Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP110N8F6 ( 110N8F6 ) оригінал, TO220
68,62 ₴
60 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STP110N8F6 – N-канальний MOSFET STMicroelectronics на 80 В і 110 А у корпусі TO-220 (маркування 110N8F6). Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, STripFET F6 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 80 В (VGS = 0, ID = 1 мА) |
| Струм Id (25 °C) | 110 А (TC 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 85 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 0,0056 Ом типово (VGS 10 В, ID 55 А) |
| Vgs(th) | 2.5–4.5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 150 нКл типово (VDD 40 В, ID 110 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 9130 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
STP110N8F6 – N-канальний MOSFET STMicroelectronics на технології STripFET F6 у корпусі TO-220, маркування 110N8F6. Цифри наведено за даташитом DocID026831 Rev 2 (December 2014). Напруга Vds – 80 В (VGS = 0, ID = 1 мА). Струм стоку Id – 110 А при TC 25 °C, 85 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 0,0056 Ом (макс. 0,0065) при VGS 10 В, ID 55 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2.5–4.5 В при VDS = VGS, ID 250 мкА. Заряд затвора Qg типово 150 нКл при VDD 40 В, ID 110 А, VGS 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 9130 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 200 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу 175 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. Під час підбору заміни порівнюйте тип каналу, корпус TO-220, Vds, Id та Rds(on) за однакових умов вимірювання. У нашому каталозі є транзистори, що проходять ці правила, – див. таблицю аналогів. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Перемикальні застосунки
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| FHP120N08 | канал N = N, Vds 80 ≥ 80, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×110=88, Rds(on) Vgs 10 В typ 0.006 ≤ 1.3×0.0056=0.00728, корпус TO-220 = TO-220 | Звірте напругу керування затвором і datasheet обох деталей. | Купити |
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 80, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×110=88, Rds(on) Vgs 10 В typ 0.0035 ≤ 1.3×0.0056=0.00728, корпус TO-220 = TO-220 | Vds і Id вищі, ніж у STP110N8F6; звірте datasheet обох деталей. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити STP110N8F6?
Потрібен N-канальний транзистор у корпусі TO-220 з Vds не нижче 80 В, близькими Id та Rds(on). У каталозі є FHP120N08 і G042N10; умови, за якими їх підібрано, наведені в таблиці аналогів. Порівнюйте datasheet за однакових умов вимірювання.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить STP110N8F6 для перемикальних схем?
Так, даташит відносить його до перемикальних застосунків: технологія STripFET F6 з траншейним затвором, малий Rds(on) і малий заряд затвора.
Який заряд затвора у STP110N8F6?
Типово 150 нКл при VDD 40 В, ID 110 А, VGS 10 В. Враховуйте це під час вибору драйвера.
Документація виробника: STP110N8F6 (ST).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.