Магазин
Мікросхема IP5306 , so-8
В наявності
36,66 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Injoinic |
| Вхідна напруга VIN | 4,75–5,5 В (тип. 5 В) |
| Струм зарядки | 2,1 А (тип.) |
| Напруга заряду акумулятора | 4,2 В (тип.) |
| Вихідна напруга boost | 5 В |
| Вихідний струм boost | 2,1 А при VBAT 3,7 В |
| Частота перемикання | 500 кГц (тип.) |
| Робоча температура TA | 0…70 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
| Корпус (докладно) | SO-8 (у даташиті eSOP8) |
Мікросхема IP5108 ( IP5108E ) , so-16
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Injoinic |
| Макс. струм заряду | 2,1 А (IP5108) / 1 А (IP5108E) |
| ККД підвищувального перетворювача | до 95 % (вхід 3,7 В, вихід 5 В / 1 А: 94 %) |
| ККД заряду | до 96 % |
| Частота перетворювача | 650 кГц |
| Напруга заряду акумулятора | 4,2 В (±0,5 %) |
| Вхідна напруга VIN | 4,5–5,5 В |
| Робоча напруга акумулятора | 3,0–4,4 В |
| Опір PMOS | 50 мОм |
| Опір NMOS | 30 мОм |
| Струм очікування | 50 мкА (порожнє навантаження) |
| Робоча температура | 0–70 °C |
| Корпус | ESOP16L, 16 виводів |
Мікросхема ICE3BR4765J оригінал ( заміна для ICE3BR4765JZ , ICE3RBR4765J ), DIP8
В наявності
160,27 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vds (CoolMOS) | 650 В |
| Rds(on) вбудованого CoolMOS (тип.) | 4.70 Ом (Tj 25 °C) |
| Частота перемикання | 65 кГц (фіксована; з jitter 56.5–73.5 кГц, Tj 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 75 % |
| Макс. вихідна потужність, вхід 230 В AC ±15 % | 27 Вт (розрахункова, Ta 50 °C, Tj 125 °C, без мідного тепловідводу) |
| Імпульсний струм стоку | 2.32 А |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 27 В |
| Тепловий опір перехід–середовище | 90 К/Вт (корпус PG-DIP-8) |
| Температура переходу (макс.) | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP150N06 оригінал(Заміна для CS150N06 ), TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 60 В (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 150 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 95 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 146 нКл макс. (VDS = 44 В, ID = 62 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4377 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 210 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE3B1565J ( ICE3B1565 ) оригінал, DIP8
В наявності
116,09 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 650 В (абсолютний максимум, Tj = 110 °C) |
| V(BR)DSS | 600 В мінімум (Tj = 25 °C) |
| Rds(on) типове | 1,70 Ом (Tj = 25 °C, ID = 1,5 А) |
| Частота перетворення | 67 кГц (типове) |
| Поріг вмикання VCC | 18,0 В |
| Поріг вимикання VCC | 10,3 В |
| Максимальна VCC | 27 В (абсолютний максимум) |
| Вихідна потужність (230 В AC ±15 %) | 42 Вт (Ta = 75 °C, Tj = 125 °C, без мідного радіатора) |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE3B0365JG smd
В наявності
52,17 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму з MOSFET (CoolSET) |
| Напруга Vds | 650 В |
| Rds(on) | 6,45 Ом при Tj 25 °C |
| Макс. вхідна потужність (230 В AC ±15 %) | 22 Вт |
| Макс. вхідна потужність (85–265 В AC) | 10 Вт |
| Частота перетворення | 67 кГц |
| Макс. шпаруватість | 75 % |
| Поріг вмикання VCC | 18,0 В |
| Поріг вимикання VCC | 10,3 В |
| Макс. VCC | 27 В |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Корпус | PG-DSO-12 (smd) |
Мікросхема ICE3A1065ELJ ( 3A1065ELJ , ICE3A1065LJ , ICE3A1065L ) оригінал, DIP8
