Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор FHP100N08 оригінал демонтаж(Заміна для CS100N08 , SSF7509 )(80V,100A) , TO220

103,40 ₴

4953 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

4953 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

FHP100N08 – N-канальний MOSFET на 80 В і 100 А у корпусі TO-220, може замінити CS100N08 та SSF7509. Оригінал, демонтаж – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал
Напруга Vds80 В
Струм Id (25 °C)100 А (TC 25 °C, обмеження температурою переходу)
Струм Id (100 °C)70 А (TC 100 °C)
Rds(on)6,5 мОм типово (VGS 10 В, ID 40 А)
Vgs(th)2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Qg75 нКл типово (VDS 64 В, ID 30 А, VGS 10 В)
Вхідна ємність Ciss3200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd200 Вт (TC 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

FHP100N08 – N-канальний MOSFET у корпусі TO-220. За назвою товару це 80 В і 100 А. Точного даташиту на FHP100N08 не знайшли, тому цифри нижче наведено за даташитом найближчої деталі FHP100N08A (FeiHong). Напруга стік–витік Vds 80 В, напруга затвор–витік ±25 В. Струм стоку Id – 100 А при TC 25 °C (обмежено максимальною температурою переходу), 70 А при TC 100 °C, імпульсний струм Idm 400 А. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 6,5 мОм, не більше 8,5 мОм при VGS 10 В, ID 40 А. Порогова напруга Vgs(th) – від 2,0 до 4,0 В при VDS = VGS, ID 250 мкА. Заряд затвора Qg типово 75 нКл при VDS 64 В, ID 30 А, VGS 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 3200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 200 Вт при TC 25 °C, тепловий опір перехід–корпус до 0,75 °C/Вт, максимальна температура переходу 175 °C.

Стан: оригінал, демонтаж – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. FHP100N08 може замінити CS100N08 та SSF7509; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Під час підбору дивіться на тип каналу, корпус TO-220, Vds, Id та Rds(on) за однакових умов вимірювання. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Керування живленням в інверторних системах, перетворювачі DC-DC та імпульсні блоки живлення, керування двигунами постійного струму (за документом)
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
G042N10 канал N = N, Vds 100 ≥ 80, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×100=80, Rds(on) Vgs 10 В max 4.2 ≤ 1.3×8.5=11.1 мОм, корпус TO-220 = TO-220 Драйвер: Qg 119 нКл проти 75 нКл – у півтора раза більший, перевірте, чи впорається драйвер затвора. Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити FHP100N08?

Потрібен N-канальний транзистор у корпусі TO-220 з не меншою напругою Vds і близькими Id та Rds(on). У каталозі є G042N10 – умови, за якими його підібрано, наведені в таблиці аналогів. Порівнюйте datasheet за однакових умов вимірювання.

Які деталі може замінити FHP100N08?

За назвою товару FHP100N08 може замінити CS100N08 та SSF7509. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж: деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Звідки параметри FHP100N08?

Точного даташиту на FHP100N08 не знайшли. Параметри наведено за даташитом найближчої деталі FHP100N08A (FeiHong) у корпусі TO-220. Точний збіг усіх значень не гарантуємо, тому звіряйте їх зі своєю схемою.

Datasheet

Найближчий datasheet: FHP100N08A (FeiHong).

Точного даташиту на FHP100N08 не знайдено. Параметри взято з даташиту на FHP100N08A.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Найближчий datasheet: FHP100N08A (FeiHong) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

IGBT-транзистор YGW60N65F1 оригінал, TO247

В наявності

200,22 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)120 А
Струм колектора Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1,85 В тип. / 2,2 В макс.
Заряд затвора Qg158 нКл
КорпусTO-247
ВиробникLu-Semi
СтанОригінал

Схожі товари

Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (CoolMOS P7)
Напруга Vds600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max
Струм стоку Id48 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)30 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА)
Заряд затвора Qg67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В)
Вхідна ємність Ciss2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц)
Потужність Pd164 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм стоку Id38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В)
Опір Rds(on) макс.99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2–5 В (Id 250 мкА)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Trench Gate
Напруга Vdss250 В
Струм Id25 (Tc 25 °C)50 А
Rds(on)60 мОм (макс.) при Vgs 10 В
Vgs(th)3.0–5.0 В при Id 1 мА
Заряд затвора Qg(on)78 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання400 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET (CoolMOS)
V(BR)DSS500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Струм Id16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C)
Qg66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А)
Вхідна ємність Ciss1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Ptot160 Вт (Tc 25 °C)
Vgs±20 В
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5