Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор BUZ90A оригінал

94,00 ₴

1 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

На канікулах до 20.11

Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

BUZ90A – N-канальний польовий транзистор Siemens у корпусі TO-220 AB, оригінал. Силовий SIPMOS-транзистор для ключових схем.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал, режим збагачення
ВиробникSiemens
КорпусTO-220
Напруга Vds600 В (мін., VGS = 0, ID = 0,25 мА, Tj 25 °C)
Струм Id4 А (TC 30 °C, постійний)
Rds(on)1,7 Ом тип., 2 Ом макс. (VGS 10 В, ID 2,8 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)2,1–4 В, тип. 3 В (VGS = VDS, ID = 1 мА)
Потужність Pd75 Вт (TC 25 °C)
Вхідна ємність Ciss780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Tj макс.150 °C
СтанОригінал
Опис

BUZ90A – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) режиму збагачення виробництва Siemens у корпусі TO-220 AB. Напруга стік–витік Vds – 600 В мінімум (VGS = 0, ID = 0,25 мА, Tj 25 °C). Струм стоку Id – 4 А при TC 30 °C, постійний. Опір відкритого каналу Rds(on) – 1,7 Ом типово і 2 Ом максимум (VGS 10 В, ID 2,8 А, Tj 25 °C). Порогова напруга Vgs(th) – 2,1–4 В, типово 3 В (VGS = VDS, ID = 1 мА). Розсіювана потужність Pd – 75 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 150 °C. Параметри наведено за даташитом Siemens Semiconductor Group, редакція 07/96. Вхідна ємність Ciss типово 780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц).

Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (потрібен N-канал), корпус TO-220 AB, напругу Vds не нижче 600 В, струм Id і опір Rds(on) при тій самій напрузі на затворі 10 В. Якщо замінник має більший заряд затвора, перевірте, чи впорається драйвер. Перед купівлею звіртесь із вашою схемою та даташитом.

Де застосовують

  • Силовий SIPMOS-транзистор з нормованою лавинною енергією (avalanche-rated)
Часто питають
Чим замінити BUZ90A?

Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 AB з Vds не нижче 600 В, Id не менше ніж потрібно у вашій схемі та Rds(on) не гірше 2 Ом при VGS 10 В. Перед заміною порівняйте параметри за даташитами.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Який струм витримує BUZ90A?

Id – 4 А при TC 30 °C, постійний струм.

Що означає avalanche-rated?

У даташиті для цього транзистора нормована лавинна енергія: виробник нормує, який викид напруги на стоці транзистор витримує без пошкодження.

Datasheet

Документація виробника: BUZ90A (Siemens Semiconductor Group).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

BUZ90A (Siemens Semiconductor Group) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P

В наявності

141,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (постійний)20 А при Ta 25 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Напруга відсічки Vgs(off)2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА
Заряд затвора Qg65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd140 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура каналу Tch150 °C
Вбудований діодє: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN (режим збагачення)
Напруга Vds80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd345 Вт (TC 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

345,92 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Напруга Vds500 В
Струм Id21 А (при 25 °C, макс.)
Імпульсний струм Id63 А (макс.)
Опір Rds(on)190 мОм (Vgs 10 В, макс.)
Заряд затвору Qg95 нКл (тип., Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.1–3.9 В
Потужність Ptot208 Вт (макс.)
Rth(j-c)0.6 К/Вт (макс.)
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5