Магазин
Мікросхема L78L12
В наявності
2,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідна напруга | 12 В (11,1–12,9 В) при Tj 25 °C, Vi 14–27 В, Io 1–40 мА |
| Вихідний струм | до 100 мА |
| Вхідна напруга рекомендована | 14,5–27 В |
| Вхідна напруга гранична (новий чіп) | 35 В |
| Струм спокою | 4,3 мА (макс. 6,5 мА) при Tj 25 °C, Vi 19 В, Io 40 мА |
| Температура переходу | 0…125 °C (legacy), −40…125 °C (новий чіп) |
| Захист | обмеження струму КЗ і тепловий захист |
| Корпуси серії | SOIC-8, TO-92, SOT-89 |
Мікросхема L78L09
В наявності
6,58 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідна напруга | 9 В (8,3–9,7 В) при Tj 25 °C, Vi 12–24 В, Io 1–40 мА |
| Вихідний струм | до 100 мА |
| Вхідна напруга рекомендована | 11,5–24 В |
| Струм спокою | 4,1 мА (макс. 6 мА) при Tj 25 °C, Vi 16 В, Io 40 мА |
| Температура переходу | 0…125 °C |
| Захист | обмеження струму КЗ і тепловий захист |
| Корпуси серії | SOIC-8, TO-92, SOT-89 |
Мікросхема L78L06
В наявності
3,76 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідна напруга | 6 В (Tj 25 °C, Vi 12 В, Io 40 мА) |
| Макс. вихідний струм | 100 мА |
| Макс. вхідна напруга | 30 В |
| Струм спокою | 6 мА макс. (Tj 25 °C) |
| Мінімальна різниця Vi–Vo | 1,7 В тип. |
| Придушення пульсацій | 46 дБ тип. (Io 40 мА, f 120 Гц, Tj 25 °C) |
| Допуск вихідної напруги | ±5 % (серії AC), ±10 % (серія C) |
| Виробник | STMicroelectronics |
Мікросхема L78L05 ( L78L05ACZ , L78L05A ) , to-92
В наявності
14,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Вихідна напруга | 5 В (мін 4,6 / макс 5,4; Tj 25 °C, Vi 10 В, Io 40 мА) |
| Макс. вихідний струм | 100 мА |
| Макс. вхідна напруга | 30 В (Vo 3,3–9 В; абсолютний максимум) |
| Струм спокою | 6 мА макс. (Tj 25 °C) |
| Мінімальна різниця Vi–Vo | 1,7 В (тип.) |
| Придушення пульсацій | 49 дБ (тип.; Io 40 мА, f 120 Гц, Vi 8–18 В, Tj 25 °C) |
| Допуск вихідної напруги | ±5 % (серія AC) / ±10 % (серія C) |
| Температура переходу | 0–125 °C (L78L05C, L78L05AC) |
| Корпус | TO-92 |
Мікросхема L78L05 , sot-89
В наявності
10,34 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Вихідна напруга | 5 В (мін 4,6 / макс 5,4; Tj 25 °C, Vi 10 В, Io 40 мА) |
| Макс. вихідний струм | 100 мА |
| Макс. вхідна напруга | 30 В (Vo 3,3–9 В; абсолютний максимум) |
| Струм спокою | 6 мА макс. (Tj 25 °C) |
| Мінімальна різниця Vi–Vo | 1,7 В (тип.) |
| Придушення пульсацій | 49 дБ (тип.; Io 40 мА, f 120 Гц, Vi 8–18 В, Tj 25 °C) |
| Допуск вихідної напруги | ±5 % (серія AC) / ±10 % (серія C) |
| Температура переходу | 0–125 °C (L78L05C, L78L05AC) |
| Корпус | SOT-89 |
IGBT-транзистор G60T60AN3H оригінал ( CRG60T60AN3H , G60T60 ), TO3P
В наявності
258,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 60 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.85 В тип. / 2.4 В макс. (Ic=60А, Vge=15В) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл |
| Час відновлення діода trr | 80 нс (If=30А) |
| Розсіювана потужність Pd | 403 Вт (Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема L7806CV
В наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідна напруга Vo | 6,0 В (Tj 25 °C, Io 500 мА, Vi 11 В; 5,75–6,25) |
| Вихідна напруга у всьому діапазоні | 5,7–6,3 В (Io 5 мА–1,2 А, Po до 15 Вт, Vi 8–21 В) |
| Вихідний струм Io (макс.) | 1,2 А |
| Піковий струм Ipk | 2,2 А (Tj 25 °C, тип.) |
| Вхідна напруга Vi (макс.) | 35 В (Ta 25 °C) |
| Струм спокою Iq | 5 мА (Tj 25 °C, тип.; макс. 8) |
| Придушення пульсацій RR | 59 / 75 дБ (f 120 Гц; мін. / тип.) |
| Падіння напруги Vd | 2 В (Io 1 А, Tj 25 °C, тип.) |
| Робоча температура | 0…125 °C |
| Корпус | TO-220 |
