Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор CS19N40F оригінал, TO220F

237,82 ₴

63 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

На канікулах до 20.11

Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

CS19N40F – оригінальний N-канальний польовий транзистор CR Micro у корпусі TO-220F на 400 В. Для електронного баласту та адаптерів живлення.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникCR Micro
Тип каналуN-канал
Напруга Vds400 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)19 А (TC=25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)12 А (TC=100 °C)
Rds(on)0,23 Ом тип., 0,30 Ом макс. (VGS=10 В, ID=9,5 А)
Заряд затвора Qg42 нКл (ID=19 А, VDD=320 В, VGS=10 В)
Вхідна ємність Ciss1919 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2,0–4,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Потужність Pd33 Вт (TC=25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
СтанОригінал
Опис

CS19N40F – N-канальний MOSFET виробництва CR Micro у корпусі TO-220F. Напруга Vds – 400 В при VGS 0 В і ID 250 мкА. Струм стоку Id – 19 А при TC 25 °C і 12 А при TC 100 °C. Опір Rds(on) типово 0,23 Ом, максимум 0,30 Ом при VGS 10 В і ID 9,5 А. Заряд затвора Qg – 42 нКл при ID 19 А, VDD 320 В і VGS 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 1919 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В при VDS=VGS і ID 250 мкА. Потужність розсіювання Pd – 33 Вт при TC 25 °C, температура переходу Tj – до 150 °C. Параметри наведено за документом на CS19N40FA9R (CR Micro). Вбудований діод: Vsd максимум 1,5 В при IS 19 А і VGS 0 В.

Товар оригінальний, не демонтаж. Підбираючи заміну, дивіться на канал (N), корпус TO-220F, Vds не нижче 400 В, а також Id і Rds(on) при VGS 10 В. Взаємозамінність перевіряйте за datasheet. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • Силові перемикальні схеми: електронний баласт і адаптер живлення (розділ Applications).
Часто питають
Чим замінити CS19N40F?

Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 400 В, струмом і Rds(on) не гірше за наведені при VGS 10 В. Порівняйте datasheet перед заміною.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи є в деталі інша позначка?

У документі виробника деталь названа CS19N40FA9R, це повний номер цієї ж моделі в корпусі TO-220F.

Для яких схем підходить CS19N40F?

За документом виробника – силові перемикальні схеми: електронний баласт і адаптер живлення.

Datasheet

Документація виробника: CS19N40FA9R (CR Micro).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

CS19N40FA9R (CR Micro) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247

В наявності

96,35 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss80 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)200 А
Струм Id (100 °C)153 А
Rds(on)2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А
Vgs(th)2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА
Qg195 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd397 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-247
ВиробникHooyi (Huayi)
СтанОригінал

Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)

В наявності

71,44 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN (HEXFET)
Напруга Vds60 В
Струм стоку Id210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А)
Струм стоку Id (100 °C)150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В)
Rds(on)2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА)
Заряд затвора Qg120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss6540 пФ
Потужність Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникInfineon (International Rectifier)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220

В наявності

70,97 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Super Trench
Напруга Vds85 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)160 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)112 А
Опір Rds(on) (тип.)3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм
Заряд затвора Qg105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd220 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
ВиробникNCE Power
СтанОригінал

Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )

В наявності

109,98 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss60 В
Струм Id (25 °C)200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А)
Струм Id (100 °C)140 А (розрахунково)
Rds(on)2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА
Qg155 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникRuichips
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5