Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K20H603 ( IKP20N60H3 ) оригінал, TO220
345,92 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
K20H603 (IKP20N60H3) – оригінальний IGBT-транзистор Infineon на 600 В у корпусі TO-220 з вбудованим швидким діодом. Серія high speed 3 (H3).
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 20 А |
| Імпульсний струм Icm | 80 А |
| Vce(sat) тип. (Vge 15 В, Ic 20 А, Tvj 25 °C) | 1.95 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 170 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1100 пФ |
| Tj макс. | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
K20H603 – маркування на корпусі IGBT-транзистора IKP20N60H3 (Infineon), корпус TO-220. Це IGBT Trench і Field Stop, серія high speed 3 (H3), 600 В, з вбудованим м'яким швидким антипаралельним діодом (If 20 А при 25 °C, 10 А при 100 °C). Напруга колектор–емітер Vces – 600 В. Струм колектора Ic – 40 А при Tc 25 °C і 20 А при Tc 100 °C, імпульсний Icm – 80 А. Напруга насичення Vce(sat) типово 1.95 В (макс. 2.40 В) при Vge 15 В, Ic 20 А, Tvj 25 °C. Порогова напруга Vge(th) типово 5.1 В (4.1–5.7 В) при Ic 0.29 мА, Vce=Vge. Пряма напруга діода Vf типово 1.65 В (макс. 2.05 В) при Vge 0 В, If 10 А, Tvj 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 1100 пФ. Потужність розсіювання Pd – 170 Вт при Tc 25 °C і 85 Вт при Tc 100 °C. Tj макс. – 175 °C.
Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, струм Ic при Tc 100 °C, Vce(sat), корпус і наявність діода. Пряма заміна за даними виробника – IGP20N60H3. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| YGP20N65T2 | Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 20 ≥ 0.8×20=16, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.95=2.54, діод є в обох, корпус TO-220 = TO-220 | Звірте Qg і драйвер затвора. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити K20H603 (IKP20N60H3)?
За даними виробника – IGP20N60H3. З нашого каталогу є YGP20N65T2: Vces 650 В, Ic при Tc 100 °C 20 А, корпус TO-220, діод є. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Що означає K20H603 на корпусі?
Це маркування, під яким продається IKP20N60H3. Параметри в описі взято з документа на IKP20N60H3.
Чи є в транзисторі діод?
Так, м'який швидкий антипаралельний діод: If 20 А при 25 °C і 10 А при 100 °C.
Документація виробника: IKP20N60H3 (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.