Мікросхема L7805CV оригінал , TO220
В наявності
30,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідна напруга Vo | 5 В (Tj 25 °C, Vi 10 В, Io 500 мА; 4,8–5,2) |
| Вихідна напруга у всьому діапазоні | 4,75–5,25 В (Io 5 мА–1 А, Po до 15 Вт, Vi 8–20 В) |
| Вихідний струм Io (макс.) | 1,2 А |
| Вхідна напруга Vi (макс.) | 35 В (Tc 25 °C) |
| Нестабільність за входом | 100 мВ (Tj 25 °C, Vi 7–25 В, макс.) |
| Нестабільність за навантаженням | 100 мВ (Tj 25 °C, Io 5 мА–1,2 А, макс.) |
| Струм спокою Iq | 6 мА (Tj 25 °C, макс.) |
| Робоча температура | 0…125 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема L6599D оригінал, so-16
В наявності
74,26 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | високовольтний резонансний контролер, керування напівмостом зі змінною частотою та 50 % заповненням |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Робоча частота (макс.) | 500 кГц |
| Напруга живлення Vcc (робоча) | 8,85–16 В (після увімкнення) |
| Поріг увімкнення Vcc(ON) | 10,7 В (Vcc зростає; 10–11,4) |
| Поріг вимкнення Vcc(OFF) | 8,15 В (Vcc спадає; 7,45–8,85) |
| Струм старту | 250 мкА (до увімкнення, макс.) |
| Мертвий час | 0,3 мкс (між HVG і LVG; 0,2–0,4) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | SO-16 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема L6598D оригінал ( заміна для DLA001D ) , so-16
В наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Високовольтний резонансний контролер, драйвер двох MOSFET у напівмостовій схемі |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SO-16 |
| Напруга силової шини | до 600 В |
| Vboot, абсолютний максимум | 618 В |
| Струм драйверів | 250 / 450 мА (витік / втік) |
| Час наростання / спаду | 80 / 40 нс при навантаженні 1 нФ |
| Поріг вмикання Vs | 10,7 В |
| Поріг вимикання Vs | 8 В |
| Діод бутстрепа | є |
| Діапазон Tj | -40…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема L6598 , DIP16
В наявності
62,98 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Високовольтний резонансний контролер, драйвер двох MOSFET у напівмостовій схемі |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | DIP16 |
| Напруга силової шини | до 600 В |
| Vboot, абсолютний максимум | 618 В |
| Струм драйверів | 250 / 450 мА (витік / втік) |
| Час наростання / спаду | 80 / 40 нс при навантаженні 1 нФ |
| Поріг вмикання Vs | 10,7 В |
| Поріг вимикання Vs | 8 В |
| Діод бутстрепа | є |
| Діапазон Tj | -40…150 °C |
Мікросхема L6565N ( L6565 ) , DIP8
В наявності
36,66 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Первинний контролер квазірезонансних (ZVS) зворотноходових перетворювачів |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | DIP8 |
| Робоча напруга Vcc | 10,3–18 В |
| Поріг вмикання Vcc | 13,5 В |
| Поріг вимикання Vcc | 9,5 В |
| Струм запуску | 70 мкА макс. при Vcc = 12 В |
| Струм спокою | 3,5 мА макс. |
| Струм драйвера затвора | 400 мА |
| Розсіювана потужність | 1 Вт при 50 °C |
| Діапазон Tj | -40…150 °C |
Мікросхема L6565D , so-8
В наявності
72,38 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Первинний контролер квазірезонансних (ZVS) зворотноходових перетворювачів |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SO-8 |
| Робоча напруга Vcc | 10,3–18 В |
| Поріг вмикання Vcc | 13,5 В |
| Поріг вимикання Vcc | 9,5 В |
| Струм запуску | 70 мкА (макс.) |
| Струм спокою | 3,5 мА (макс.) |
| Опорна напруга INV | 2,5 В |
| Струм драйвера затвора | 400 мА (пік) |
| Розсіювана потужність Ptot | 0,65 Вт (Tамб 50 °C) |
| Діапазон Tj | -40…150 °C |
| Тепловий опір | 150 °C/Вт (макс.) |
Мікросхема L6563 оригінал, so-14
