Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BUZ90A оригінал
94,00 ₴
1 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
BUZ90A – N-канальний польовий транзистор Siemens у корпусі TO-220 AB, оригінал. Силовий SIPMOS-транзистор для ключових схем.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, режим збагачення |
| Виробник | Siemens |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 600 В (мін., VGS = 0, ID = 0,25 мА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 4 А (TC 30 °C, постійний) |
| Rds(on) | 1,7 Ом тип., 2 Ом макс. (VGS 10 В, ID 2,8 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,1–4 В, тип. 3 В (VGS = VDS, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 75 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
BUZ90A – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) режиму збагачення виробництва Siemens у корпусі TO-220 AB. Напруга стік–витік Vds – 600 В мінімум (VGS = 0, ID = 0,25 мА, Tj 25 °C). Струм стоку Id – 4 А при TC 30 °C, постійний. Опір відкритого каналу Rds(on) – 1,7 Ом типово і 2 Ом максимум (VGS 10 В, ID 2,8 А, Tj 25 °C). Порогова напруга Vgs(th) – 2,1–4 В, типово 3 В (VGS = VDS, ID = 1 мА). Розсіювана потужність Pd – 75 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 150 °C. Параметри наведено за даташитом Siemens Semiconductor Group, редакція 07/96. Вхідна ємність Ciss типово 780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц).
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (потрібен N-канал), корпус TO-220 AB, напругу Vds не нижче 600 В, струм Id і опір Rds(on) при тій самій напрузі на затворі 10 В. Якщо замінник має більший заряд затвора, перевірте, чи впорається драйвер. Перед купівлею звіртесь із вашою схемою та даташитом.
Де застосовують
- Силовий SIPMOS-транзистор з нормованою лавинною енергією (avalanche-rated)
Чим замінити BUZ90A?
Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 AB з Vds не нижче 600 В, Id не менше ніж потрібно у вашій схемі та Rds(on) не гірше 2 Ом при VGS 10 В. Перед заміною порівняйте параметри за даташитами.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує BUZ90A?
Id – 4 А при TC 30 °C, постійний струм.
Що означає avalanche-rated?
У даташиті для цього транзистора нормована лавинна енергія: виробник нормує, який викид напруги на стоці транзистор витримує без пошкодження.
Документація виробника: BUZ90A (Siemens Semiconductor Group).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженера
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.