Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG65R360DE оригінал (заміна для TPD65R940C , 65R940C ) , D-PAK
216,20 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
OSG65R360DE – оригінальний N-канальний польовий транзистор (MOSFET) 650 В, 12 А у корпусі D-PAK. Може замінити TPD65R940C і 65R940C.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В при Tj 25 °C |
| Струм Id (25 °C) | 12 А при Tc 25 °C |
| Струм Id (100 °C) | 7,6 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0,30 Ом типово при Vgs 10 В, Id 3 А |
| Qg | 18,7 нКл типово при Vgs 10 В, Vds 400 В, Id 8 А |
| Вхідна ємність Ciss | 901 пФ (Vds 50 В, f 100 кГц) |
| Vgs(th) | 2,9–3,9 В при Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 83 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
OSG65R360DE – оригінальний N-канальний польовий транзистор (MOSFET) серії GreenMOS E виробництва Oriental Semiconductor у корпусі D-PAK (TO-252). Працює в режимі збагачення. Напруга стік–витік Vds – 650 В при Tj 25 °C. Струм стоку Id – 12 А при Tc 25 °C і 7,6 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 0,30 Ом при Vgs 10 В і Id 3 А (максимум 0,36 Ом). Заряд затвора Qg – 18,7 нКл типово при Vgs 10 В, Vds 400 В, Id 8 А. Вхідна ємність Ciss типово 901 пФ (Vds 50 В, f 100 кГц). Порогова напруга Vgs(th) – 2,9–3,9 В при Id 250 мкА. Потужність розсіювання – 83 Вт при Tc 25 °C, температура переходу – до 150 °C. Вбудований діод є: Vsd максимум 1,3 В при Is 12 А.
У назві товару вказано «заміна для TPD65R940C, 65R940C»: OSG65R360DE може замінити TPD65R940C і 65R940C. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Для іншої заміни порівняйте тип каналу, Vds, Id, Rds(on) при тому самому Vgs і корпус. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою, відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Освітлення LED, зарядні пристрої, адаптери
- Живлення телевізорів, телеком і серверів, сонячні системи та UPS
Чи може OSG65R360DE замінити TPD65R940C?
Так, OSG65R360DE може замінити TPD65R940C і 65R940C. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити OSG65R360DE?
Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі D-PAK з Vds не нижче 650 В, а Id і Rds(on) порівнюйте при однаковому Vgs. Параметри перевіряйте за datasheet.
Для яких схем підходить OSG65R360DE?
Виробник вказує освітлення LED, зарядні пристрої, адаптери, живлення телевізорів, телеком і серверів, сонячні системи та UPS.
Документація виробника: OSG65R360DEF V2.0.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.