Магазин
Мікросхема DS1307Z , smd
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення Vcc | 4.5–5.5 В |
| Напруга резервної батареї Vbat | 2.0–3.5 В |
| Струм у режимі резервного живлення | менше 500 нА (генератор працює) |
| Інтерфейс | двопровідний послідовний (I2C) |
| Пам'ять RAM з батарейним живленням | 56 байт |
| Кварцовий резонатор | 32.768 кГц (зовнішній) |
| Температурний діапазон (комерційний) | 0…+70 °C |
| Температурний діапазон (промисловий) | -40…+85 °C |
Мікросхема DS1307 , DIP8
В наявності
39,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення Vcc | 4.5–5.5 В |
| Напруга резервної батареї Vbat | 2.0–3.5 В |
| Струм у режимі резервного живлення | менше 500 нА (генератор працює) |
| Інтерфейс | двопровідний послідовний (I2C) |
| Пам'ять RAM з батарейним живленням | 56 байт |
| Кварцовий резонатор | 32.768 кГц (зовнішній) |
| Температурний діапазон (комерційний) | 0…+70 °C |
| Температурний діапазон (промисловий) | -40…+85 °C |
Мікросхема DRV632 , TSSOP-14
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Вихідна напруга | 2 В (RMS), навантаження 10 кОм, живлення 3,3 В |
| THD+N | < 0,01 % (2 В RMS на 10 кОм) |
| Відношення сигнал/шум | > 90 дБ |
| Мінімальний опір навантаження | 600 Ом |
| Діапазон підсилення | від -1 до -10 В/В |
| Напруга живлення VDD | 3,0–3,6 В |
| Корпус | TSSOP-14 (PW) |
Мікросхема DP104C оригінал , TO220-5
В наявності
80,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | контролер імпульсного БЖ (Switch Control IC) |
| Корпус | TO220-5 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема DM311 , DIP8 (Заміна для M605)
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга BVdss | 650 В |
| Струм стоку Id | 0.5 А (Tc 25 °C); 0.32 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 1.5 А (Ta 25 °C) |
| Rds(on) | 14 Ом (Vgs 10 В, Id 0.5 А) |
| Робоча частота | 67 кГц |
| Розсіювана потужність | 1.4 Вт (Ta 25 °C) |
| Корпус | DIP8 |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
Мікросхема DM07652R , TO220F
В наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 650 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 3.8 А (Tc 25 °C); 2.4 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 15 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 1.4 Ом, макс. 1.6 Ом (Vgs 10 В, Id 2.5 А) |
| Робоча частота | 66 кГц (60–72 кГц) |
| Струм обмеження | 2.5 А (2.2–2.8 А) |
| Корпус | TO-220F-6L |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
Мікросхема DM0565R оригінал,TO220-6 ( заміна для GM0565R )
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO220-6 |
| Напруга стік–витік BVDSS | 650 В (мін., Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Rds(on) | 1.76 Ом тип., 2.2 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 2.5 А) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 11 А (Tc 25 °C) |
| Частота перемикання | 66 кГц (60–72 кГц), Vfb 3 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 80 % (75–85 %) |
| Обмеження піку струму | 2.25 А (2.0–2.5 А), Vfb 5 В, Vcc 14 В |
| Макс. напруга живлення Vcc | 20 В |
| Пороги Vcc запуск / зупинка | 12 / 8 В |
| Розсіювана потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C, з радіатором) |
| Потужність в адаптері | 60 Вт (закритий, 230 В AC ±15 %, 50 °C); 70 Вт у відкритій конструкції |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема DM0465R , TO220-6 демонтаж
В наявності
44,18 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO220-6 |
| Напруга стік–витік BVDSS | 650 В |
| Rds(on) макс. | 2.6 Ом |
| Постійний струм стоку | 2.2 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 9.6 А (Tc 25 °C) |
| Частота перемикання | 66 кГц (60–72 кГц), Vfb 3 В |
| Макс. напруга живлення Vcc | 20 В |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема DM0365R , DIP8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга стік–витік BVDSS | 650 В |
| Rds(on) | 3.6 Ом тип., 4.5 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 0.5 А, 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 12.0 А |
| Частота перемикання | 67 кГц (61–73 кГц), 25 °C |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % (71–83 %) |
| Обмеження піку струму Ilim | 2.15 А (1.89–2.41 А) |
| Старт живлення Vcc | 12 В |
| Розсіювана потужність Pd | 1.56 Вт |
| Потужність в адаптері | 19 Вт (закритий, 230 В AC ±15 %, 50 °C); 30 Вт у відкритій конструкції |
Мікросхема DL0165R , DIP8
В наявності
52,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга стік–витік BVDSS | 650 В (VGS=0 В, ID=50 мкА, Ta 25 °C, мін.) |
| Опір RDS(on) | 8.0 Ом тип., 10.0 Ом макс. (VGS=10 В, ID=0.5 А, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку IDM | 4.0 А |
| Частота перетворення | 50 кГц (45–55) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % (71–83) |
| Макс. напруга живлення Vcc | 20 В |
| Розсіювана потужність Pd | 1.25 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема DK3113 , DIP8
В наявності
43,71 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Shenzhen Dongke Semiconductor Co., Ltd. |
| Корпус | DIP8 |
| Вхідна напруга AC | 85–265 В |
| Макс. вихідна потужність | 15 Вт (вхід AC 85–265 В) |
| Напруга вбудованого силового ключа | 700 В |
| Допустима напруга ключа | 730 В (граничне значення) |
| Струм силового ключа | 1.5 А (граничне значення) |
| Робоча напруга Vcc | 4–6 В |
| Частота перемикання | 65 кГц |
Мікросхема DK124T ( DK124 ) оригінал ( заміна для CSC7224 ) , DIP8
В наявності
33,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Anhui Dongke Semiconductor Co., Ltd |
| Корпус | DIP8 |
| Вхідна напруга мережі | 90–265 В AC |
| Пробивна напруга вбудованого транзистора | 700 В (Ioc 1 мА, мін.) |
| Частота ШІМ | 65 кГц (VCC 5 В, Fb 1.5–2.5 В) |
| Типова вихідна потужність | 18 Вт (вхід 90–265 В AC, тест при 45 °C) |
| Піковий струм (макс.) | 1300 мА |
| Потужність розсіювання Pd | 1000 мВт |
| Напруга живлення Vcc (макс.) | 8 В |
| Робоча температура корпусу | -25…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема DK1203 , DIP8
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | AC-DC контролер flyback зі вбудованим транзистором |
| Виробник | Dongke Semiconductor (Anhui) Co., Ltd |
| Корпус | DIP8 |
| Вхідна напруга мережі | 85–264 В AC |
| Пробивна напруга транзистора (Ioc 1 мА, мін.) | 700 В |
| Частота ШІМ | 65 кГц |
| Вихідна потужність (вхід 85–264 В AC, 45 °C) | 12 Вт |
| Вихідна потужність, друга версія | 15 Вт |
| Піковий струм (макс.) | 800 мА |
| Струм захисту за піком (типово) | 720 мА |
| Pd | 1000 мВт |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 8 В |
| Робоча температура | -25…125 °C |
Мікросхема DK112 , DIP8 ( Заміна для DK106 )
В наявності
33,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер зі вбудованим BJT |
| Виробник | Shenzhen Dongke Semiconductor Co., Ltd |
| Корпус | DIP8 |
| Вхідна напруга мережі | 85–265 В AC |
| Частота генератора | 65 кГц |
| Вихідна потужність (макс., вхід 85–264 В AC) | 12 Вт |
| Вихідна потужність (макс., вхід 85–145 В AC або 180–264 В AC) | 18 Вт |
| Напруга живлення Vcc (макс.) | 9 В |
| Напруга колектор–земля (макс.) | 780 В |
| Піковий струм (макс.) | 800 мА |
| Pd | 1000 мВт |
| Споживання в режимі очікування | <0.3 Вт |
Мікросхема DH321 , DIP8
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер зі вбудованим ключем SENSEFET |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга ключа BVDSS | 650 В |
| Частота перетворення | 100 кГц |
| Rds(on) | 14 Ом |
| Id (Tc 25 °C) | 0.7 А |
| Id (Tc 100 °C) | 0.32 А |
| Idm | 1.5 А |
| Напруга живлення Vcc (макс., Ta 25 °C) | 20 В |
| Pd (Ta 25 °C) | 1.40 Вт |
| Робоча температура | -25…85 °C |
Мікросхема DH0265R , DIP8
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Виробник | Fairchild (onsemi) |
| Напруга Drain / Vstr (макс.) | 650 В, Ta 25 °C |
| Імпульсний струм стоку | 8.0 А, Ta 25 °C |
| Rds(on) | 5.0 Ом (тип.), 6.0 Ом (макс.), Vgs 10 В, Id 0,5 А |
| Частота перетворення | 92 / 100 / 108 кГц (мін. / тип. / макс.) |
| Напруга живлення Vcc (макс.) | 20 В, Ta 25 °C |
| Поріг UVLO (запуск) | 12 В |
| Розсіювана потужність | 1.56 Вт, Ta 25 °C |
| Робоча температура | -25…+85 °C |
Мікросхема DAP018A , so-14
В наявності
68,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | SO-14 |
| Корпус (докладно) | SOIC-14 (D suffix, CASE 751A) |
| Частота перетворення | 65 кГц (версія A) |
| Мін. частота при малому навантаженні | 25 кГц |
| Макс. напруга живлення VCC | 28 В |
| Макс. напруга на виводі HV (14) | 500 В |
| VCC увімкнення | 15 В (14–16 В, TJ 25 °C) |
| Піковий струм драйвера, джерело | 500 мА (VDRV = 10,5 В) |
| Піковий струм драйвера, стік | 800 мА (VDRV = 0 В) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–повітря | 120 °C/Вт |