Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVT078R0NT ( 078R0NT , SVT078RONT , 078RONT ) оригінал, TO220
216,20 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SVT078R0NT (078R0NT) – оригінальний N-канальний польовий транзистор Silan Microelectronics у корпусі TO-220 на 68 В. Для джерел безперебійного живлення та інверторних систем.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 68 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 88 А |
| Струм Id (100 °C) | 65 А |
| Rds(on) | 6.0 мОм тип., 8.0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=35 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 74.6 нКл тип. (VDD=54 В, VGS=10 В, ID=40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3962 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт (Tc=25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
SVT078R0NT (078R0NT, SVT078RONT, 078RONT) – N-канальний MOSFET виробництва Silan Microelectronics у корпусі TO-220-3L. Виводи: 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік. Напруга стік-витік Vds – 68 В (VGS=0 В, ID=250 мкА). Струм стоку Id – 88 А при Tc=25 °C і 65 А при Tc=100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 6.0 мОм типово (макс. 8.0 мОм) при VGS=10 В, ID=35 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В. Потужність розсіювання – 140 Вт при Tc=25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Заряд затвора Qg – 74.6 нКл типово (VDD=54 В, VGS=10 В, ID=40 А). Вхідна ємність Ciss типово 3962 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц). Вбудований діод є: Vsd типово 0.8 В, trr типово 23 нс при IS=20 А, VGS=0 В.
Стан – оригінал, не копія. За даними виробника, пряма заміна – SVT078R0NS. Підбираючи інший варіант, дивіться на корпус і розпіновку: Vds не нижче 68 В, Id не менше потрібного вам, Rds(on) не вищий. Якщо Qg у заміни удвічі більший, перевірте драйвер затвора. Аналоги з нашого каталогу – у таблиці нижче.
Де застосовують
- Джерела безперебійного живлення, керування живленням інверторних систем
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| TTP95N68A | канал N = N, Vds 68 ≥ 68, Id(25 °C) 95 ≥ 0.8×88, Rds(on) макс. 7.5 ≤ 1.3×8.0 (VGS=10 В), Qg 70 < 74.6, корпус TO-220 = TO-220 | Vds без запасу: 68 В, як в оригіналу. Перевірте розпіновку за datasheet. | Купити |
| FHP120N08 | канал N = N, Vds 80 ≥ 68, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×88, Rds(on) макс. 8.0 ≤ 1.3×8.0 (VGS=10 В), Qg 60 < 74.6, корпус TO-220 = TO-220 | Перевірте розпіновку за datasheet. | Купити |
| PDP8974 | канал N = N, Vds 80 ≥ 68, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×88, Rds(on) макс. 3.9 ≤ 1.3×8.0 (VGS=10 В), Qg 88 < 2×74.6, корпус TO-220 = TO-220 | Виводи G, D, S за datasheet PDP8974; порівняйте з вашою платою. | Купити |
| NCEP85T16 | канал N = N, Vds 85 ≥ 68, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×88, Rds(on) макс. 3.8 ≤ 1.3×8.0 (VGS=10 В), Qg 105 < 2×74.6, корпус TO-220-3L = TO-220-3L | Перевірте розпіновку за datasheet. | Купити |
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 68, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×88, Rds(on) макс. 4.2 ≤ 1.3×8.0 (VGS=10 В), Qg 119 < 2×74.6, корпус TO-220 = TO-220 | Перевірте розпіновку за datasheet. | Купити |
| NCE82H140 | канал N = N, Vds 82 ≥ 68, Id(25 °C) 140 ≥ 0.8×88, Rds(on) макс. 5.2 ≤ 1.3×8.0 (VGS=10 В), корпус TO-220-3L = TO-220-3L | Драйвер: Qg 158 нКл більший за 74.6 нКл більш ніж удвічі, перевірте драйвер затвора. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити SVT078R0NT?
Виробник називає пряму заміну SVT078R0NS. З нашого каталогу за параметрами підходять TTP95N68A, FHP120N08, PDP8974, NCEP85T16 та G042N10. NCE82H140 теж підходить, але його Qg більший, тому перевірте драйвер затвора. Розпіновку порівняйте самостійно.
Як перевірити SVT078R0NT?
Мультиметром у режимі діода перевірте вбудований діод стік-витік і переконайтеся, що затвор не пробитий на інші виводи. Виводи: 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік.
Для чого придатний SVT078R0NT?
Для джерел безперебійного живлення та керування живленням інверторних систем. Rds(on) 6.0 мОм типово наведено при VGS=10 В, ID=35 А.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Документація виробника: SVT078R0NT (Silan Microelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.