Магазин

IRFP240 MOSFET TO-247AC, фото маркування

Транзистор IRFP240 оригінал (200V,20A,150W,0.18R) , TO247

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Vishay
Напруга Vds	200 В
Струм Id (Tc 25 °C)	20 А
Струм Id (Tc 100 °C)	12 А
Опір Rds(on)	0.18 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 12 А
Vgs(th)	2.0–4.0 В
Qg	70 нКл (макс.)
Вхідна ємність Ciss	1300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	150 Вт при Tc 25 °C
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор IRFP150N оригінал (100V,44A,155W,0.03R) , TO247

В наявності

107,16 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon
Тип каналу	N-канал, HEXFET
Напруга Vds (Vgs 0 В, Id 250 мкА)	100 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В)	42 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C, Vgs 10 В)	30 А
Опір Rds(on) макс. (Vgs 10 В, Id 23 А, Tj 25 °C)	0.036 Ом
Заряд затвора Qg макс. (Id 22 А, Vgs 10 В)	110 нКл
Вхідна ємність Ciss	1900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Розсіювана потужність Pd (Tc 25 °C)	160 Вт
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В
Напруга Vgs	±20 В
Робоча температура переходу	-55…+175 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор IRFP064N оригінал (55V;110A), TO247

В наявності

117,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon
Тип каналу	N-канал, HEXFET
Напруга Vds (Vgs 0 В, Id 250 мкА)	55 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В)	110 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C, Vgs 10 В)	80 А
Опір Rds(on) макс. (Vgs 10 В, Id 59 А, Tj 25 °C)	0.008 Ом
Заряд затвора Qg макс.	170 нКл
Вхідна ємність Ciss	4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В
Розсіювана потужність Pd (Tc 25 °C)	200 Вт
Напруга Vgs	±20 В
Робоча температура переходу	-55…+175 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор IRFL214 (250V;0.79A;3.1W;2 Ohm) , SOT-223

В наявності

23,03 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип каналу	N-канал, одинарний
Напруга Vds	250 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В)	0.79 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C, Vgs 10 В)	0.50 А
Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 0.47 А)	2.0 Ом
Заряд затвора Qg макс. (Vgs 10 В)	8.2 нКл
Вхідна ємність Ciss	140 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В
Розсіювана потужність Pd (Tc 25 °C)	3.1 Вт
Напруга Vgs	±20 В
Робоча температура переходу	-55…+150 °C
Корпус	SOT-223

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор IRFD220 (200V,0.8A,1W,0.8R), DIP4

В наявності

36,19 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	200 В
Струм Id (TA = 25 °C)	0.80 А
Струм Id (TA = 100 °C)	0.50 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 0.48 А, максимум)	0.80 Ом
Потужність Pd (TA = 25 °C)	1.0 Вт
Заряд затвора Qg (максимум)	14 нКл
Вхідна ємність Ciss	260 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга Vgs	±20 В
Корпус	DIP4 (HVMDIP, 4 виводи)

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор IRFD110 (100V,1A,1W,0.5R), DIP4

В наявності

31,96 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	100 В
Струм Id (TA = 25 °C)	1.0 А
Струм Id (TA = 100 °C)	0.71 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 0.60 А, максимум)	0.54 Ом
Заряд затвора Qg (максимум)	8.3 нКл
Вхідна ємність Ciss	180 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга Vgs	±20 В
Корпус	DIP4 (HVMDIP, 4 виводи)

На канікулах до 20.11

IRFBC40 MOSFET TO-220AB, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRFBC40 оригінал

В наявності

52,17 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	600 В
Струм Id (TC = 25 °C)	6.2 А
Струм Id (TC = 100 °C)	3.9 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 3.7 А, максимум)	1.2 Ом
Потужність Pd (TC = 25 °C)	125 Вт
Заряд затвора Qg (максимум)	60 нКл
Вхідна ємність Ciss	1300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга Vgs	±20 В
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

IRFBC30 N-канальний MOSFET TO-220AB, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRFBC30

В наявності

39,95 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Виробник	Vishay Siliconix
Корпус	TO-220
Напруга Vds	600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	3,6 А (VGS = 10 В)
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	2,3 А (VGS = 10 В)
Rds(on)	2,2 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 2,2 А)
Vgs(th)	2,0…4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Розсіювана потужність	74 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	660 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)

На канікулах до 20.11

IRFBC20 N-канальний MOSFET TO-220AB, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRFBC20 оригінал (N-,600V,2.2A,50W,4.4R)

В наявності

49,35 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Виробник	Vishay Siliconix
Корпус	TO-220
Напруга Vds	600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	2,2 А (VGS = 10 В)
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	1,4 А (VGS = 10 В)
Rds(on)	4,4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 1,3 А)
Vgs(th)	2,0…4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Розсіювана потужність	50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	350 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

IRF9Z34N P-канальний MOSFET TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRF9Z34N оригінал

