Магазин
Транзистор SVG086R0NT ( 086R0NT , SVG086RONT , 086RONT ) оригінал, TO220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Напруга Vds | 80 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 120 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 76 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 5.0 мОм тип., макс. 6.0 мОм (VGS = 10 В, ID = 50 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 66 нКл тип. (VDD = 64 В, VGS = 10 В, ID = 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3896 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 156 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 07N60C3 ( SPA07N60C3 ) оригінал, TO220F
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 0.25 мА) |
| Струм Id (25 °C) | 7.3 А (Tc 25 °C, версія SPA) |
| Струм Id (100 °C) | 4.6 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.54 Ом тип., макс. 0.6 Ом (VGS = 10 В, ID = 4.6 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 21 нКл тип., макс. 27 нКл (VDD = 480 В, ID = 7.3 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 790 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 32 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SLF20N65S оригінал, TO220F
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Польовий транзистор (MOSFET) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SLF13N50A оригінал ( заміна для SLF13N50C ), TO220F
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Maplesemi |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 13 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 6.4 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.483 Ом тип., макс. 0.650 Ом (VGS = 10 В, ID = 5 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 19.1 нКл тип. (VDS = 400 В, ID = 10 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1066 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 32.5 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SFP4024T оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HI-SEMICON |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 40 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 240 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 2.0 мОм тип., 2.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 60 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.2–3.8 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 109 нКл (Vds 32 В, Id 50 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5620 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | Vsd 1.2 В макс.; trr 30 нс (Is 50 А, Vgs 0 В) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MPF13N50 оригінал, TO220F
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Minos |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 13 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.55 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6,5 А) |
| Vgs(th) | 2.0 В мін., 3.0 В тип., 4.0 В макс. (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл (Vds 400 В, Id 13 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2315 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MMBTA44 (маркування 3D ) , sot23
В наявності
17,39 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | KEC |
| Напруга Vceo | 400 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 450 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 300 мА (Ta 25 °C) |
| hFE | 50–200 (Vce 10 В, Ic 10 мА) |
| Потужність Pd | 350 мВт (Ta 25 °C, алюмінієва підкладка 10×8×0,6 мм) |
| Vce(sat) | 0,5 В макс. (Ic 10 мА, Ib 1 мА) |
| fT | 20 МГц мін. (Vce 10 В, Ic 10 мА, f 10 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор KNP2404A оригінал, TO220
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KIA Semicon Tech |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 190 А (Tc 25 °C, обмеження кристалом; обмеження корпусом 120 А) |
| Струм Id (100 °C) | 109 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 2.2 мОм тип., 3.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 30 А) |
| Vgs(th) | 2 В мін., 4 В макс. (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл (Vds 40 В, Vgs 10 В, Id 32 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6010 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 123 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG016N04LS1W ( HYG016N04 , G016N04 , HYG016N04W ) оригінал, TO247
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N-канал, підсилення |
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 290 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 205 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 1.2 мОм тип., 1.5 мОм макс. (Id 40 А) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 1.6 мОм тип., 2.0 мОм макс. (Id 40 А) |
| Vgs(th) | 1 В мін., 1.8 В тип., 3 В макс. (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл (Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5538 пФ (Vds 25 В, f 500 кГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GP039N12S ( HGP039N12S ) оригінал, TO220
В наявності
263,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Hunteck |
| Напруга Vds | 120 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 197 А при Tc 25 °C (обмеження кристалом, корпусом 180 А); 139 А при Tc 100 °C |
| Опір Rds(on) | 3.6 мОм тип., 4.2 мОм макс. TO-220 (VGS 10 В, ID 20 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VGS = VDS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 68 нКл (VDD 60 В, ID 20 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6427 пФ (Vds 60 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 357 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GL21N50 ( 21N50 ) оригінал, TO220F
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 21 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 13,1 А) | 0,19 Ом (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 34,5 Вт |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GL21N50 ( 21N50 ) оригінал, TO220
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 21 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 13,1 А) | 0,19 Ом (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 208 Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GL150N04 ( 150N04 ) оригінал, TO220
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP130N10 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 100 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 130 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 40 А) | 7,5 мОм (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±25 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHF20N50 оригінал (заміна для HF20N50 ) , TO220F
