Магазин
Транзистор KSP44 ( MPSA44 ) оригінал, to92
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 400 В (Ic 1 мА, Ib 0, Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 500 В (Ic 100 мкА, Ie 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В (Ie 100 мкА, Ic 0) |
| Струм колектора Ic | 300 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 100–200 (Vce 5 В, Ic 1 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.30 В макс. (Ic 50 мА, Ib 5 мА) |
| Гранична частота fT | 50 МГц мін. (Vce 20 В, Ic 10 мА, f 30 МГц) |
| Виробник | luJing |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MPSA42 , to92
В наявності
3,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 300 В (Ic = 1 мА, Ib = 0, мін) |
| Напруга Vcbo | 300 В |
| Напруга Vebo | 6.0 В |
| Струм колектора Ic | 500 мА |
| Потужність Pd | 625 мВт (TA 25 °C, спад 5.0 мВт/°C вище 25 °C); 1.5 Вт при TC 25 °C |
| Гранична частота fT (мін) | 50 МГц (Ic = 10 мА, Vce = 20 В, f = 100 МГц) |
| Температури Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор MMBT4403 , sot23
В наявності
6,58 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -40 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -40 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vebo | -6 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -600 мА (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | -1 А (TA 25 °C) |
| Потужність Pd | 310 мВт (TA 25 °C, мінімальний майданчик 1 oz Cu на FR4); 350 мВт на майданчику 15×15 мм |
| hFE | 100–300 (Ic = -150 мА, Vce = -2 В) |
| Vce(sat) макс | -0.40 В (Ic = -150 мА, Ib = -15 мА) |
| Гранична частота fT (мін) | 200 МГц (Vce = -10 В, Ic = -20 мА, f = 100 МГц) |
| Температури Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор MMBT4401 , sot23
В наявності
6,58 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 40 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 60 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6.0 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 600 мА (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 1 А (TA 25 °C) |
| Потужність Pd | 310 мВт (TA 25 °C, мінімальний майданчик 1 oz Cu на FR4); 350 мВт на майданчику 15×15 мм |
| hFE | 100–300 (Ic = 150 мА, Vce = 1 В) |
| Vce(sat) макс | 0.4 В (Ic = 150 мА, Ib = 15 мА) |
| Гранична частота fT (мін) | 250 МГц (Vce = 10 В, Ic = 20 мА, f = 100 МГц) |
| Температури Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор MMBT3906 , sot23
В наявності
1,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -6.0 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -200 мА (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | -350 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 310 мВт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT (мін.) | 250 МГц (Vce -20 В, Ic -10 мА, f 100 МГц) |
| Vce(sat) макс. | -0,25 / -0,40 В (Ic/Ib -10/-1 мА; -50/-5 мА) |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор MJF18004 , TO220F
В наявності
68,15 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vces | 1000 В |
| Напруга Vceo(sus) (Ic 100 мА, L 25 мГн) | 450 В |
| Напруга Vebo | 9 В |
| Струм колектора Ic (постійний) | 5 А |
| Імпульсний струм Icm (5 мс, шпаруватість ≤10 %) | 10 А |
| Потужність розсіювання Pd (Tc 25 °C) | 35 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat), макс. (Ic 1 А, Ib 0,1 А) | 0,5 В |
| hFE, мін. (Ic 1 А, Vce 2,5 В) | 12 |
| Гранична частота fT, тип. (Ic 0,5 А, Vce 10 В, f 1 МГц) | 13 МГц |
| Напруга ізоляції Viso (тест №1, 1 с) | 4500 В (RMS) |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор MJE350( KSE350)
В наявності
18,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -500 мА (Tc 25 °C) |
| Потужність Pc | 20 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| hFE | 30–240 (Vce -10 В, Ic -50 мА) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор MJE340 (KSE340)
В наявності
18,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-225 (CASE 77-09) |
| Напруга колектор-емітер VCEO | 300 В |
| VCEO(sus) мін. (IC = 1 мА, IB = 0) | 300 В |
| Напруга емітер-база VEB | 3 В |
| Струм колектора IC | 500 мА |
| Потужність розсіювання PD | 20 Вт (TC = 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 6.25 °C/Вт |
| hFE (IC = 50 мА, VCE = 10 В) | 30–240 |
| Температури TJ, Tstg | -65…+150 °C |
Транзистор MJE3055T , TO220
В наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга колектор-база VCBO | 70 В |
| Напруга колектор-емітер VCEO | 60 В |
| Напруга емітер-база VEBO | 5 В |
| Струм колектора IC | 10 А (TC = 25 °C) |
| Струм бази IB | 6 А |
| Потужність розсіювання PC | 75 Вт (TC = 25 °C) |
| hFE (VCE = 4 В, IC = 4 А) | 20–100 |
| hFE мін. (VCE = 4 В, IC = 10 А) | 5 |
| VCE(sat) макс. (IC = 4 А, IB = 0.4 А) | 1.1 В |
| VBE(on) макс. (VCE = 4 В, IC = 4 А) | 1.8 В |
| fT мін. (VCE = 10 В, IC = 500 мА) | 2 МГц |
| Температура переходу TJ / зберігання | 150 / -55…150 °C |
Транзистор MJE2955T , TO220
В наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | 60 В |
| Струм колектора Ic | 10 А |
| hFE (Ic=4А, Vce=4В) | 20–100 |
| hFE (Ic=10А, Vce=4В) | не менше 5.0 |
| Vce(sat) (Ic=4А, Ib=0.4А) | 1.1 В |
| Vce(sat) (Ic=10А, Ib=3.3А) | 8.0 В |
| Розсіювана потужність Pd | 75 Вт (TC=25°C, дерейтинг 0.6 Вт/°C) |
| Гранична частота fT | не менше 2.0 МГц (Ic=500мА, Vce=10В, f=500кГц) |
| Робочий діапазон температури переходу | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор FHA13009 оригінал ( заміна для MJE13009 , MJE13009L , J13009 , E13009L , KSH13009AL , KSE13009L , 3DD13009H , 3DD13009 , KSH13009H ), TO-3P
В наявності
69,09 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vcbo | 700 В (IE = 0; Tc 25 °C) |
| Напруга Vceo | 400 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 9 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 12 А (DC) |
| Потужність Pc | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| hFE | 8–40 (VCE 5 В, IC 3 А) |
| Vce(sat) | 1.0 В макс. (IC 5 А, IB 1 А) |
| Гранична частота fT | 4 МГц (VCE 10 В, IC 0,5 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MJE13009 ( E13009L ) оригінал (заміна для W13009 , D13009 , E13009-2 , 2SD304X , D304X ) , TO220
В наявності
48,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-220 |
| Корпус (докладно) | TO-220AB (CASE 221A-09) |
| Напруга колектор-емітер VCEO(sus) | 400 В (IC = 10 мА, IB = 0) |
| Струм колектора IC | 12 А (TC = 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний ICM | 24 А |
| Напруга емітер-база VEBO | 9 В |
| Потужність розсіювання PD | 100 Вт (TC = 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1.25 °C/Вт |
| hFE (IC = 5 А, VCE = 5 В) | 8–40 |
| hFE (IC = 8 А, VCE = 5 В) | 6–30 |
| Температури TJ, Tstg | -65…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MJE13007 оригінал ( E13007A , E13007-1 , J13007-1 , J13007-2 , ST13007A , E13007-2 , D13007 ), TO220
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vceo(sus) | 400 В (Ic 10 мА, Ib 0) |
| Напруга Vces | 700 В |
| Напруга Vebo | 9 В |
| Струм колектора Ic | 8 А |
| Струм колектора імпульсний Icm | 16 А (імпульс 5 мс, скважність ≤10 %) |
| Потужність Pd | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 8–40 (Ic 2 А, Vce 5 В); 5–30 (Ic 5 А, Vce 5 В) |
| Гранична частота fT | мін. 4 МГц, тип. 14 МГц (Ic 500 мА, Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Ємність Cob | 80 пФ (тип.; Vcb 10 В, Ie 0, f 0.1 МГц) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1.56 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MJE13005 ( E13005-1 , ST13005A , PHE13005 , E13005-2 ) оригінал, TO220
В наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vceo(sus) | 400 В (Ic 10 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcev | 700 В (Vbe(off) 1.5 В) |
| Напруга Vebo | 9 В |
| Струм колектора Ic | 4 А |
| Струм колектора імпульсний Icm | 8 А (імпульс 5 мс, скважність ≤10 %) |
| Потужність Pd | 75 Вт (Tc 25 °C); 2 Вт (Ta 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 10–60 (Ic 1 А, Vce 5 В); 8–40 (Ic 2 А, Vce 5 В) |
| Ємність Cob | 65 пФ (тип.; Vcb 10 В, Ie 0, f 0.1 МГц) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1.67 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MJE13003 , TO-126
В наявності
8,46 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
| Напруга Vceo(sus) | 400 В (Ic 10 мА) |
| Струм колектора Ic | 1.5 А |
| Струм колектора імпульсний Icm | 3 А (імпульс 5 мс, скважність ≤10 %) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 8–40 (Ic 0.5 А, Vce 2 В); 5–25 (Ic 1 А, Vce 2 В) |
| Ємність Cob | 21 пФ (тип.) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 3.12 °C/Вт |
Транзистор MJE13002 , to92
В наявності
5,64 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo (Ic 1 мА, Ib 0, Ta 25 °C) | 480 В |
| Напруга Vcbo (Ic 100 мкА, Ie 0, Ta 25 °C) | 700 В |
| Напруга Vebo (Ie 100 мкА, Ic 0) | 9 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE (Vce 2 В, Ic 0,5 А) | 8–40 |
| Vce(sat), макс. (Ic 0,5 А, Ib 0,1 А) | 0,5 В |
| Vbe(sat), макс. (Ic 0,5 А, Ib 0,1 А) | 1,0 В |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор MJE13001 , to92
В наявності
5,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 400 В |
| Напруга Vcbo | 600 В |
| Напруга Vebo | 7 В |
| Струм колектора Ic | 200 мА |
| Потужність розсіювання Pc (корпус TO-92) | 750 мВт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat), макс. (Ic 50 мА, Ib 10 мА) | 0,5 В |
| Vbe(sat), макс. (Ic 50 мА, Ib 10 мА) | 1,2 В |
| Гранична частота fT, мін. (Ic 20 мА, Vce 20 В, f 1 МГц) | 8 МГц |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор MJ2955 , TO-3
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vcbo | 100 В (IE = 0) |
| Напруга Vcer | 70 В (RBE = 100 Ом) |
| Напруга Vceo | 60 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 7 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 15 А (постійний) |
| Струм бази Ib | 7 А |
| Потужність Ptot | 115 Вт (Tc ≤ 25 °C) |
| Температура переходу | 200 °C |
| Vce(sat) | 1 В (макс., IC = 4 А, IB = 400 мА) |
| hFE | 20–70 (IC = 4 А, VCE = 4 В) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1,5 °C/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-3 |
Демонтаж
Транзистор MD1803DFX оригінал демонтаж ( ST1803DFX , ST1803DHI , SY1803 , MD2009DFX )
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN з вбудованим діодом |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 10 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 10 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icm | 15 А (tp < 5 мс) |
| Потужність Ptot | 57 Вт (Tc = 25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 2 В (макс., IC = 5 А, IB = 1,25 А) |
| hFE | 5,5–7,5 (IC = 5 А, VCE = 5 В) |
| Vf діода | 1,6 В (макс., IF = 5 А) |
| Напруга ізоляції | 2500 В (RMS, виводи – радіатор) |
| Корпус | ISOWATT218FX |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор MD1802FX оригінал демонтаж
В наявності
68,15 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 9 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 10 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icm | 15 А (tp < 5 мс) |
| Потужність Ptot | 57 Вт (Tc = 25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 1,5 В (макс., IC = 5 А, IB = 1,25 А) |
| hFE | 5,5–8,5 (IC = 5 А, VCE = 5 В) |
| Напруга ізоляції | 2500 В (RMS, виводи – радіатор) |
| Корпус | ISOWATT218FX |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Діодний міст D25XB100
В наявності
133,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Повторювана напруга Vrrm | 1000 В (50 Гц, з радіатором) |
| Середній прямий струм If(av) | 25 А |
| Робоча температура Tj/Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | 5S (Compact SIP) |
Транзистор FSW25N50A оригінал, TO-3P
В наявності
100,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 25 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,18 Ом тип., 0,26 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл тип. (Vdd 250 В, Id 20 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Vgs макс. | ±30 В |
| Захист ESD (HBM) | 6000 В |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | IPS (InPower Semiconductor) |
| Стан | Оригінал |