Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-16 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IR2110S оригінал, so-16
150,40 ₴
23 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IR2110S – мікросхема-драйвер верхнього та нижнього ключів для силових MOSFET та IGBT, корпус SOIC-16. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-16 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-16 |
| Напруга плаваючого каналу VOFFSET | 500 В |
| Вихідний струм IO+/IO- | 2 / 2 А |
| Напруга живлення драйвера VOUT | 10–20 В |
| Напруга логічного живлення VDD | 3,3–20 В |
| Затримка вмикання ton (тип.) | 120 нс (CL = 1000 пФ, TA = 25 °C) |
| Затримка вимикання toff (тип.) | 94 нс (CL = 1000 пФ, TA = 25 °C) |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
IR2110S – драйвер верхнього та нижнього ключів для MOSFET та IGBT виробництва Infineon (International Rectifier). Виходи незалежні, а верхній канал працює з напругою плаваючого каналу VOFFSET до 500 В. Вихідний струм IO+/IO- – 2 / 2 А (за таблицею datasheet: тип. 2,5 А при VBIAS = 15 В, TA = 25 °C). Напруга живлення драйвера VOUT – 10–20 В, логічне живлення VDD – 3,3–20 В. Затримка вмикання тип. 120 нс, вимикання 94 нс при CL = 1000 пФ, TA = 25 °C. Логічні входи сумісні з CMOS та LSTTL. Корпус SOIC-16 для поверхневого монтажу.
Ця позиція – оригінал, не демонтаж. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня. Якщо шукаєте заміну, у виробника є прямі заміни: IRS2110 та 2ED2110S06M. В нашому каталозі є IR2113S – її називає виробник в одному datasheet з IR2110S, але вона розрахована на VOFFSET 600 В, тому перед заміною звірте схему за datasheet. Версія IR2110 без літери S – у корпусі 14-Lead PDIP, це інший корпус.
Де застосовують
- Драйвер силових MOSFET та IGBT з незалежними виходами верхнього та нижнього плеча, верхній канал працює до 500 В.
- Вбудована схема підйому для роботи з бутстрепним конденсатором, блокування при недостатній напрузі живлення обох каналів.
- Узгоджені затримки обох каналів спрощують використання на високих частотах.
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IR2113S | названо виробником | той самий datasheet і корпус SOIC-16; VOFFSET 600 В замість 500 В – звірте схему за datasheet | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити IR2110S?
За даними виробника, прямі заміни – IR2113(S), IRS2110 та 2ED2110S06M. У нашому каталозі є IR2113S. Вона розрахована на VOFFSET 600 В замість 500 В, тому звіряйте datasheet перед заміною.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи потрібен бутстрепний конденсатор?
Так, верхній канал живиться через схему підйому з бутстрепним конденсатором. Номінал підбирайте за схемою й datasheet.
Чим IR2110S відрізняється від IR2110?
Корпусом: IR2110S – SOIC-16, а IR2110 без літери S – 14-Lead PDIP.
Документація виробника: Data Sheet No. PD60147 rev.V, IR2110(S)PbF/IR2113(S)PbF, High and Low Side Driver.
Параметри наведено за datasheet виробника Infineon (International Rectifier); дата випуску документа в ньому не вказана.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Діод 1N4148WS ( T4 , 1N4148 ) smd 0805 , sod-323
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | JSMSEMI |
| Тип | Діод швидкий малосигнальний, одинарний |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 75 В при Ta 25 °C |
| Середній випрямлений струм Io | 200 мА при Ta 25 °C |
| Пряма напруга Vf | 1.25 В макс. при IF 150 мА, Ta 25 °C |
| Зворотний струм Ir | 1.0 мкА макс. при VR 75 В, Ta 25 °C |
| Ємність переходу Cj | 2.0 пФ макс. при VR 0, 1 МГц |
| Час зворотного відновлення trr | 4.0 нс макс. при IF = IR = 10 мА |
| Розсіювана потужність Pd | 200 мВт при Ta 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | SOD-323, маркування T4 |
Транзистор IRF3205 оригінал ( Заміна для CEP3205 , HRF3205 , KEP3205 , SSF5508 ), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга V(BR)DSS | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм ID при 25 °C | 110 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID при 100 °C | 80 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір RDS(on) | 8,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 62 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 146 нКл макс. (ID = 62 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3247 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга VGS | ±20 В макс. |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Мікросхема 24C08WP ( ST24C08WP , M24C08-WMN6TP ) оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 8K (8192 біт) |
| Організація | 1024 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NSI6602BD оригінал ( NSI6602B-DSWR , NSI66 02BD , NS16602BD , NS166 02BD ), sow16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Призначення | Ізольований двоканальний драйвер затворів силових транзисторів |
| Піковий струм source | 4 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Піковий струм sink | 6 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Напруга VDDA, VDDB | 9,4–25 В (версія NSI6602B) |
| Напруга VDDI | 3–5,5 В |
| Затримка поширення | 25 нс (типово, VDDA=VDDB=12 В) |
| Напруга ізоляції | 5700 В (діюче), 1 хвилина, UL1577 |
| CMTI | 150 кВ/мкс (типово) |
| Температура | –40…125 °C |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.