Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор MXP6008CT оригінал, TO220

216,20 ₴

10 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

10 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

MXP6008CT – оригінальний N-канальний польовий транзистор MaxPower на 60 В в корпусі TO-220 для блоків живлення та DC-DC перетворювачів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникMaxPower
Напруга Vds60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)109 А (обмеження корпусу 80 А)
Імпульсний струм стоку436 А (VG=10 В)
Опір Rds(on) (тип. / макс.)6,3 / 8 мОм (VGS=10 В, ID=24 А)
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В (ID=250 мкА)
Заряд затвора Qg (тип.)50 нКл (VDD=30 В, VGS=10 В, ID=38 А)
Вхідна ємність Ciss3395 пФ
Потужність Pd150 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал
Опис

MXP6008CT – N-канальний польовий транзистор, виробник MaxPower. Параметри наведено за даташитом MXP6008CT. Напруга Vds 60 В (при Vgs 0 В, Id 250 мкА). Струм стоку Id 109 А при 25 °C, обмеження корпусу 80 А; імпульсний струм 436 А (при Vg 10 В). Опір Rds(on) 6,3 мОм типово, 8 мОм максимум (при Vgs 10 В, Id 24 А). Порогова напруга Vgs(th) від 2 до 4 В (при Id 250 мкА). Заряд затвора Qg 50 нКл типово (при Vdd 30 В, Vgs 10 В, Id 38 А). Вхідна ємність Ciss типово 3395 пФ. Потужність Pd 150 Вт при 25 °C, температура переходу до 175 °C. Корпус TO-220.

Стан: оригінал. Підбираючи заміну, дивіться на корпус TO-220 і розпіновку, N-канал, напругу Vds, струм Id та опір Rds(on) при однаковій напрузі на затворі; якщо заряд затвора у заміни більший, перевірте драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Блоки живлення та DC-DC перетворювачі.
Часто питають
Чим замінити MXP6008CT?

Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 60 В і Rds(on) не гірше при Vgs 10 В. Параметри порівнюйте за даташитом.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Як перевірити транзистор перед встановленням?

Мультиметром у режимі діода перевірте, що між стоком, витоком і затвором немає короткого замикання. Параметри порівняйте з даташитом MXP6008CT.

Який струм можна брати від MXP6008CT?

За даташитом Id 109 А при 25 °C, але корпус обмежує струм до 80 А. Реальний струм залежить від охолодження.

Datasheet

Документація виробника: MXP6008CT (MaxPower).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

MXP6008CT (MaxPower) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

IGBT-транзистор GT30F133 ( 30F133 ) оригінал (Заміна для IRG7R313U ) , DPAK

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
КорпусTO-252 (D-PAK)
Номер деталіGT30F133 (30F133)
СтанОригінал

Схожі товари

Транзистор CS20N65 оригінал, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id20 А (безперервний)
Rds(on)0.35 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)3.0–4.0 В
Заряд затвора Qg80 нКл (VDD = 520 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (DC)15 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура каналу Tch150 °C
Напруга Vgss±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5