Магазин
Транзистор NCE85H21TC оригінал, TO247
В наявності
113,74 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 210 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А |
| Опір Rds(on) | 3,9 мОм макс. (тип. 3,4 мОм), VGS=10 В, ID=40 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3,2 В) |
| Заряд затвора Qg | 180 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 7200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 330 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | NCE Power Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IXFH44N50P ( IXFH44N50 , 44N50 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 44 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 140 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 22 А, імпульсний вимір) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Id 4 мА) |
| Заряд затвора Qg | 98 нКл тип. (Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5440 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 658 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | є, швидкий |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3207 оригінал, TO220
В наявності
122,67 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, HEXFET |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 75 В |
| Струм Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В) | 170 А (обмеження по виводах корпусу 75 А) |
| Струм Id (Tc 100 °C, Vgs 10 В) | 120 А |
| Імпульсний струм Idm | 720 А |
| Rds(on) типовий (Vgs 10 В, Id 75 А) | 3.6 мОм |
| Rds(on) максимум (Vgs 10 В, Id 75 А) | 4.5 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Заряд затвора Qg | 180 нКл (макс. 260 нКл) |
| Ciss (типово) | 7600 пФ |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 300 Вт |
| Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY1920P ( HY1920 ) оригінал, TO220
В наявності
96,35 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, режим збагачення |
| Виробник | HUAYI Microelectronics |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Напруга Vdss | 200 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 90 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 70 А |
| Імпульсний струм Idm (Tc 25 °C) | 360 А |
| Rds(on) типовий (Vgs 10 В, Id 45 А) | 22 мОм |
| Rds(on) максимум (Vgs 10 В, Id 45 А) | 24 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (типово 3,0 В) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Заряд затвора Qg | 130.4 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5871 пФ (Vds 25 В) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 375 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY1908B ( HY1908 ) оригінал, D2PAK
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, режим збагачення |
| Виробник | HUAYI Microelectronics |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vdss | 80 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 90 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 64 А |
| Імпульсний струм Idm (Tc 25 °C) | 360 А |
| Rds(on) типовий (Vgs 10 В, Id 45 А) | 7 мОм |
| Rds(on) максимум (Vgs 10 В, Id 45 А) | 9 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (типово 3 В) |
| Напруга Vgs | ±25 В |
| Заряд затвора Qg | 86 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 185 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GF10NC60KD ( STGF10NC60KD ) оригінал , TO220F
В наявності
156,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT N-канал з діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, Ic 1 мА) |
| Струм Ic | 9 А (Tc 25 °C), 6 А (Tc 100 °C), корпус TO-220FP |
| Vce(sat) | 2,2 В тип., 2,5 В макс. (VGE 15 В, Ic 5 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл тип. (VCC 390 В, Ic 5 А, VGE 0–15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 380 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга ізоляції Viso | 2,5 кВ (RMS, 1 с) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DOD150N03 ( 150N03 ) оригінал ( заміна для CSD30N30 )(30V,150A), D-PAK
В наявності
150,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Doingter |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 150 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 98 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 3.3 мОм макс. (тип. 2,5 мОм; Id 30 А, Tc 25 °C) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 6.5 мОм макс. (тип. 4,5 мОм; Id 20 А) |
| Vgs(th) | 1–2.5 В (тип. 1,6 В; Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 15 В, Id 30 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3499 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 108 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CMP3205B оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Cmos |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 65 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 130 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 100 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 5.8 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 30 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 125 нКл тип. (Id 30 А, Vdd 35 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5850 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 260 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 40N60FD1 ( SGT40N60FD1P7 ) оригінал, TO247
В наявності