В наявності
77,08 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PFC-контролер, режим граничної провідності (transition mode) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SO-14 |
| Робоча напруга Vcc | 10,3–22 В |
| Струм запуску | 90 мкА (макс.) |
| Струм спокою | 5 мА (макс.) |
| Опорна напруга INV | 2,5 В |
| Струм драйвера затвора | 600 / 800 мА |
| Розсіювана потужність Ptot | 0,75 Вт (Tамб 50 °C) |
| Діапазон Tj | -25…150 °C |
| Тепловий опір | 120 °C/Вт (макс.) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема L6562D оригінал ( заміна для L6562A ) , so-8
В наявності
51,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер PFC, перехідний режим (transition-mode) |
| Робочий діапазон Vcc | 10,3–22 В (після вмикання) |
| Поріг вмикання Vcc | 12 В |
| Поріг вимикання Vcc | 9,5 В |
| Струм старту | 70 мкА (макс., перед вмиканням Vcc 11 В) |
| Робочий струм живлення | <4 мА |
| Опорна напруга входу INV | 2,5 В (Tj 25 °C, Vcc 10,3–22 В) |
| Струм виходу GD (витікання) | 600 мА |
| Струм виходу GD (втікання) | 800 мА |
| Обмеження високого рівня GD | ≈12 В |
| Тепловий опір перехід–середовище | 150 °C/Вт (SO-8) |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема L6561D , so-8
В наявності
28,67 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Корректор коефіцієнта потужності (PFC), перехідний режим |
| Діапазон мережі | 85–265 В (змінна напруга) |
| Поріг вмикання Vcc | 12 В |
| Поріг вимикання Vcc | 9,5 В |
| Макс. робоча напруга Vcc | 18 В (після вмикання) |
| Струм старту | 50 мкА (типово) |
| Робочий струм живлення | 4 мА (типово) |
| Опорна напруга входу INV | 2,5 В (точність 1 % при Tj 25 °C) |
| Струм виходу GD | ±400 мА |
| Розсіювана потужність | 0,65 Вт (Tamb 50 °C, SO-8) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 150 °C/Вт (SO-8) |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | STMicroelectronics |
Мікросхема L6561 , DIP8
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Корректор коефіцієнта потужності (PFC), перехідний режим |
| Діапазон мережі | 85–265 В (змінна напруга) |
| Поріг вмикання Vcc | 12 В |
| Поріг вимикання Vcc | 9,5 В |
| Макс. робоча напруга Vcc | 18 В (після вмикання) |
| Струм старту | 50 мкА (типово) |
| Робочий струм живлення | 4 мА (типово) |
| Опорна напруга входу INV | 2,5 В (точність 1 % при Tj 25 °C) |
| Струм виходу GD | ±400 мА |
| Розсіювана потужність | 1 Вт (Tamb 50 °C, DIP-8) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 100 °C/Вт (Minidip) |
| Корпус | DIP8 |
| Виробник | STMicroelectronics |
Мікросхема L6386ED , so-14
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SO-14 |
| Напруга верхньої шини | 600 В (плаваюча секція) |
| Макс. VBOOT | 618 В (абс. межа) |
| Макс. напруга живлення Vcc | 18 В (абс. межа) |
| Поріг вмикання Vcc (UVLO) | 12 В (Vcc 15 В, Tj 25 °C) |
| Поріг вимикання Vcc (UVLO) | 10 В (Vcc 15 В, Tj 25 °C) |
| Вихідний струм (витікання) | 400 мА |
| Вихідний струм (втікання) | 650 мА |
| Час наростання | 50 нс (навантаження 1 нФ) |
| Час спаду | 30 нс (навантаження 1 нФ) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема L4949E ( L4949NG ) , DIP8
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | DIP8 |
| Вихідна напруга Vo | 5 В (Tj 25 °C, Io 1 мА) |
| Вихідний струм | до 100 мА |
| Робоча напруга живлення Vs | 5–28 В (DC) |
| Імпульсна напруга живлення | 40 В (T < 1 с) |
| Падіння напруги Vdp | 0.5 В (Io 100 мА, макс.) |
| Струм спокою в очікуванні Iqse | 200 мкА (Io 0.3 мА, Tj < 100 °C, тип.) |
| Струм обмеження Ilim | 200 мА (Vo 4.5 В, тип.) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |