Магазин
Процесор 8821CPNG4NC8 ( TOSHIBA-HAY-06 )
В наявності
399,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер деталі | 8821CPNG4NC8 |
| Позначення в назві | TOSHIBA-HAY-06 |
| Тип | Процесор (мікроконтролер) для кінескопного ТВ |
Процесор 8821CPNG4JF7 ( HAIER8821-V1.0 )
В наявності
517,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер деталі | 8821CPNG4JF7 |
| Позначення прошивки | HAIER8821-V1.0 |
Демонтаж
Процесор 13-T18M28-02M01 ( 8891CSBNG6UR9 ) демонтаж
В наявності
705,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер деталі | 13-T18M28-02M01 |
| Позначення на корпусі | 8891CSBNG6UR9 |
| Стан | Демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GT30F123 ( 30F123 ) , TO220F оригінал ( 300V , 200A )
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 300 В |
| Імпульсний струм Icp | 200 А |
| Напруга насичення Vce(sat), тип. | 2,1 В |
| Вбудований діод | немає |
| Корпус | TO-220F |
| Позначення | 30F123 |
| Стан | Оригінал |
Рядковий трансформатор JF0501-1914 оригінал ( BSC25-0231 , BSC25-0205Y )
В наявності
399,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер деталі | JF0501-1914 |
| Альтернативний код | BSC25-0231, BSC25-0205Y |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3077 оригінал (Заміна для IRFB3077G )(75V,210A), TO220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | N-канальний MOSFET, HEXFET |
| Напруга Vds | 75 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id (кристал) | 210 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (корпус) | 120 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (кристал) при 100 °C | 150 А (Tc 100 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) тип. | 2.8 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 3.3 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл тип., 220 нКл макс. (ID = 75 А, VDS = 38 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 9400 пФ |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Діод UF5408 (1000V,3A,75ns) , корпус DO-27
В наявності
11,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay General Semiconductor |
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 1000 В (TA 25 °C) |
| Діюча напруга Vrms | 700 В (TA 25 °C) |
| Середній прямий струм If(av) | 3.0 А (виводи 9,5 мм, TA 55 °C) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 150 А (напівсинусоїда 8,3 мс) |
| Пряме падіння напруги Vf | 1.7 В (If 3,0 А, TA 25 °C, максимум) |
| Час зворотного відновлення trr | 75 нс (If 0,5 А, Ir 1,0 А, Irr 0,25 А, Tj 25 °C, максимум) |
| Ємність переходу Cj | 36 пФ (4,0 В, 1 МГц, типове) |
| Температура Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | DO-201AD |
| Корпус (докладно) | DO-27 (у datasheet DO-201AD) |
| Конфігурація | одиночний |
Діод UF4007 (1000V,1A,75ns)
В наявності
3,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay General Semiconductor |
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 1000 В (TA 25 °C) |
| Діюча напруга Vrms | 700 В (TA 25 °C) |
| Середній прямий струм If(av) | 1.0 А (виводи 9,5 мм, TA 55 °C) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 30 А (напівсинусоїда 8,3 мс) |
| Пряме падіння напруги Vf | 1.7 В (If 1,0 А, TA 25 °C, максимум) |
| Час зворотного відновлення trr | 75 нс (If 0,5 А, Ir 1,0 А, Irr 0,25 А, TA 25 °C, максимум) |
| Температура Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | DO-41 (DO-204AL) |
| Конфігурація | одиночний |
Діод STTH6003CW оригінал, TO247
В наявності
169,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Діод швидкий (ultrafast), здвоєний, спільний катод |
| Зворотна напруга Vrrm | 300 В (повторювана імпульсна) |
| Середній прямий струм If(av) | 30 А на один діод (Tc 135 °C, δ 0,5); 60 А на корпус |
| Ударний прямий струм Ifsm | 300 А (tp 10 мс, синусоїда) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 1.0 В (IF 30 А, Tj 125 °C) |
| Час зворотного відновлення trr (макс.) | 55 нс (Tj 25 °C, IF 1 А, dIF/dt –50 А/мкс, VR 30 В) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Конфігурація | 2 діоди, спільний катод |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Діод STTH30R03CG оригінал, D2PAK
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Діод швидкий (ultrafast), здвоєний, спільний катод |
| Корпус | D2PAK |
| Зворотна напруга Vrrm | 300 В (повторювана імпульсна) |
| Середній прямий струм If(av) | 15 А на один діод, Tc 120 °C; 30 А на корпус |
| Ударний прямий струм Ifsm | 120 А (tp 10 мс, синусоїда) |
| Пряма напруга Vf | 1,9 В макс. (If 15 А, Tj 25 °C); 1,4 В макс. (If 15 А, Tj 125 °C) |
| Час відновлення trr | 35 нс макс. (Tj 25 °C, IF 1 А, dIF/dt –50 А/мкс, VR 30 В) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Діод STTH2003CG оригінал, D2PAK
В наявності
110,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Діодна збірка швидкодіюча, 2 x 10 А, спільний катод |
| Корпус | D2PAK |
| Повторювана зворотна напруга VRRM | 300 В (на діод) |
| Середній прямий струм IF(AV) | 10 А на діод, 20 А на прилад (Tc 140 °C, δ = 0,5, D2PAK) |
| Ударний прямий струм IFSM | 110 А (tp 10 мс, синусоїда) |
| Пряма напруга VF | 1,25 В макс. (IF 10 А, Tj 25 °C); 1,0 В макс. (IF 10 А, Tj 125 °C) |
| Час відновлення trr | 25 нс макс. (IF 0,5 А, Irr 0,25 А, IR 1 А, Tj 25 °C) |
| Зворотний струм IR | 20 мкА макс. (VR 300 В, Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 2,5 °C/Вт на діод |
| Стан | Оригінал |
Діод SF28 (600V,2A,35ns)( Заміна для SF18 )
В наявності
4,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | JSCJ (Jiangsu Changjing Electronics Technology) |
| Тип | Діод швидкий (Super Fast Recovery), одиночний |
| Корпус | DO-15 |
| Повторювана зворотна напруга VRRM | 600 В |
| Середній прямий струм IF(AV) | 2,0 А (60 Гц напівсинусоїда, активне навантаження, TL 55 °C) |
| Ударний прямий струм IFSM | 50 А (60 Гц напівсинусоїда, 1 період, Ta 25 °C) |
| Пряма напруга VFM | 1,7 В макс. (IFM 2,0 А) |
| Час відновлення trr | 35 нс (IF 0,5 А, IR 1,0 А, Irr 0,25 А) |
| Зворотний струм IRRM | 5 мкА (TJ 25 °C), 50 мкА (TJ 125 °C), VRM = VRRM |
| Діапазон температур | -55…+150 °C |
Діод RU4Ds оригінал (демпф.Діод стр.розгортки ТВ)
В наявності
91,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | кремнієвий демпферний діод |
| Виробник | Sanken |
| Конфігурація | одиночний діод |
| Зворотна напруга VRM | 1300 В |
| Імпульсна зворотна напруга VRSM | 1350 В |
| Середній прямий струм IF(AV) | 1.5 А (Ta 60 °C, без радіатора); 2.5 А (Ta 60 °C, з радіатором) |
| Ударний струм IFSM | 50 А (10 мс, напівсинусоїда, одиночний імпульс) |
| Пряма напруга VF | 1.80 В макс. (IF 3,0 А, Ta 25 °C) |
| Зворотний струм IR | 50 мкА макс. (VR = VRM, Ta 25 °C); 500 мкА макс. (VR = VRM, Tj 100 °C) |
| Час відновлення trr | 0.4 мкс макс. (IF = IRP = 0,1 А, Ta 25 °C); 0.18 мкс макс. (IF 0,1 А, IRP 0,2 А, Ta 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–виводи | 8 °C/Вт макс. |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C (робочий діапазон від -40 до +150 °C) |
| Корпус | осьовий, у смоляному (Resin Molded) корпусі |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Діод RU4Ds оригінал демонтаж (демпф.Діод рядк.розгортки ТВ)
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | кремнієвий демпферний діод |
| Виробник | Sanken |
| Конфігурація | одиночний діод |
| Зворотна напруга VRM | 1300 В |
| Імпульсна зворотна напруга VRSM | 1350 В |
| Середній прямий струм IF(AV) | 1.5 А (Ta 60 °C, без радіатора); 2.5 А (Ta 60 °C, з радіатором) |
| Ударний струм IFSM | 50 А (10 мс, напівсинусоїда, одиночний імпульс) |
| Пряма напруга VF | 1.80 В макс. (IF 3,0 А, Ta 25 °C) |
| Зворотний струм IR | 50 мкА макс. (VR = VRM, Ta 25 °C); 500 мкА макс. (VR = VRM, Tj 100 °C) |
| Час відновлення trr | 0.4 мкс макс. (IF = IRP = 0,1 А, Ta 25 °C); 0.18 мкс макс. (IF 0,1 А, IRP 0,2 А, Ta 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–виводи | 8 °C/Вт макс. |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C (робочий діапазон від -40 до +150 °C) |
| Корпус | осьовий, у смоляному (Resin Molded) корпусі |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Діод RU4Ds (демпф.Діод стр.розгортки ТВ)
В наявності
13,63 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | кремнієвий демпферний діод |
| Виробник | Sanken |
| Конфігурація | одиночний діод |
| Зворотна напруга VRM | 1300 В |
| Імпульсна зворотна напруга VRSM | 1350 В |
| Середній прямий струм IF(AV) | 1.5 А (Ta 60 °C, без радіатора); 2.5 А (Ta 60 °C, з радіатором) |
| Ударний струм IFSM | 50 А (10 мс, напівсинусоїда, одиночний імпульс) |
| Пряма напруга VF | 1.80 В макс. (IF 3,0 А, Ta 25 °C) |
| Зворотний струм IR | 50 мкА макс. (VR = VRM, Ta 25 °C); 500 мкА макс. (VR = VRM, Tj 100 °C) |
| Час відновлення trr | 0.4 мкс макс. (IF = IRP = 0,1 А, Ta 25 °C); 0.18 мкс макс. (IF 0,1 А, IRP 0,2 А, Ta 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–виводи | 8 °C/Вт макс. |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C (робочий діапазон від -40 до +150 °C) |
| Корпус | осьовий, у смоляному (Resin Molded) корпусі |
Діод RU3AM (600V,1.5A,400ns)
В наявності
23,97 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken Electric |
| Тип | Діод кремнієвий (меза), імпульсне випрямлення |
| Пікова зворотна напруга VRM | 600 В |
| Імпульсна зворотна напруга VRSM | 650 В |
| Середній прямий струм IF(AV) | 1,5 А |
| Піковий струм IFSM | 50 А, 10 мс |
| Пряма напруга VF (макс.) | 1,1 В при IF 1,5 А |
| Час зворотного відновлення trr | 400 нс |
| Температура переходу Tj | -40…150 °C |
| Корпус | осьовий, вивідний |
Діод RHRP1560 оригінал ( заміна для RHRP1540 ), TO220-2pin
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | Діод швидкий (hyperfast) |
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 600 В при TC 25 °C |
| Середній прямий струм IF(AV) | 15 А при TC 140 °C |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 2,1 В при IF 15 А, TC 25 °C; 1,7 В при IF 15 А, TC 150 °C |
| Час зворотного відновлення trr (макс.) | 40 нс при IF 15 А, dIF/dt 100 А/мкс |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Температура переходу Tj | -65…175 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Діод RFN20NS3SW ( RFN20 NS3SW ) оригінал демонтаж, D2PAK
В наявності
131,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM Semiconductor |
| Тип | Діод швидкий (Super Fast Recovery) |
| Зворотна напруга VR | 350 В (постійна напруга) |
| Середній прямий струм | 20 А |
| Пряма напруга VF (макс.) | 1,35 В при IF 20 А |
| Конструкція | кремнієвий епітаксіальний планарний |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Діод RFN10NS3S , D2PAK
В наявності
65,33 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Корпус | D2PAK |