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.28 Ом тип., 0.34 Ом макс. (VGS 10 В, ID 10 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–4.0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 71 нКл (VDD 400 В, ID 20 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2250 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 98 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | Є: Vsd макс. 1.4 В (IS 18 А, VGS 0 В) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FGH75T65 ( FGH75T65SQDT ) оригінал демонтаж б/в (заміна для FGH75T65SQD , FGH75T65SHD , FGH75T65SHDT , FGH75T65MQDT , FGH75T65UPD ), TO247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT Field Stop Trench 4-го покоління, з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм IC (25 °C) | 150 А |
| Струм IC (100 °C) | 75 А |
| Імпульсний струм ICM | 300 А |
| Vce(sat) | 1.6 В тип., 2.1 В макс. (IC = 75 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 128 нКл (VCE = 400 В, IC = 75 А) |
| Вхідна ємність Cies | 4845 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FGA60N65SMD оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | IGBT Field Stop, з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм IC (25 °C) | 120 А |
| Струм IC (100 °C) | 60 А |
| Імпульсний струм ICM | 180 А |
| Vce(sat) | 1.9 В тип., 2.5 В макс. (IC = 60 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 189 нКл (VCE = 400 В, IC = 60 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2915 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 600 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SK3504 ( K3504 ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Виробник | Fuji Electric |
| Напруга Vds | 500 В (ID 250 мкА, VGS 0 В) |
| Струм стоку Id | 16 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.35 Ом тип., 0.46 Ом макс. (ID 7 А, VGS 10 В, Tch 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (ID 250 мкА, VDS = VGS) |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл тип., 50 нКл макс. (VCC 250 В, ID 14 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ |
| Потужність Pd | 225 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | Є: Vsd 1.0 В тип., 1.5 В макс., trr 0.65 мкс (IF 14 А, VGS 0 В) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC2655G ( 2SC2655G-Y-AB3-R ) оригінал, sot89
В наявності
34,78 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | UTC (Unisonic Technologies) |
| Напруга Vceo | 50 В (Ic 10 мА, Ib 0) |
| Струм Ic | 2 А постійний; імпульсний 3 А (PW ≤ 16 мс, шпаруватість ≤ 50 %) |
| Потужність Pd | 500 мВт (корпус SOT-89) |
| Vce(sat) | 0,5 В макс. (Ic 1 А, Ib 0,05 А) |
| Vbe(sat) | 1,2 В макс. (Ic 1 А, Ib 0,05 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | SOT-89 |
| Стан | Оригінал |
Оптрон TLP152 ( P152 , TLP152(TPL,E ) , 5pin
В наявності
64,86 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип виходу | буферний, totem-pole (джерело і стік струму) |
| Піковий вихідний струм | ±2,5 А (абсолютний максимум, Ta -40…100 °C) |
| Напруга живлення Vcc | 10–30 В (рекомендовані умови) |
| Струм споживання | 3,0 мА (макс.) |
| Робочий вхідний струм | 10–15 мА |
| Затримка tpHL | 190 нс (макс.) при IF = 10 → 0 мА, Vcc = 30 В |
| Затримка tpLH | 170 нс (макс.) при IF = 0 → 10 мА, Vcc = 30 В |
| Напруга ізоляції BVS | 3750 В (діюче, мін.) |
| Робоча температура | -40…100 °C |
| Корпус | SO6 (5 виводів), 11-4L1S |
| Маркування | P152 |
Мікросхема NSI8221N0D ( NSI8221N0-DSPR , NSI8221NOD , NSI8221NO-DSPR ) оригінал, sop8
В наявності
66,74 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Двоканальний цифровий ізолятор: 1 канал прямий, 1 зворотний |
| Виробник | NOVOSENSE |
| Напруга ізоляції | 3,75 кВ |
| Швидкість передачі даних | 0–150 Мбіт/с |
| Напруга живлення VDD1, VDD2 | 2,5–5,5 В |
| Стан виходу за замовчуванням | низький рівень (варіант N0) |
| Затримка поширення tPLH / tPHL | 9,9 / 8,7 нс (тип.), 18 нс (макс.) |
| Стійкість до синфазних перешкод CMTI | 250 кВ/мкс |
| Струм споживання на канал | 1,5 мА при 1 Мбіт/с |
| Робочий діапазон температур | −55…125 °C |
| Захист від ESD (HBM) | ±8 кВ |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOP8, 150 mil, 4,90 × 3,90 мм |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LM393 3PEAK ( LM393-SR ) оригінал, so-8
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Два незалежні компаратори, вихід з відкритим колектором |
| Виробник | 3PEAK |
| Кількість каналів | 2 |
| Напруга живлення | 2–36 В (одне джерело) або ±1–±18 В (двополярне) |
| Макс. різниця напруг живлення V+ − V− | 42 В |
| Струм споживання на компаратор | 150 мкА (тип.) / 300 мкА (макс.), VCC = 5 В |
| Напруга зміщення входу VOS | ±3 мВ (макс.) |
| Вхідний струм зміщення IB | 4 нА (тип.) |
| Вихідна напруга низького рівня VOL | 250 мВ (тип.) / 400 мВ (макс.), IOL = 4 мА, VID = −1 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Робочий діапазон температур | −40…125 °C |
| Захист від ESD | 2 кВ (HBM) / 2 кВ (CDM) |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ID5S609 ( ID5S609SEC-R1 ) оригінал, so-8
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Драйвер двох N-канальних MOSFET або IGBT у напівмостовій схемі |
| Виробник | IDRIVER |
| Робоча напруга силового каскаду | до 600 В |
| Напруга живлення драйвера | 10–20 В |
| Струм виходу IO+ | 400 мА |
| Струм виходу IO− | 800 мА |
| Вхідна логічна «1» VIH | 2,3 В (мін.) |
| Вхідний логічний «0» VIL | 0,8 В (макс.) |
| Затримка вмикання/вимикання | 220 нс (тип.) |
| Стійкість до dV/dt | ±50 В/нс |
| Потужність розсіювання Pd | 0,625 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Робочий діапазон температур | −40…125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема BTS6163D ( 6163D ) оригінал демонтаж, TO252-5
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | TO252-5L |
| Робоча напруга Vbb(on) | 5,5–62 В (VIN = 0, Tj −40…150 °C) |
| RON | 16 мОм тип. / 20 мОм макс. (VIN = 0, Vbb 12–24 В, IL = 7,5 А, Tj 25 °C) |
| RON при Vbb = 5,5 В | 19 мОм тип. / 25 мОм макс. (IL = 7,5 А, Tj 25 °C) |
| Номінальний струм IL(nom) | 5,5 А мін. / 6,5 А тип. (TA = 85 °C) |
| Обмеження струму IL12(SC) | 70 А |
| Струм спокою Ibb(off) | 3 мкА тип. / 6 мкА макс. (Tj −40…+120 °C) |
| Потужність Ptot | 59 Вт |
| EAS | 0,25 Дж (IL = 20 А, Vbb = 24 В, Tj = 150 °C) |
| ESD | 3,0 кВ |
| Тепловий опір RthJC | 1,1 К/Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |