Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JCS9N90FT ( заміна для FQPF9N90CT , SVF9N90F , CS9N90F , AOTF9N90 , TF9N90 , FIR9N90F , HM9N90F ) оригінал(900V,9A), TO220F
103,40 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
JCS9N90FT – N-канальний польовий транзистор 900 В, 9 А у корпусі TO220F. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 900 В |
| Струм Id при Tc 25 °C | 9 А |
| Струм Id при Tc 100 °C | 6.0 А |
| Rds(on) | 1.18 Ом типово, 1.35 Ом максимум (Vgs 10 В, Id 4.5 А, 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 43 нКл (Vds 720 В, Id 9 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 36 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Макс. напруга Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
JCS9N90FT – N-канальний MOSFET виробництва Jilin Sino-Microelectronics у корпусі TO-220MF. Напруга Vdss – 900 В. Струм стоку Id – 9 А при Tc 25 °C і 6.0 А при Tc 100 °C, обмежено максимальною температурою переходу. Опір відкритого каналу Rds(on) – 1.18 Ом типово, 1.35 Ом максимум при Vgs 10 В, Id 4.5 А, 25 °C. Заряд затвора Qg – 43 нКл при Vds 720 В, Id 9 А, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 3.0–5.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Потужність розсіювання – 36 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 150 °C, напруга затвор–витік до ±30 В.
Оригінал. У назві товару вказано, що JCS9N90FT може замінити FQPF9N90CT, SVF9N90F, CS9N90F, AOTF9N90, TF9N90, FIR9N90F і HM9N90F. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. За даними виробника, прямі заміни у цій серії – JCS9N90WT, JCS9N90ABT, JCS9N90BT. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта.
Де застосовують
- Імпульсні джерела живлення високої ефективності
- Електронні баласти для ламп на півмосту
- Джерела живлення світлодіодів
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити JCS9N90FT?
За даними виробника прямі заміни – JCS9N90WT, JCS9N90ABT, JCS9N90BT. Перед заміною порівняйте їх datasheet: корпус і розпіновка мають збігатися.
Що можна замінити цим транзистором?
За назвою товару JCS9N90FT може замінити FQPF9N90CT, SVF9N90F, CS9N90F, AOTF9N90, TF9N90, FIR9N90F і HM9N90F. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Для яких схем підходить JCS9N90FT?
Для імпульсних джерел живлення високої ефективності, електронних баластів для ламп на півмосту і джерел живлення світлодіодів. Напруга Vdss – 900 В, струм Id – 9 А при Tc 25 °C.
Документація виробника: JCS9N90FT (Jilin Sino-Microelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.