Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQF10N65 ( FQF10N65C ) оригінал (Заміна для MDF10N65B , SVF10N65F , MDF10N65 , HF10N65 , FHF10N65 , ISA10N65A , OSPF10N65C , PF10N65 , FQPF10N65C , YR10N65 , FIR10N65F , HM10N65F , TK6A65D , K4101 , 2SK4101 ), TO220F
79,90 ₴
42 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
42 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FQF10N65 (FQF10N65C) – польовий транзистор N-канал у корпусі TO-220F, оригінал. За найближчим схожим даташитом FHF10N65A: 650 В, 10 А.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id | 10 А (Tc 25 °C), 6,2 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 5 А | 0,9 Ом макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 29 нКл (типово) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
FQF10N65 (він же FQF10N65C) – польовий транзистор (MOSFET) з каналом N-типу в корпусі TO-220F. Точного даташиту на FQF10N65 не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі FHF10N65A (Feihong) у корпусі TO-220F. Напруга стік–витік Vds – 650 В. Струм стоку Id – 10 А при Tc = 25 °C і 6,2 А при Tc = 100 °C, імпульсний струм Idm – 40 А. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 0,9 Ом при Vgs = 10 В і Id = 5 А. Порогова напруга Vgs(th) – від 2,0 до 4,0 В. Заряд затвора Qg типово 29 нКл (Vds = 520 В, Id = 10 А, Vgs = 10 В). Вхідна ємність Ciss типово 1350 пФ (Vds = 25 В, f = 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 50 Вт при Tc = 25 °C, тепловий опір перехід–корпус – до 2,5 °C/Вт. Напруга затвор–витік – до ±30 В, температура переходу – до 150 °C. Час зворотного відновлення вбудованого діода trr – типово 360 нс.
Оригінал, не демонтаж. За даташитом FHF10N65A такі транзистори ставлять в імпульсні блоки живлення, електронні баласти та джерела живлення світлодіодів. У назві товару вказано, що FQF10N65 може замінити MDF10N65B, SVF10N65F, MDF10N65, HF10N65, FHF10N65, FQPF10N65C та інші позначення з переліку в заголовку картки. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення
- Електронні баласти
- Джерела живлення світлодіодів
Чим замінити FQF10N65?
Підходящі позначення перелічені в назві товару. Перед заміною порівняйте datasheet: напругу не нижче 650 В, струм не менше 10 А, Rds(on) і корпус TO-220F.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим FQF10N65 відрізняється від FQF10N65C?
У назві товару обидва позначення вказані як одна позиція: FQF10N65 ( FQF10N65C ).
Звідки параметри FQF10N65?
Точного даташиту на FQF10N65 не знайшли. Параметри взято з даташиту найближчої схожої деталі FHF10N65A (Feihong) у корпусі TO-220F. Точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Найближчий datasheet: FHF10N65A (Feihong).
Точного даташиту на FQF10N65 не знайдено. Найближчий схожий даташит – FHF10N65A (Feihong).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Діод 1N4148
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Корпус | DO-35 (DO-204AH) |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 100 В (Tamb 25 °C) |
| Зворотна напруга Vr | 75 В (Tamb 25 °C) |
| Постійний прямий струм If | 300 мА (l = 4 мм, Tamb 25 °C) |
| Повторюваний імпульсний прямий струм Ifrm | 500 мА (Tamb 25 °C) |
| Середній прямий струм If(av) | 150 мА (Vr = 0) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 1 В (If = 10 мА, Tamb 25 °C) |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 25 нА (Vr = 20 В, Tamb 25 °C) |
| Час відновлення trr (макс.) | 4 нс (If = 10 мА, Vr = 6 В, iR = 0,1 x Ir, RL = 100 Ом) |
| Ємність Cd (макс.) | 4 пФ (Vr = 0 В, f = 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Ptot | 500 мВт (Tamb 25 °C) |
| Температура переходу Tj (макс.) | 175 °C |
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.