В наявності

57,34 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, P-канал, HEXFET 5-го покоління
Виробник	Infineon
Корпус	TO-220
Напруга Vds	-55 В (VGS = 0 В, ID = -250 мкА, Tj 25 °C)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	-19 А (VGS = -10 В)
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	-14 А (VGS = -10 В)
Rds(on)	0,10 Ом макс. (VGS = -10 В, ID = -10 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)	-2,0…-4,0 В (VDS = VGS, ID = -250 мкА)
Розсіювана потужність	68 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	620 пФ (f 1 МГц)
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

IRF9Z24N транзистор TO-220AB, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRF9Z24N оригінал

В наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	P-канал
Напруга Vdss	-55 В
Струм стоку Id (25 °C)	-12 А
Струм стоку Id (100 °C)	-8.5 А
Імпульсний струм стоку Idm	-48 А
Опір Rds(on) макс.	0.175 Ом
Розсіювана потужність Pd	45 Вт
Заряд затвора Qg макс.	19 нКл
Вхідна ємність Ciss	350 пФ (Vds -25 В, f 1 МГц)
Корпус	TO-220
Виробник	International Rectifier (Infineon)
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

IRF9640 транзистор TO-220AB, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRF9640 (200V,11A), TO220

В наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	P-канал
Напруга Vds	-200 В
Струм стоку Id (25 °C)	-11 А
Струм стоку Id (100 °C)	-6.8 А
Імпульсний струм стоку Idm	-44 А
Опір Rds(on)	0.50 Ом
Розсіювана потужність Pd	125 Вт
Заряд затвора Qg макс.	44 нКл
Вхідна ємність Ciss	1200 пФ (f 1 МГц)
Корпус	TO-220
Виробник	Vishay Siliconix

На канікулах до 20.11

IRF9630 транзистор TO-220AB, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRF9630 оригінал

В наявності

65,80 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	P-канал
Напруга Vds	-200 В
Струм стоку Id (25 °C)	-6.5 А
Струм стоку Id (100 °C)	-4.0 А
Імпульсний струм стоку Idm	-26 А
Опір Rds(on) макс.	0.80 Ом
Розсіювана потужність Pd	74 Вт
Заряд затвора Qg макс.	29 нКл
Вхідна ємність Ciss	700 пФ (f 1 МГц)
Корпус	TO-220
Виробник	Vishay Siliconix
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

FQF20N50D транзистор TO220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор FQF20N50D ( FQF20N50DFH , FQF20N50CF )( Заміна для ITA20N50R , HF20N50 , OSF20N50C , PTA20N50A , STP20NM50FP , P20NM50FP ) оригінал, TO220F

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	ADL
Тип	MOSFET N-канал
Напруга Vds	500 В
Rds(on) при Vgs 10 В, Id 10 А	0,34 Ом макс. (типово 0,28 Ом)
Порогова напруга Vgs(th)	3,0–4,0 В
Заряд затвора Qg	71 нКл (типово)
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

IRF9540N P-канальний MOSFET TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRF9540N ( F9540N , IRF9540 ) оригінал, TO220

В наявності

56,40 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, P-канал
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга Vds	–100 В (VGS = 0 В, ID = –250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	–23 А (TC = 25 °C, VGS = –10 В)
Струм стоку Id (100 °C)	–16 А (TC = 100 °C, VGS = –10 В)
Опір Rds(on), макс.	0.117 Ом (VGS = –10 В, ID = –11 А)
Потужність Pd	140 Вт (TC = 25 °C)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Tj макс.	175 °C
Заряд затвора Qg, макс.	97 нКл (ID = –11 А, VDS = –80 В, VGS = –10 В)
Вхідна ємність Ciss	1300 пФ (f 1 МГц)
Вбудований діод	є
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

IRF9530N P-канальний MOSFET TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRF9530N ( F9530N ) оригінал, TO220

В наявності

58,75 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, P-канал
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга Vds	–100 В (VGS = 0 В, ID = –250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	–14 А (TC = 25 °C, VGS = –10 В)
Струм стоку Id (100 °C)	–10 А (TC = 100 °C, VGS = –10 В)
Опір Rds(on), макс.	0.20 Ом (VGS = –10 В, ID = –8.4 А)
Потужність Pd	79 Вт (TC = 25 °C)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Tj макс.	175 °C
Заряд затвора Qg, макс.	58 нКл (ID = –8.4 А, VDS = –80 В, VGS = –10 В)
Вхідна ємність Ciss	760 пФ (f 1 МГц)
Вбудований діод	є
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор IRF840 ( IRF840A ) оригінал , TO220

В наявності

58,28 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип каналу	N-канал
Корпус	TO-220
Напруга Vds	500 В
Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS 10 В)	8.0 А
Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS 10 В)	5.1 А
Rds(on) (VGS 10 В, Product Summary)	0.85 Ом
Заряд затвора Qg макс. (VGS 10 В)	63 нКл
Вхідна ємність Ciss	1300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Розсіювана потужність Pd (TC 25 °C)	125 Вт
Напруга Vgs	±20 В
Vgs(th) (VDS = VGS, ID 250 мкА)	2.0–4.0 В
Температура Tj і Tstg	від −55 до 150 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор IRF830 оригінал (Заміна для SVD830T )

