Магазин
Транзистор S60N15R оригінал, TO220(60V,155A)
В наявності
101,05 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (VGS 0, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 155 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 98 А |
| Опір Rds(on) | 3.5 мОм тип. (макс. 4.2), VGS 10 В, ID 40 А |
| Заряд затвора Qg | 114 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 4400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2.4–3.6 В |
| Потужність Pd | 208 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N |
| Виробник | SI-TECH |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50 оригінал , TO-3P
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (QFET) |
| Виробник | Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor) |
| Напруга Vdss | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 24 А (Tc 25 °C); 15.2 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 96 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 200 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл типово (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Розсіювана потужність Pd | 290 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P (у datasheet TO-3PN) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SK2372 ( K2372 ) оригінал демонтаж(500V,25A), TO-3P
В наявності
165,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В (для 2SK2372) |
| Струм стоку Id (DC) | 25 А |
| Опір Rds(on) | 0.22 Ом типово, макс. 0.27 Ом (VGS 10 В, ID 13 А) |
| Заряд затвора Qg | 95 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 3600 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(off) | 2.5–3.5 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 160 Вт |
| Tch max | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 500 нс |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | NEC |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема AS15-G , TQFP-48
В наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | E-CMOS |
| Корпус | TQFP-48 |
| Кількість каналів | 14+1 |
| Напруга живлення | 6.5–18 В |
| Напруга Vs макс. | 18 В (між VS+ та VS-, абсолютний максимум) |
| Швидкість наростання | 1 В/мкс |
| Добуток підсилення на смугу | 1 МГц |
| Смуга –3 дБ | 2 МГц |
| Струм виходу Vcom-буфера | ±100 мА (макс.) |
| Струм виходу буфера | ±30 мА (абсолютний максимум, безперервний) |
| Робоча температура | –20…+85 °C |
| Температура зберігання | –65…+150 °C |
Мікросхема AS15-F , TQFP-48 ( AS15-U , EC5575 , HX8915 , RM5101 )
В наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | E-CMOS |
| Корпус | TQFP-48 |
| Кількість каналів | 14+1 |
| Напруга живлення | 6.5–18 В |
| Напруга Vs макс. | 18 В (між VS+ та VS-, абсолютний максимум) |
| Швидкість наростання | 1 В/мкс |
| Добуток підсилення на смугу | 1 МГц |
| Смуга –3 дБ | 2 МГц |
| Струм виходу Vcom-буфера | ±100 мА (макс.) |
| Струм виходу буфера | ±30 мА (абсолютний максимум, безперервний) |
| Робоча температура | –20…+85 °C |
| Температура зберігання | –65…+150 °C |
Мікросхема APW7302B оригінал, so-8
В наявності
53,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ANPEC |
| Вхідна напруга | 4.5–24 В |
| Вихідна напруга | 0.92–20 В |
| Вихідний струм | 2 А (неперервний) |
| Опорна напруга | 0.92 В (0.90–0.94 В, на виводі FB, VIN=12 В, TA=25 °C) |
| Частота перемикання | 340 кГц (фіксована; 300–380 кГц при VIN=12 В, TA=25 °C) |
| Обмеження струму верхнього ключа | 3.5 А (типово, peak) |
| Струм споживання | 1.9 мА (VFB=1 В, VEN=3 В, VIN=12 В) |
| Макс. VIN (абс.) | 30 В |
| Робочий діапазон Tj | -40–125 °C |
| Робочий діапазон TA | -40–85 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
| Корпус (докладно) | SOP-8P (з тепловою площадкою, вивід 9) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема APW7142 оригінал, so-8
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Anpec Electronics |
| Вхідна напруга | 4.3–14 В |
| Вихідний струм | до 3 А |
| Вихідна напруга | від 0.8 В до Vin |
| Опорна напруга | 0.8 В (на виводі FB; точність системи ±2 %) |
| Опір вбудованих ключів | 70 мОм |
| Частота перетворення | 500 кГц (тип.; 450–550), Tj -40…125 °C, Vin 4.75–14 В |
| Піковий струм обмеження верхнього ключа | 5.5 А (тип.; 4.0–7.0) |
| ККД | до 95 % |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема APW7080 , so-8
В наявності
59,69 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Anpec Electronics |
| Вхідна напруга | 4.5–26 В |
| Вихідний струм | до 4 А |
| Вихідна напруга | від 0.8 В до 90 % Vin |
| Опорна напруга | 0.8 В (точність системи ±2.5 %) |
| Опір вбудованого ключа | 80 мОм |
| Частота перетворення | 380 кГц (тип.; 340–420), Vin 4.5–26 В, режим ШІМ |
| Піковий струм обмеження | 6.5 А (тип.; 5.0–8.0) |
| ККД | до 91 % |
| Корпус | ESOP-8 |
Мікросхема APA2068 , so-16
В наявності
47,94 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Стерео мостовий підсилювач НЧ з регулюванням гучності |
| Напруга живлення | 4.5–5.5 В |
| Вихідна потужність на канал | 2.6 Вт (тип.) при VDD 5 В, BTL, RL 4 Ом, THD+N 10 %, 1 кГц |
| Струм споживання | 9 мА (тип.; макс. 20) при VDD 5 В, TA 25 °C |
| Струм у режимі вимкнення | 1 мкА (тип.) при VDD 5 В, TA 25 °C |
| Регулювання гучності | від 20 до -80 дБ, 32 кроки |
| Корпус | SOP-16P |
Демонтаж
Мікросхема AP8022 демонтаж , DIP8
В наявності
30,08 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | AC-DC ШІМ-контролер з вбудованим силовим MOSFET |
| Вхідна мережа AC | 85–265 В |
| Вихідна потужність (безперервна) | 10 Вт, DIP8, 85–265 В AC, 12 В 800 мА |
| Напруга пробою ключа BVDSS | 750 В (мін.) при ISW 250 мкА |
| Опір ключа Rds(on) | 10 Ом (тип.) при ISW 400 мА, Tj 25 °C |
| Частота перетворення | 60 кГц (тип.) при TA 25 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема AP8012 ( AP8012C ) , so-8
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | AC-DC ШІМ-контролер з вбудованим силовим MOSFET |
| Вхідна мережа AC | 85–265 В |
| Напруга пробою ключа BVDSS | 750 В (мін.; тип. 820) при ISW 250 мкА, Tj 25 °C |
| Опір ключа Rds(on) | 18 Ом (тип.) при ISW 400 мА, Tj 25 °C |
| Частота перетворення | 45 кГц (тип.) при TA 25 °C |
| Піковий струм обмеження | 0.55 А (тип.) при TA 25 °C |
| Корпус | SO-8 |
