Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор H30R1203 ( IHW30N120R3 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
225,60 ₴
9 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
H30R1203 (IHW30N120R3) – зворотно-провідний IGBT Infineon для резонансних схем, корпус TO247. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT зворотно-провідний, N-канал |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 60 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 30 А |
| Vce(sat) тип. | 1.55 В (Vge 15 В, Ic 30 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність Ptot (Tc 25 °C) | 349 Вт |
| Температура переходу Tvj макс. | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 263 нКл (Vcc 960 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2038 пФ |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
H30R1203 – маркування IGBT Infineon IHW30N120R3, зворотно-провідного (reverse conducting) з серії Resonant Switching, N-канал. У корпусі є монолітний діод з низькою Vf для м'якої комутації. Напруга Vce – 1200 В. Струм колектора Ic – 60 А при Tc 25 °C (обмежено Tvjmax) і 30 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.55 В (тип.), 1.75 В (макс.) при Vge 15 В, Ic 30 А, Tvj 25 °C. Vf вбудованого діода – 1.60 В (тип.) при Vge 0 В, If 30 А. Ptot – 349 Вт при Tc 25 °C і 175 Вт при Tc 100 °C, Tvj макс. – 175 °C. Заряд затвора Qg – 263 нКл (Vcc 960 В, Ic 30 А, Vge 15 В). Вхідна ємність Cies типово 2038 пФ.
Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Корпус PG-TO247-3: 1 – затвор, 2 і тильна сторона – колектор, 3 – емітер. IHW30N120R3 – повний номер тієї самої деталі.
Де застосовують
- Індукційні плити
- Інверторні мікрохвильові печі
- Резонансні перетворювачі
- Схеми м'якого перемикання (soft switching)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи підходить H30R1203 для індукційної плити?
За datasheet Infineon, серія призначена для індукційних плит, інверторних мікрохвильових печей і резонансних перетворювачів. Перед заміною звірте напругу й струм з оригіналом.
Чим замінити H30R1203?
Аналоги в каталозі не підібрані. Шукайте IGBT з тим самим корпусом TO247 і розпіновкою, зі вбудованим діодом, Vce не менше 1200 В і Ic при 100 °C не менше 30 А.
Чи є в H30R1203 вбудований діод?
Так, монолітний діод з низькою Vf, призначений для м'якої комутації. Vf – 1.60 В (тип.) при If 30 А, Vge 0 В, Tvj 25 °C.
Документація виробника: IHW30N120R3 Datasheet Rev.2.3.
Параметри наведено за datasheet Infineon IHW30N120R3 (копія документа).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.