Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор STP12NM50 ( P12NM50 ) оригінал демонтаж , TO-220
164,50 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STP12NM50 (P12NM50) – N-канальний польовий транзистор у корпусі TO-220 для імпульсних застосувань. Оригінал, демонтаж: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, TC 25 °C) |
| Струм Id | 12 А при TC 25 °C; 7.5 А при TC 100 °C |
| Опір Rds(on) | 300 мОм (тип.), 350 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 6 А |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл (тип.) при VDD = 400 В, ID = 12 А |
| Вхідна ємність Ciss | 1000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 3–5 В (тип. 4 В) при ID = 50 мкА |
| Потужність Ptot | 160 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
STP12NM50 – N-канальний MOSFET виробництва STMicroelectronics у корпусі TO-220, серія MDmesh. За даними виробника, напруга Vds становить 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, TC 25 °C). Струм Id дорівнює 12 А при TC 25 °C і 7.5 А при TC 100 °C. Опір Rds(on) – 300 мОм (тип.) і 350 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 6 А. Заряд затвора Qg – 28 нКл (тип.) при VDD = 400 В, ID = 12 А. Вхідна ємність Ciss типово 1000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Поріг відкривання Vgs(th) – 3–5 В (тип. 4 В) при ID = 50 мкА. Потужність Ptot – 160 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Оригінал, демонтаж: деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Це одна позиція, стан вказано в назві. Щоб підібрати заміну, порівнюйте напругу Vds, струм Id при тій самій температурі корпусу, опір Rds(on) при Vgs 10 В і корпус. Якщо заряд затвора Qg у заміни вищий, перевірте, чи впорається драйвер. У документі також згадуються STB12NM50T4 (D²PAK) і STP12NM50FP (TO-220FP): це інші корпуси, тому на плату під TO-220 вони без переробки не стануть. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Імпульсні застосування (Switching applications)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| PTP20N50A | той самий канал і корпус TO-220; Vds 500 ≥ 500; Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×12 = 9.6; Rds(on) макс. 0.3 Ом ≤ 1.3×0.35 Ом при Vgs 10 В | Qg 65 нКл проти 28 нКл – більш ніж удвічі, перевірте драйвер затвора | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити STP12NM50?
Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 500 В, струмом Id при 25 °C не меншим за 12 А (з запасом) і Rds(on) не вище за 350 мОм (макс.) при Vgs 10 В. У таблиці аналогів на сторінці є деталь з нашого каталогу, яка пройшла це правило.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Як перевірити STP12NM50 перед встановленням?
Тестером перевірте, що між стоком, витоком і затвором немає пробою, а виводи цілі. Порівняйте маркування з назвою на сторінці.
Чи підійдуть STP12NM50FP і STB12NM50T4?
Виробник вказує їх в одному документі з STP12NM50, але вони в інших корпусах (TO-220FP і D²PAK). Для плати під TO-220 перевіряйте розпіновку і посадку самостійно.
Документація виробника: DS1944 Rev 13 (STB12NM50T4, STP12NM50, STP12NM50FP).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.