Магазин

2SK3562 транзистор TO-220F, фото маркування

Транзистор 2SK3562 оригінал, TO220F

В наявності

72,85 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Toshiba
Корпус	TO-220F
Напруга Vdss	600 В (ID = 10 мА, VGS = 0 В)
Струм ID	6 А (Tc 25 °C)
Rds(on) типовий	0.9 Ом (VGS = 10 В, ID = 3 А)
Rds(on) максимум	1.25 Ом (VGS = 10 В, ID = 3 А)
Заряд затвора Qg	28 нКл (VDD ≈ 400 В, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	1050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	2.0–4.0 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА)
Потужність Pd	40 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура каналу	150 °C
Тепловий опір канал–корпус	3.125 °C/Вт
Напруга VGSS	±30 В
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

2SK3561 транзистор TO-220F, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор 2SK3561 демонтаж, TO220F ( Заміна для CS840F , IRFS840 , 2SK3563 )(500V,8A,40W)

В наявності

61,10 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Виробник	Toshiba
Напруга Vdss	500 В
Струм стоку Id (DC)	8 А (Tc 25 °C)
Rds(on)	0.75 Ом типовий, 0.85 Ом максимум (Vgs = 10 В, Id = 4 А)
Vgs(th)	2.0–4.0 В
Заряд затвора Qg	28 нКл
Вхідна ємність Ciss	1050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	40 Вт (Tc 25 °C)
Корпус	TO-220F
Стан	Демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

2SK2996 транзистор SC-67, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SK2996 оригінал (600V,10A,45W,0.74R)

В наявності

82,25 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Виробник	Toshiba
Напруга Vds	600 В
Струм стоку Id (DC)	10 А (Tc = 25 °C)
Rds(on)	0.74 Ом (Vgs = 10 В, Id = 5 А, типове значення)
Vgs(th)	2.0–4.0 В
Заряд затвора Qg	38 нКл
Вхідна ємність Ciss	1500 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	45 Вт (Tc = 25 °C)
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

2SK2837 транзистор TO-3P, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор 2SK2837 ( K2837 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

117,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Виробник	Toshiba
Напруга Vds	500 В
Струм стоку Id (DC)	20 А (Tc = 25 °C)
Rds(on)	0.21 Ом (Vgs = 10 В, Id = 10 А, типове значення)
Vgs(th)	2.0–4.0 В
Заряд затвора Qg	80 нКл
Вхідна ємність Ciss	3720 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	150 Вт (Tc = 25 °C)
Корпус	TO-3P
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор 2SK2750 (N-,600V,3.5A,35W,1.7R)(Заміна для 2SK3567 )

В наявності

55,46 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	600 В (Vgs = 0 В, Id = 10 мА, мінімум)
Струм стоку Id	3.5 А (Tc = 25 °C)
Rds(on)	1.7 Ом типово, максимум 2.2 Ом (Vgs = 10 В, Id = 1.8 А)
Vgs(th)	2.0–4.0 В (Vds = 10 В, Id = 1 мА)
Заряд затвора Qg	20 нКл типово (Vdd ≈ 400 В, Vgs = 10 В, Id = 3.5 А)
Вхідна ємність Ciss	800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	35 Вт (Tc = 25 °C)
Макс. температура каналу	150 °C
Корпус	TO-220F
Виробник	Toshiba

На канікулах до 20.11

2SK2698 K2698 MOSFET TO-3P, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор 2SK2698 ( K2698 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

71,44 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	500 В (Vgs = 0 В, Id = 10 мА, мінімум)
Струм стоку Id	15 А (Tc = 25 °C)
Rds(on)	0.35 Ом типово, максимум 0.4 Ом (Vgs = 10 В, Id = 7 А)
Vgs(th)	2.0–4.0 В (Vds = 10 В, Id = 1 мА)
Заряд затвора Qg	58 нКл типово (Vdd ≈ 400 В, Vgs = 10 В, Id = 15 А)
Вхідна ємність Ciss	2600 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	150 Вт (Tc = 25 °C)
Макс. температура каналу	150 °C
Корпус	TO-3P
Виробник	Toshiba
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

H25R1202 IHW25N120R2 IGBT TO-247, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

В наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon
Тип	Зворотно-провідний IGBT (soft switching)
Напруга Vce	1200 В
Струм Ic (25 °C)	50 А
Струм Ic (100 °C)	25 А
Потужність Ptot (25 °C)	365 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C)	1.6 В
Заряд затвора Qg	60.7 нКл
Вхідна ємність Cies	2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 25 А, 25 °C)	1.5 В
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор 2SK2640 оригінал демонтаж (500V,10A,50W) ( 2SK4096 )

В наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	500 В (Vgs = 0 В, Id = 1 мА)
Струм стоку Id	10 А (Tc = 25 °C)
Rds(on)	0.73 Ом типово, максимум 0.90 Ом (Id = 5 А, Vgs = 10 В)
Vgs(th)	3.5–4.5 В (Id = 1 мА, Vds = Vgs)
Потужність Pd	50 Вт (Tc = 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	950 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура каналу	150 °C
Виробник	Fuji Electric
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор 2SK2611 оригінал демонтаж(900V,9A,150W) , TO3P

В наявності

126,90 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	900 В (Ta 25 °C)
Струм стоку Id	9 А (DC)
Опір Rds(on)	1.2 Ом тип., макс. 1.4 Ом (VGS 10 В, ID 4 А)
Заряд затвора Qg	58 нКл тип. (VDD ≈ 400 В, VGS 10 В, ID 9 А)
Вхідна ємність Ciss	2040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	150 Вт (Tc 25 °C)
Корпус	TO-3P
Виробник	Toshiba
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор 2SK2545 оригінал (600V,6A,40W,0.9R)

В наявності

75,20 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	600 В (Ta 25 °C)
Струм стоку Id	6 А (DC)
Опір Rds(on)	0.9 Ом тип., макс. 1.25 Ом (VGS 10 В, ID 3 А)
Заряд затвора Qg	30 нКл тип. (VDD ≈ 400 В, VGS 10 В, ID 6 А)
Вхідна ємність Ciss	1300 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	40 Вт (Tc 25 °C)
Корпус	TO-220F
Виробник	Toshiba
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор 2SK2101

В наявності

112,33 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	800 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id	6 А (Tc 25 °C, DC)
Опір Rds(on)	1.7 Ом тип., макс. 2.1 Ом (ID 3 А, VGS 10 В)
Потужність Pd	50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	1200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Виробник	Fuji Electric

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор 2SK1462

В наявності

125,96 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Виробник	Sanyo
Корпус	TO-3PB
Напруга Vds	900 В (Ta 25 °C)
Струм стоку Id	8 А (Tc 25 °C, DC)
Імпульсний струм IDP	16 А
Опір Rds(on)	1.2 Ом тип., 1.6 Ом макс. (ID 4 А, VGS 10 В)
Потужність Pd	150 Вт (Tc 25 °C)
Напруга VGSS	±30 В
Вхідна ємність Ciss	1600 пФ (VDS 20 В, f 1 МГц)

На канікулах до 20.11

2SK1460 MOSFET TO-220FI (LS), фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SK1460

В наявності

60,16 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Виробник	Sanyo
Корпус	TO-220F
Корпус (докладно)	TO-220FI (LS)
Напруга Vds	900 В (Ta 25 °C)
Струм стоку Id	3.5 А (DC)
Імпульсний струм IDP	7 А (PW ≤10 мкс, шпаруватість ≤1%)
Опір Rds(on)	2.8 Ом тип., 3.6 Ом макс. (ID 2 А, VGS 10 В)
Потужність Pd	40 Вт (Tc 25 °C)
Напруга VGSS	±30 В
Вхідна ємність Ciss	700 пФ (VDS 20 В, f 1 МГц)

На канікулах до 20.11

2SK117 JFET транзистор TO-92, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SK117

В наявності

23,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	Польовий транзистор JFET, N-канал
Корпус	TO-92
Напруга затвор–стік Vgds	-50 В (Ta 25 °C, абс. максимум)
Струм затвора Ig	10 мА (Ta 25 °C, абс. максимум)
Потужність Pd	300 мВт (Ta 25 °C)
Струм стоку Idss	1,2–14 мА (Vds 10 В, Vgs 0)
Напруга відсічки Vgs(off)	-0,2…-1,5 В (Vds 10 В, Id 0,1 мкА)
Вхідна ємність Ciss	13 пФ (Vds 10 В, Vgs 0, f 1 МГц)

На канікулах до 20.11

2N7000 польовий транзистор TO-92, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2N7000 (60V,0.2A,0.4W)

В наявності

8,46 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	60 В
Струм стоку Id	0.2 А при Tamb 25 °C
Струм стоку імпульсний Idm	0.5 А при Tamb 25 °C
Опір Rds(on), макс.	5 Ом при VGS=10 В, ID=500 мА
Порогова напруга Vgs(th)	0.8–3.0 В при ID=1 мА
Напруга затвор-витік Vgs, макс.	±40 В
Потужність розсіювання	400 мВт при Tamb 25 °C
Вхідна ємність Ciss, макс.	60 пФ при VDS=25 В, VGS=0, f=1 МГц
Корпус	TO-92
Тип каналу	N-канал, режим збагачення

На канікулах до 20.11

2SC5858 NPN транзистор TO264, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC5858 , TO264 китай

В наявності

56,40 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор–база Vcbo	1700 В (Tc 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo	750 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic	22 А (DC, Tc 25 °C)
Потужність Pc	200 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Напруга насичення Vce(sat)	1,5 В макс. (Ic 17 А, Ib 4,25 А)
Корпус	TO-264

На канікулах до 20.11

BSC70Z/UL рядковий трансформатор ТДКС, фото маркування

Додати в обране

Рядковий трансформатор BSC70Z/UL оригінал

В наявності

799,00 ₴

Параметр	Значення
Номер деталі	BSC70Z/UL
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

PTP20N50A MOSFET TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор PTP20N50A оригінал, TO220(Заміна для HP20N50 , SiHFB20N50K , IRFB18N50K ) (500V,20A)

В наявності

173,90 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	500 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id	20 А (Tc 25 °C)
Rds(on)	0,24 Ом тип., 0,3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg	65 нКл тип. (Vdd 250 В, Id 20 А, Vgs 0–10 В)
Вхідна ємність Ciss	2670 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА, Tj 25 °C)
Потужність Pd	175 Вт (Tc 25 °C, корпус TO-220)
Макс. Tj	150 °C
Vgs макс.	±30 В
Вбудований діод	є, швидкий
Корпус	TO-220
Виробник	PIP (Perfect Intelligent Power Semiconductor)
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

BSC22-2012 рядковий трансформатор ТДКС, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Рядковий трансформатор BSC22-2012 оригінал демонтаж

В наявності

376,00 ₴

Параметр	Значення
Номер деталі	BSC22-2012
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

MKP3V240 діністор SIDAC, фото маркування

Додати в обране

Діністор MKP3V240 ( MKP 3V240 , MKP3V240G )

В наявності

129,72 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vdrm/Vrrm	180 В (синусоїда 50–60 Гц, Tj = -40…+125 °C)
Напруга перемикання Vbo	220–250 В (при Ibo до 200 мкА, Tc = 25 °C)
Струм перемикання Ibo	200 мкА (макс.)
Діючий струм It(rms)	1,0 А (Tl = 80 °C)
Ударний струм Itsm	20 А (1 період 60 Гц, Tj = 125 °C)
Струм утримання Ih	100 мА (макс.)
Пікова напруга Vtm	1,1 В тип. / 1,5 В макс. (Itm 1 А)
Опір перемикання Rs	0,1 кОм (мін.)
Швидкість наростання di/dt	120 А/мкс (тип.)
Робоча температура Tj	-40…+125 °C
Корпус	Axial Lead, Case 267-03 (DO-201AA/DO-27)
Виробник	ON Semiconductor
Стан виробництва	EOL (знято з виробництва)

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор FHA20N50 оригінал , TO-3P

В наявності

282,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	500 В
Струм Id	20 А (Tc 25 °C), 12,9 А (Tc 100 °C)
Rds(on) при Vgs 10 В	0,26 Ом макс. (типово 0,21 Ом)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg	50 нКл (типово)
Вхідна ємність Ciss	2550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	380 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-3P
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

G042N10 HYG042N10NS1P MOSFET TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор G042N10 ( HYG042N10 , HYG042N10NS1P ) оригінал(100V,160A) , TO220

В наявності

85,07 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	100 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id	160 А (Tc 25 °C), 113 А (Tc 100 °C), на великому радіаторі
Rds(on)	3,5 мОм тип., 4,2 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 50 А, Tc 25 °C)
Заряд затвора Qg	119 нКл тип. (Vds 80 В, Vgs 10 В, Id 50 А)
Вхідна ємність Ciss	7040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	2–4 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА, Tc 25 °C)
Потужність Pd	200 Вт (Tc 25 °C)
Макс. Tj	175 °C
Vgs макс.	±20 В
Корпус	TO-220
Виробник	HUAYI
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

TT2206 біполярний транзистор, фото маркування

Додати в обране

Транзистор TT2206

В наявності

68,62 ₴

Параметр	Значення
Тип	Біполярний транзистор NPN
Напруга Vcbo	1600 В
Напруга Vceo	800 В
Струм колектора Ic	20 А
Потужність розсіювання Pc	95 Вт
Корпус	TO-3PMLH

На канікулах до 20.11

TT2190 транзистор TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор TT2190 , TO220F

В наявності

32,90 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	800 В (Ta 25 °C)
Напруга Vcbo	1500 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	8 А безперервний, імпульсний Icp 20 А
Потужність Pc	35 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Vce(sat)	3,0 В макс. (Ic 4,5 А, Ib 0,9 А)
hFE	10 мін. (Ic 1 А, Vce 5 В); 5–8 (Ic 5 А, Vce 5 В)
Час спаду tf	0,3 мкс макс. (Ic 3 А, Ib1 0,6 А, Ib2 -1,2 А)
Демпферний діод	є, Vecf макс. 2 В при If 7 А
Корпус	TO-220F

На канікулах до 20.11

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Магазин