| Конфігурація | одиночний, спільний катод виводів 1-3 |
| Повторювана зворотна напруга VRM | 350 В (Duty 0.5) |
| Зворотна напруга VR (DC) | 350 В |
| Ударний струм IFSM | 100 А (60 Гц, один період, Tj=25 °C) |
| Пряма напруга VF | 1.5 В макс. (IF=10 А, Tj=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 4.0 °C/Вт |
Діод RF2001T3D (RF2001,F2001) оригінал , TO220F-3pin (350V,20A)(заміна для MURF1620CT )
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Корпус | TO-220FN |
| Конфігурація | здвоєний |
| Повторювана зворотна напруга VRM | 350 В |
| Зворотна напруга VR (DC) | 300 В |
| Середній прямий струм Io | 20 А (Tc=113 °C, половина Io на діод) |
| Ударний струм IFSM | 100 А (60 Гц, 1 період) |
| Пряма напруга VF | 1.3 В макс. (IF=10 А, Ta=25 °C) |
| Час зворотного відновлення trr | 25 нс макс. (IF=0.5 А, IR=1 А, Irr=0.25×IR) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Діод RF2001NS3SW ( RF2001N3D , RF2001NS3D ) оригінал демонтаж, D2PAK (350V,20A)
В наявності
63,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Корпус | D2PAK |
| Конфігурація | здвоєний, спільний катод |
| Повторювана зворотна напруга VRM | 350 В (Duty 0.5) |
| Зворотна напруга VR (DC) | 300 В |
| Середній прямий струм Io | 20 А (Tc=90 °C, половина Io на діод) |
| Ударний струм IFSM | 100 А (60 Гц, один період, Tj=25 °C) |
| Пряма напруга VF | 1.3 В макс. (IF=10 А, Tj=25 °C, на діод) |
| Час зворотного відновлення trr | 25 нс макс. (IF=0.5 А, IR=1 А, Irr=0.25×IR) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 2 °C/Вт |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Діод RF1501 ( RF1501NS3S , RF1501NP3S ) , D2PAK
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Корпус | D2PAK |
| Конфігурація | одиночний |
| Повторювана зворотна напруга VRM | 350 В (шпаруватість 0.5) |
| Постійна зворотна напруга VR | 300 В (Tc 25 °C) |
| Середній прямий струм Io | 20 А (60 Гц напівсинусоїда, Tc 54 °C) |
| Імпульсний струм IFSM | 100 А (60 Гц напівсинусоїда, Tj 25 °C) |
| Пряма напруга VF (макс.) | 1.5 В (IF 20 А, Tj 25 °C) |
| Зворотний струм IR (макс.) | 10 мкА (VR 300 В, Tj 25 °C) |
| Час відновлення trr (макс.) | 30 нс (IF 0.5 А, IR 1 А, Irr 0.25·IR, Tj 25 °C), типово 22 нс |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2.5 °C/Вт |
| Температура переходу Tj (макс.) | 150 °C |
Діод RD2006 ( RD2006FR ) (600V,20A,50ns) , TO220F-2pin
В наявності
112,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SANYO |
| Корпус | TO-220F-2L |
| Конфігурація | одиночний |
| Повторювана зворотна напруга VRRM | 600 В (Ta 25 °C) |
| Середній вихідний струм Io | 20 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм IFSM | 220 А (синус, 10 мс, один імпульс) |
| Пряма напруга VF (макс.) | 1.75 В (IF 20 А, Ta 25 °C) |
| Час відновлення trr (тип.) | 21 нс (IF 10 А, di/dt 100 А/мкс), макс. 50 нс |
| Зворотний струм IR (макс.) | 100 мкА (VR 600 В, Ta 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 3.5 °C/Вт |
| Температура переходу Tj (макс.) | 150 °C |
Діод R3000 (3000V, 200mA )
В наявності
4,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SUNMATE Elec |
| Корпус | DO-41 (DO-204AL) |
| Конфігурація | одиночний, катод позначено смугою |
| Зворотна напруга VRRM | 3000 В (Ta 25 °C) |
| Середній прямий струм Io | 200 мА (TL 55 °C) |
| Імпульсний струм IFSM | 25 А (8.3 мс, напівсинусоїда) |
| Пряма напруга VFM | 3.0 В (IF 200 мА, Ta 25 °C) |
| Ємність переходу Cj | 7.0 пФ (1 МГц, VR 4 В) |
| Тепловий опір перехід–середовище | 117 К/Вт |
| Робоча температура і зберігання | -65…+125 °C |