Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор P75N02LDG оригінал, D-PAK
70,50 ₴
18 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
P75N02LDG – N-канальний польовий транзистор UNIKC у корпусі D-PAK: 25 В, 75 А при Tc 25 °C. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга V(BR)DSS | 25 В (VGS 0, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 75 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 50 А |
| Опір Rds(on) | 5 мОм типово, макс. 7 мОм (VGS 10 В, ID 30 А) |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 1840 пФ |
| Поріг Vgs(th) | 1–3 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 54 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | UNIKC |
| Стан | Оригінал |
P75N02LDG – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) виробництва UNIKC у корпусі TO-252 (D-PAK). За даташитом UNIKC (P75N02LDG Ver 1.1) напруга V(BR)DSS дорівнює 25 В (VGS 0, ID 250 мкА). Струм стоку Id – 75 А при Tc 25 °C і 50 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) – 5 мОм типово, максимум 7 мОм (VGS 10 В, ID 30 А). Заряд затвора Qg – 55 нКл типово (VGS 10 В, VDD 15 В, ID 25 А). Вхідна ємність Ciss типово 1840 пФ. Поріг Vgs(th) – 1–3 В (VDS = VGS, ID 250 мкА), потужність Pd – 54 Вт при Tc 25 °C, Tj max 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, беріть N-канальний транзистор у корпусі D-PAK з напругою Vds і струмом Id не нижче, ніж у P75N02LDG, і з Rds(on) не вищим при VGS 10 В. Якщо Qg у заміни помітно більший, перевірте драйвер затвора. У нашому каталозі є 2SK3919 і CS100N03, які проходять ці умови. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| 2SK3919 | канал N = N, Vds 25 ≥ 25, Id(25 °C) 64 ≥ 0.8×75=60, Rds(on) VGS 10 В тип. 4.5 ≤ 1.3×5=6.5 мОм, корпус TO-252 = TO-252 | Id нижчий за P75N02LDG; перевірте запас по струму у вашій схемі | Купити |
| CS100N03 | канал N = N, Vds 30 ≥ 25, Id(25 °C) 100 ≥ 0.8×75=60, Rds(on) Vgs 10 В typ 4 ≤ 1.3×5=6.5 мОм, корпус DPAK = DPAK | Напруга вища; Qg порівняйте за даташитом перед заміною | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити P75N02LDG?
Підійде N-канальний MOSFET у D-PAK з Vds не нижче 25 В, з тим самим або близьким струмом Id і з Rds(on) не вищим при VGS 10 В. У каталозі є 2SK3919 та CS100N03, порівняйте їх за даташитом.
Як перевірити MOSFET мультиметром?
Зніміть заряд із затвора, закоротивши його на витік. У режимі діода перевірте, що між стоком і витоком проводить тільки внутрішній діод в одному напрямку, а затвор не має опору до інших виводів.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Яка напруга і який струм у P75N02LDG?
За даташитом UNIKC: V(BR)DSS 25 В при VGS 0, ID 250 мкА; Id 75 А при Tc 25 °C і 50 А при Tc 100 °C.
Документація виробника: P75N02LDG (UNIKC).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.