Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE80TD65BT оригінал, TO247
250,04 ₴
32 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
NCE80TD65BT – оригінальний IGBT-транзистор NCE Power на 650 В у корпусі TO-247, Trench FS II, з вбудованим діодом. Струм колектора 80 А при TC 100 °C.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power Semiconductor |
| Напруга VCES | 650 В |
| Струм IC при 25 °C | 160 А |
| Струм IC при 100 °C | 80 А |
| Імпульсний струм | 240 А |
| VCE(sat) typ. | 1.7 В при IC 80 А, VGE 15 В, Tj 25 °C |
| VGE(th) typ. | 5.0 В |
| Qg typ. | 331 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 9188 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Pd при 25 °C | 390 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
NCE80TD65BT – швидкий IGBT-транзистор Trench FS II виробника Wuxi NCE Power Semiconductor (NCE) з антипаралельним діодом, корпус TO-247. Напруга колектор–емітер VCES – 650 В (VGE 0 В, IC 1 мА, TC 25 °C). Струм колектора IC – 160 А при TC 25 °C і 80 А при TC 100 °C, імпульсний – 240 А. Напруга насичення VCE(sat) – 1.7 В typ., макс. 1.9 В (IC 80 А, VGE 15 В, Tj 25 °C); при Tj 150 °C – 1.9 В typ. Порогова напруга VGE(th) – 5.0 В typ. (IC 1 мА). Заряд затвора Qg – 331 нКл typ. (VCC 480 В, IC 80 А, VGE 15 В), час спаду tf – 20 нс typ. Вхідна ємність Cies типово 9188 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Діод: VFM 1.75 В typ. при IF 80 А, trr 194 нс typ. (VCC 400 В, di/dt 200 А/мкс). Потужність розсіювання – 390 Вт при TC 25 °C і 155 Вт при TC 100 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Це оригінальна деталь. Щоб підібрати заміну, порівняйте VCES (не нижче 650 В), струм IC при 100 °C, VCE(sat), наявність діода та корпус. У каталозі є YGW75N65HP (TO-247, 650 В, 75 А при 100 °C) – він проходить правила підбору заміни.
Де застосовують
- Кондиціонери, інвертори, приводи двигунів (розділ Application datasheet).
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| YGW75N65HP | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×80=64, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.7=2.21, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Qg у YGW75N65HP – 145 нКл, менший, ніж у оригіналу: драйвер затвора підходить. Діод є в обох. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити NCE80TD65BT?
Шукайте IGBT з діодом у TO-247, VCES не нижче 650 В, струмом IC при 100 °C близько 80 А і близьким VCE(sat). Заряд затвора Qg у NCE80TD65BT – 331 нКл typ., тож перевірте, чи драйвер потягне іншу деталь.
Чи є у NCE80TD65BT вбудований діод?
Так, антипаралельний діод: VFM 1.75 В typ. при IF 80 А, trr 194 нс typ.
Для чого використовують цей IGBT?
У кондиціонерах, інверторах і приводах двигунів (розділ Application datasheet).
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Документація виробника: NCE80TD65BT (NCE).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.