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | CoolSET-F3 |
| Корпус | DIP8 |
| Маркування | 3A1065ELJ |
| Напруга стік-витік Vds (макс.) | 650 В при Tj 110 °C |
| Rds(on), тип. | 2.95 Ом при Tj 25 °C |
| Імпульсний струм стоку | 3.4 А (Tj 150 °C) |
| Частота перетворення | 100 кГц з частотним джитером |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 75 % |
| Напруга живлення VCC (абс. макс.) | 27 В |
| Поріг вимикання VCC | 10.5 В |
| Макс. вихідна потужність, 230 В AC ±15 % | 32 Вт |
| Макс. вихідна потужність, 85–265 В AC | 16 Вт |
| Температура переходу Tj | -40…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE2QS02G ( 2QS02G ) оригінал, so-8
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | SO-8 |
| Маркування | 2QS02G |
| Тип | квазірезонансний ШІМ-контролер без вбудованого ключа |
| Напруга живлення VCC (абс. макс.) | 27 В |
| VCC, робочий діапазон (макс.) | 25 В |
| Поріг вмикання VCC | 12.0 В тип. (діапазон 11.3–12.7 В) |
| Напруга виводу GATE (абс. макс.) | 10.0 В |
| Час наростання GATE | 70 нс тип. (COUT 2.2 нФ) |
| Час спаду GATE | 30 нс тип. (COUT 2.2 нФ) |
| Макс. період комутації | 50 мкс тип. (діапазон 42–57 мкс) |
| Температура переходу Tj | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE2QR2280Z оригінал ( 2QR2280Z ) , DIP7
В наявності
215,26 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | CoolSET-Q1 |
| Корпус | DIP7 |
| Маркування | 2QR2280Z |
| Напруга стік-витік Vds (макс.) | 800 В при Tj 25 °C |
| Rds(on), тип. | 2.26 Ом при Tj 25 °C (макс. 2.62 Ом) |
| Імпульсний струм стоку | 4.9 А (тривалість обмежена Tj max) |
| Напруга живлення VCC (абс. макс.) | 27 В |
| Поріг захисту від перенапруги VCC | 25.0 В тип. (діапазон 24.0–26.0 В) |
| Частота в режимі Active Burst | 52 кГц тип. (діапазон 39–65 кГц) |
| Макс. вихідна потужність, 230 В AC ±15 % | 54 Вт |
| Макс. вихідна потужність, 85–265 В AC | 31 Вт |
| Температура переходу Tj | -40…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE2QR0665 ( 2QR0665 , ICE2QR0665J ) оригінал, DIP8
В наявності
145,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Квазірезонансний ШІМ-контролер з MOSFET (CoolSET) |
| Напруга Vds | 650 В |
| Rds(on) | 0,65 Ом при Tj 25 °C, ID 2,5 А |
| Макс. вхідна потужність (230 В AC ±15 %) | 88 Вт |
| Макс. вхідна потужність (85–265 В AC) | 50 Вт |
| Поріг вмикання VCC | 18,0 В |
| Поріг вимикання VCC | 10,5 В |
| Макс. VCC | 27 В |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE2B365 , DIP8
В наявності
98,23 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | DIP8 |
| Макс. напруга стоку CoolMOS | 650 В (Tj 110 °C) |
| Rds(on) тип. | 0,45 Ом (Tj 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 23,3 А |
| Макс. потужність у БЖ | 67 Вт (230 В AC ±15 %, Ta 75 °C, Tj 125 °C, мідь 6 см²) |
| Частота перетворення | 67 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 0,72 |
| Поріг вмикання VCC | 13,5 В |
| Макс. VCC (абсолютна) | 22 В |
Мікросхема ICE2B265 ( 2B265 ) , DIP8
В наявності
79,43 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | DIP8 |
| Макс. напруга стоку CoolMOS | 650 В (Tj 110 °C) |
| Rds(on) тип. | 0,9 Ом (Tj 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 9,8 А |
| Макс. потужність у БЖ | 52 Вт (230 В AC ±15 %, Ta 75 °C, Tj 125 °C, мідь 6 см²) |
| Частота перетворення | 67 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 0,72 |
| Поріг вмикання VCC | 13,5 В |
| Макс. VCC (абсолютна) | 22 В |