Магазин
Транзистор STU432S оригінал, D-PAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм стоку Id | 50 А (Tc 25 °C), 40 А (Tc 70 °C) |
| Опір Rds(on) | 7 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.25–3.0 В (Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 42 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1130 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Напруга Vgs макс. | ±20 В |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор SIF18N50C оригінал демонтаж (18A,500V), TO220F
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 18 А (Tc 25 °C), 11 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) тип. | 0.24 Ом (Vgs 10 В, Id 9 А; макс. 0.28 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В, Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 46 нКл (Vds 320 В, Id 9 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 65 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs макс. | ±30 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор PFV2 18N50 оригінал демонтаж (18A,500V), TO220F
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id | 18 А (Tc 25 °C), 12.1 А (Tc 100 °C), FQPF18N50V2 (TO-220F) |
| Опір Rds(on) тип. | 0.225 Ом (Vgs 10 В, Id 9 А; макс. 0.265 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В, Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 42 нКл (Vds 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В; макс. 55 нКл) |
| Вхідна ємність Ciss | 2530 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 69 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs макс. | ±30 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP023N10T оригінал, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 280 А (Tc 25 °C), 200 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) тип. | 1.85 мОм (Vgs 10 В, Id 140 А, Tc 25 °C; макс. 2.3 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В), Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 252 нКл (Vds 50 В, Id 140 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 17000 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 365 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Тип каналу | N |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40TD60BP оригінал, TO-3P
В наявності
250,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power (Wuxi NCE Power) |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 120 А (tp обмежено Tjmax) |
| Vce(sat) | 1,7 В тип., 1,9 В макс. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Напруга Vge | ±30 В |
| Потужність Pd | 286 Вт (Tc 25 °C), 114 Вт (Tc 100 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFP4468 оригінал, TO247
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку ID | 195 А (VGS=10 В, TC=25 °C) |
| Rds(on) макс. | 2,6 мОм (VGS=10 В, ID=180 А, Tj=25 °C) |
| Потужність розсіювання | 517 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 363 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 22000 пФ |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G025N06 ( HYG025N06 , HYG025N06LS1D , G025N06D, HYG025N06D ) оригінал, DPAK
В наявності
69,09 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI (Huayi Microelectronics) |
| Тип | N-канальний, режим збагачення |
| Напруга Vds (BVDSS) | 60 В (мін., Vgs 0 В, Ids 250 мкА, Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 160 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) при Vgs 10 В | 2.6 мОм тип., 3.3 мОм макс. (Ids 40 А, Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) при Vgs 4.5 В | 3.8 мОм тип., 4.7 мОм макс. (Ids 40 А, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.0 мін., 2.1 тип., 3.0 макс. В (Vds=Vgs, Ids 250 мкА, Tc 25 °C) |
| Напруга затвор-витік Vgss | ±20 В |
| Заряд затвора Qg (Vgs 10 В) | 58.3 нКл тип. (Vds 48 В, Id 40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3915 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Заряд затвора Qg (Vgs 4.5 В) | 27.7 нКл тип. (Vds 48 В, Id 40 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Час відновлення діода trr | 41.1 нс тип. (Isd 40 А, dIsd/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G75T60AK3SD ( CRG75T60AK3SD ) оригінал, TO247
В наявності
376,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 150 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 75 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 300 А (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,55 В тип., 2,4 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Напруга Vge | ±20 В |
| Потужність Pd | 469 Вт (Tc 25 °C), 234 Вт (Tc 100 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 11670 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FIR24N50APT оригінал, TO-3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | American First Semiconductor |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vdss | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 24 А (Tc 25 °C); 15.2 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип. (Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 24 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 290 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
FHP170N8F3 оригінальний транзистор, TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 85 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C, обмежено корпусом) | 120 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 117,2 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 50 А) | 4 мОм (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 208,3 Вт |
| Заряд затвора Qg | 124 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 6234 пФ (тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0…4,0 В |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
FHF20T60 оригінальний транзистор, TO220F
В наявності
258,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Feihong |
| Тип | IGBT-транзистор (Trench Field Stop) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vces | 600 В (TC 25 °C) |
| Струм Ic (TC 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (TC 100 °C) | 20 А |
| Напруга Vce(sat) | 1,49 В тип. (VGE 15 В, IC 20 А, TJ 25 °C) |
| Вбудований діод | є |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Заряд затвора Qg | 73 нКл (VCE 480 В, IC 20 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1481 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA60T65C2DH ( FHA60T65 ) оригінал, TO-3P
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Feihong |
| Тип | IGBT-транзистор (Trench Field Stop) |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vces | 650 В (TC 25 °C) |
| Струм Ic (TC 25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (TC 100 °C) | 60 А |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd | 465 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 254 нКл (VCE 520 В, IC 60 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 5500 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS50N20A6C ( CS50N20 , CS50N20A6B ) оригінал, TO247
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vdss | 200 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 50 А (Tc 25 °C); 38.5 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.040 Ом тип., 0.045 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 28 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 7900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS12N60F оригінал, TO220F
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, VDMOS |
| Напруга Vdss | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C); 7.5 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.57 Ом тип., 0.75 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл тип. (Vgs 10 В, Vdd 480 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1980 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 42 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор CRJQ41N65GCF оригінал демонтаж, TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, SJMOS (суперперехід) |
| Напруга Vds | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 74 А (Tc 25 °C, обмежено Tj max); 47 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 42 мОм тип., 48 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 35 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.3–4.6 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 168 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 480 В, Id 35 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6594 пФ |
| Потужність Pd | 687 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | ультрашвидкий |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | CRMICRO |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор CMP13N50T оригінал, TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 13 А (Tc 25 °C); 8 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on), макс. | 0.48 Ом (VGS = 10 В, ID = 6.5 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg, тип. | 45 нКл (VDS = 400 В, ID = 13 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Cmos |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CMH20N50 оригінал, TO247
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 12 А при Tc 100 °C |
| Опір Rds(on), макс. | 0.26 Ом (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність Pd | 280 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Cmos |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CMF20N65 оригінал, TO220F
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 12 А при Tc 100 °C (обмежено Tj max) |
| Опір Rds(on), тип. | 0.4 Ом (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Опір Rds(on), макс. | 0.48 Ом (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg, тип. | 57 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 435 нс |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Cmos |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SG2525AP оригінал ( SG2525AP013TR , SG2525A , SG2525 ) , so-16
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Призначення | ШІМ-контролер з двотактним виходом |
| Напруга живлення | 8–35 В (гранична 40 В) |
| Опорна напруга Vref | 5,1 В (Tj 25 °C, Vi 20 В) |
| Діапазон частоти генератора | 100 Гц – 500 кГц |
| Струм вихідних каскадів | понад 200 мА |
| Потужність розсіювання | 1000 мВт (Tamb 70 °C) |
| Корпус | SO-16 |
| Стан | Оригінал |