 330 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Irp | 160 А |
| Vce(on) | 1.35 В тип. (ICE 20 А, VGE 15 В, TJ 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 880 пФ (Vce 30 В) |
| Потужність Pd (25 °C) | 78 Вт |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор RJP30H2A , D2PAK
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Тип | IGBT без зворотного діода |
| Напруга Vces | 360 В |
| Струм колектора Ic | 35 А при Ta 25 °C |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 250 А (PW до 10 мкс, шпаруватість до 1 %) |
| Vce(sat) | 1.4 В типово, 1.9 В макс. при Ic 35 А, Vge 15 В, Tj 25 °C |
| Vge(off) | 2.5–5 В при Vce 10 В, Ic 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл при Vge 15 В, Vce 150 В, Ic 35 А |
| Вхідна ємність Cies | 1200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 180 нс |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
IGBT-транзистор RJP30H2A оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 360 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Струм Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 250 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Потужність Pc | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 1,4 В тип., 1,9 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В) |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.