Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50H603 оригінал ( IKW50N60H3 ) , TO247
305,50 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
K50H603 (IKW50N60H3) – IGBT-транзистор Infineon зі вбудованим швидким діодом для ДБЖ, зварювальних та інших високочастотних перетворювачів. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 2 мА) |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 100 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 50 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,85 В (тип.), 2,30 В (макс.) при IC 50 А, VGE 15 В, Tvj 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 315 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2960 пФ |
| Потужність розсіювання Ptot | 333 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
K50H603 (IKW50N60H3) – IGBT-транзистор Infineon технології TRENCHSTOP в корпусі TO247 (PG-TO247-3). Напруга колектор–емітер Vces 600 В (VGE = 0 В, IC = 2 мА). Струм колектора Ic 100 А при Tc 25 °C (обмеження за Tvj max) і 50 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) 1,85 В (тип.), 2,30 В (макс.) при IC 50 А, VGE 15 В, Tvj 25 °C. Вбудований діод швидкий, м'який: Vf 1,65 В (тип.) при IF 30 А, trr 130 нс. Вхідна ємність Cies типово 2960 пФ. Потужність розсіювання 333 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 175 °C.
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність діода і корпус. Для швидких схем звертайте увагу на заряд затвора Qg 315 нКл і час спаду tf 24 нс.
Де застосовують
- Джерела безперебійного живлення
- Зварювальні перетворювачі
- Високочастотні перетворювачі
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| JT050N065WED | Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×50 = 40, Vce(sat) 1.6 ≤ 1.3×1.85 = 2.41, діод є в обох, корпус TO-247 | Перевірте розпіновку й параметри затвора за datasheet. | Купити |
| NCE60TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 60 ≥ 0.8×50 = 40, Vce(sat) 1.7 ≤ 1.3×1.85 = 2.41, діод є в обох, корпус TO-247 | Технологія може відрізнятися, перевірте драйвер затвора. | Купити |
| IRGP4068D-E | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 48 ≥ 0.8×50 = 40, Vce(sat) 1.65 ≤ 1.3×1.85 = 2.41, діод є в обох, корпус TO-247 | Демонтаж б/в; технологія може відрізнятися, перевірте драйвер. | Купити |
| 45N60S1 | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 45 ≥ 0.8×50 = 40, Vce(sat) 2 ≤ 1.3×1.85 = 2.41, діод є в обох, корпус TO-247 | Демонтаж б/в; Vce(sat) вище, ніж у K50H603. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити K50H603?
IKW50N60H3 – повний номер Infineon цієї самої деталі. Інші варіанти підбирайте за Vces не нижче 600 В, порівнянним Ic при 100 °C (у K50H603 – 50 А), порівнянним Vce(sat), діодом і корпусом TO247. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є в K50H603 вбудований діод?
Так, швидкий м'який діод: Vf 1,65 В (тип.) при IF 30 А, trr 130 нс.
Для яких схем підходить K50H603?
Для джерел безперебійного живлення, зварювальних та інших високочастотних перетворювачів. Технологія TRENCHSTOP дає дуже низьке Vce(sat) і малі завади EMI.
Документація виробника: IKW50N60H3 (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.