В наявності

54,05 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип каналу	N-канал
Корпус	TO-220
Напруга Vds	500 В
Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS 10 В)	4.5 А
Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS 10 В)	2.9 А
Rds(on) (VGS 10 В, ID 2.7 А, макс.)	1.5 Ом
Заряд затвора Qg макс. (VGS 10 В, ID 3.1 А, VDS 400 В)	38 нКл
Вхідна ємність Ciss	610 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Розсіювана потужність Pd (TC 25 °C)	74 Вт
Напруга Vgs	±20 В
Vgs(th) (VDS = VGS, ID 250 мкА)	2.0–4.0 В
Температура Tj і Tstg	від −55 до 150 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор IRF7822 (30V,18A,3.1W,0.005R) , so-8

В наявності

39,95 ₴

Параметр	Значення
Виробник	International Rectifier (Infineon)
Тип каналу	N-канал
Корпус	SO-8
Напруга Vds	30 В
Струм стоку Id (TA 25 °C, VGS 4.5 В)	18 А
Струм стоку Id (TA 70 °C, VGS 4.5 В)	13 А
Rds(on) макс. (VGS 4.5 В, ID 15 А)	6.5 мОм
Rds(on) тип. (VGS 4.5 В, ID 15 А)	5.0 мОм
Заряд затвора Qg тип. (VGS 5.0 В, ID 15 А, VDS 16 В)	44 нКл
Вхідна ємність Ciss	5500 пФ
Розсіювана потужність Pd (TA 25 °C)	3.1 Вт
Напруга Vgs	±12 В
Температура Tj і Tstg	від −55 до 150 °C

На канікулах до 20.11

IRF7478 транзистор SO-8, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRF7478 , so-8

В наявності

58,75 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET (SMPS)
Корпус	SO-8
Напруга Vds	60 В
Струм Id (Ta 25 °C, VGS 10 В)	7.0 А
Струм Id (Ta 70 °C, VGS 10 В)	5.6 А
Rds(on) (VGS 10 В, ID 4.2 А, макс.)	26 мОм
Rds(on) (VGS 4.5 В, ID 3.5 А, макс.)	30 мОм
Потужність Pd (Ta 25 °C)	2.5 Вт
Вхідна ємність Ciss	1740 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Виробник	International Rectifier (Infineon)

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор IRF7413 , so-8

В наявності

23,03 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET
Корпус	SO-8
Напруга Vds	30 В
Струм Id (Ta 25 °C, VGS 10 В)	13 А
Струм Id (Ta 70 °C, VGS 10 В)	9.2 А
Rds(on) (VGS 10 В, ID 7.3 А, макс.)	0.011 Ом
Rds(on) (VGS 4.5 В, ID 3.7 А, макс.)	0.018 Ом
Потужність Pd (Ta 25 °C)	2.5 Вт
Вхідна ємність Ciss	1800 пФ
Виробник	International Rectifier (Infineon)

На канікулах до 20.11

IRF740 транзистор TO-220AB, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRF740 оригінал ( заміна для IRF740A ), TO220

В наявності

56,40 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET
Корпус	TO-220
Напруга Vds	400 В
Струм Id (Tc 25 °C, VGS 10 В)	10 А
Струм Id (Tc 100 °C, VGS 10 В)	6.3 А
Rds(on) (VGS 10 В, ID 6.0 А, макс.)	0.55 Ом
Потужність Pd (Tc 25 °C)	125 Вт
Qg (макс.)	63 нКл
Вхідна ємність Ciss	1400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Виробник	Vishay Siliconix
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

IRF7389 MOSFET N+P SO-8, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRF7389 (F7389) (30V,7.3A,-5.3A,2.5W) , so-8

В наявності

23,97 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, комплементарна пара N+P (напівміст)
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Корпус	SO-8
Напруга Vds (N / P)	30 В / -30 В
Струм Id (N / P)	7.3 А / -5.3 А при TA 25 °C
Імпульсний струм Idm	30 А / -30 А
Rds(on) N-канал	0.023 Ом тип., 0.029 Ом макс. при Vgs 10 В, Id 5.8 А
Rds(on) P-канал	0.042 Ом тип., 0.058 Ом макс. при Vgs -10 В, Id -4.9 А
Потужність Pd	2.5 Вт при TA 25 °C
Напруга Vgs	±20 В
Температура Tj, Tstg	-55…+150 °C

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор IRF7380 (80V,3.6A,2W,0.073R) , so-8

В наявності

56,40 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, два ключі в корпусі
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Корпус	SO-8
Напруга Vdss	80 В
Струм Id	3.6 А при TA 25 °C, Vgs 10 В
Імпульсний струм Idm	29 А
Rds(on)	61 мОм тип., 73 мОм макс. при Vgs 10 В, Id 2.2 А
Заряд Qg	15 нКл тип., 23 нКл макс.
Вхідна ємність Ciss	660 пФ
Потужність Pd	2.0 Вт при TA 25 °C
Напруга Vgs	±20 В
Температура Tj, Tstg	-55…+150 °C

На канікулах до 20.11

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Магазин