Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | smd |
Мікросхема EN25F80-100HCP , smd
69,09 ₴
1 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
1 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
EN25F80-100HCP – послідовна флеш-пам’ять Eon на 8 Мбіт з інтерфейсом SPI і тактовою частотою до 100 МГц, корпус SMD. Нова деталь, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | smd |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Eon Silicon Solution |
| Тип | Послідовна флеш-пам’ять SPI |
| Корпус | smd |
| Обсяг пам'яті | 8 Мбіт (1024 Кбайт) |
| Напруга живлення | 2.7–3.6 В |
| Граничне значення VCC | -0.5…+4.0 В |
| Тактова частота | 100 МГц (FAST_READ, запис, стирання), 66 МГц (READ) |
| Струм в активному режимі | 5 мА (тип.) |
| Струм під час читання | 25 мА (макс., CLK 100 МГц) |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Ресурс | 100 тис. циклів запису/стирання |
EN25F80-100HCP – послідовна флеш-пам'ять Eon Silicon Solution обсягом 8 Мбіт (1024 Кбайт) з однорідними секторами по 4 Кбайт та інтерфейсом SPI. Корпус SMD; за кодом замовлення літера H означає SOP-8 шириною 200 mil. Тактова частота – до 100 МГц для команд FAST_READ, запису й стирання і до 66 МГц для звичайного читання READ. Живлення – від 2.7 до 3.6 В. Струм в активному режимі – 5 мА типово, під час читання на 100 МГц – не більше 25 мА. Запис сторінки триває 1.5 мс типово (5 мс максимум), стирання сектора – 0.15 с, блоку – 0.8 с, усієї мікросхеми – 10 с типово. Кожен сектор витримує щонайменше 100 тис. циклів запису й стирання. Є захищений сектор OTP на 256 байт, вивід WP# для апаратного захисту запису і вивід HOLD#.
Літери в номері за схемою коду замовлення Eon: 100 – частота 100 МГц, H – корпус SOP-8 200 mil, C – комерційний діапазон температур від 0 до +70 °C, P – безсвинцевий корпус (RoHS). Нова деталь, не демонтаж. Заміну підбирайте за datasheet: обсяг, живлення, частота, корпус і розпіновка мають збігатися. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Чим замінити EN25F80-100HCP?
Готових замін у нашому каталозі немає. Підбирайте флеш-пам'ять SPI на 8 Мбіт з живленням 2.7–3.6 В у тому самому корпусі й з тією самою розпіновкою, звіряючи datasheet обох мікросхем.
Це нова деталь чи демонтаж?
Нова деталь, не демонтаж.
Що означає 100HCP у номері?
За datasheet Eon: 100 – частота 100 МГц, H – корпус SOP-8 200 mil, C – температура від 0 до +70 °C, P – безсвинцевий корпус (RoHS).
Яка напруга живлення EN25F80-100HCP?
Від 2.7 до 3.6 В. Граничне значення за datasheet – від -0.5 до +4.0 В.
Документація виробника: EN25F80-100HCP (Eon Silicon Solution).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Мікросхема NSI6602BD оригінал ( NSI6602B-DSWR , NSI66 02BD , NS16602BD , NS166 02BD ), sow16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Призначення | Ізольований двоканальний драйвер затворів силових транзисторів |
| Піковий струм source | 4 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Піковий струм sink | 6 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Напруга VDDA, VDDB | 9,4–25 В (версія NSI6602B) |
| Напруга VDDI | 3–5,5 В |
| Затримка поширення | 25 нс (типово, VDDA=VDDB=12 В) |
| Напруга ізоляції | 5700 В (діюче), 1 хвилина, UL1577 |
| CMTI | 150 кВ/мкс (типово) |
| Температура | –40…125 °C |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.