113,74 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Тип | IGBT N-канал з діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, Ic 100 мкА) |
| Струм Ic | 80 А (Tc 25 °C), 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,8 В тип., 2,7 В макс. (VGE 15 В, Ic 40 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл тип. (VCE 300 В, Ic 40 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1850 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 290 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Демонтаж
Демонтаж
Демонтаж
Реле SLI-S-112DM-F ( SLI-S-112DM ) обмотка на 12V ( 30A/250VAC )
В наявності
249,57 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanyou Relays |
| Напруга котушки | 12 В DC |
| Конфігурація контактів | 1 Form A (1 нормально розімкнений) |
| Струм контактів | 30 А (250 В AC, резистивне навантаження) |
| Опір котушки | 160 Ом (±10 %, при 20 °C) |
| Номінальний струм котушки | 75 мА |
| Час спрацювання | 15 мс (макс.) |
| Опір контактів | 50 мОм (макс., 6 В DC / 1 А) |
| Робоча температура | -40…+105 °C |
Реле K1CK012W 12VDC (16A/250VAC) 1група, перемикаюче
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fujitsu Component (FCL Components) |
| Позначення | K1CK012W (FTR-K1CK012W) |
| Тип | Реле електромагнітне силове, для друкованої плати |
| Контактна група | 1 форма C (перемикаюча) |
| Матеріал контактів | AgSnO2 |
| Навантаження контактів | 16 А / 250 VAC / 24 VDC |
| Макс. струм, що пропускається | 20 А |
| Макс. комутована напруга | 440 VAC / 300 VDC |
| Макс. комутована потужність | 4000 ВА / 384 Вт |
| Мін. навантаження | 100 мА 5 VDC |
| Опір контактів | 100 мОм (макс., 1 А, 6 VDC) |
| Напруга котушки | 12 В DC |
| Опір котушки | 360 Ом (±10 %, 20 °C) |
| Потужність котушки | 400 мВт (20 °C) |
| Напруга спрацювання | 8.4 В DC (20 °C) |
| Напруга відпускання | 1.2 В DC (20 °C) |
| Час спрацювання | 15 мс (макс.) |
| Час відпускання | 5 мс (макс.) |
| Опір ізоляції | 1000 МОм (мін., 500 VDC) |
| Електрична міцність котушка-контакти | 5000 В AC, 1 хв |
| Електрична міцність між розімкненими контактами | 1000 В AC, 1 хв |
| Імпульсна міцність котушка-контакти | 10000 В (1.2 × 50 мкс) |
| Механічний ресурс | 20×10^6 спрацювань |
| Температура | -40…+85 °C |
| Висота | 15.7 мм |
| Маса | 13 г (прибл.) |
| Захист корпусу | Flux proof, RTII |
Реле HF2160-1A-12DE (30A/240VAC) обмотка на 12V
В наявності
135,83 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Hongfa (Xiamen Hongfa Electroacoustic) |
| Тип | Реле електромагнітне силове, для друкованої плати |
| Контактна група | 1 форма A (замикаюча) |
| Навантаження контактів (AC) | 30 А / 240 VAC |
| Навантаження контактів (DC) | 20 А / 30 VDC |
| Макс. комутована напруга | 277 VAC / 30 VDC |
| Макс. комутована потужність | 11080 ВА / 1200 Вт |
| Опір контактів | 50 мОм (макс., 1 А, 24 VDC) |
| Напруга котушки | 12 В DC |
| Опір котушки | 155 Ом (±10 %, 12 В) |
| Потужність котушки | 900 мВт (прибл.) |
| Напруга спрацювання | 9.00 В DC |
| Напруга відпускання | 1.2 В DC |
| Макс. напруга котушки | 15.6 В DC (короткочасно) |
| Час спрацювання | 15 мс (макс.) |
| Час відпускання | 10 мс (макс.) |
| Опір ізоляції | 1000 МОм (500 VDC) |
| Електрична міцність котушка-контакти | 2500 В AC, 1 хв |
| Електрична міцність між розімкненими контактами | 1500 В AC, 1 хв |
| Температура | -55…+85 °C |
| Механічний ресурс | 1×10^7 спрацювань |
| Маса | 30 г (прибл.) |
Мікросхема TDA7851L оригінал + 10000uF 25V Rubycon + термопаста
В наявності
737,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Кількість каналів | 4 (мостове вмикання) |
| Макс. вихідна потужність на 4 Ом | 48 Вт на канал |
| Потужність при THD = 10 % | 28 Вт (VS = 14,4 В, RL = 4 Ом, f = 1 кГц) |
| Діапазон напруги живлення | 8–18 В (Tamb 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення | 26 дБ |
| Струм спокою | 150 мА (VS = 14,4 В, тип.) |
| Робоча температура | -40…105 °C |
| Корпус | Flexiwatt25 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TB2929AHQ оригінал ( заміна для TB2929HQ )
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Кількість каналів | 4 (BTL) |
| Макс. вихідна потужність (JEITA max) | 47 Вт (VCC = 15,2 В, RL = 4 Ом, f = 1 кГц) |
| Потужність при THD = 10 % | 27 Вт (VCC = 14,4 В, RL = 4 Ом, f = 1 кГц) |
| Робоча напруга живлення | 6–18 В (RL = 4 Ом) |
| Вихідний струм (піковий) | 9 А (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Корпус | HZIP25, 25 виводів |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема OB5282CP оригінал, so-8
В наявності
53,58 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | On-Bright |
| Частота перетворення | 65 кГц (повне навантаження), до 140 кГц (пікове) |
| Напруга на виводі HV, максимум | 500 В (абсолютний максимум) |
| Напруга живлення VDD | 12–28 В (рекомендовані умови) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Робоча температура середовища | -40…85 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема L6386D , so-14
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга силової шини | до 600 В |
| Струм драйвера, виток (source) | 400 мА |
| Струм драйвера, стік (sink) | 650 мА |
| Час наростання / спаду | 50 / 30 нс (навантаження 1 нФ, Vcc 15 В, Tj 25 °C) |
| Стійкість до dV/dt | ±50 В/нс (у всьому температурному діапазоні) |
| Робоча напруга Vcc | до 17 В (рекомендовані умови) |
| Поріг включення UVLO | 12 В (діапазон 11,5–12,5 В; вимкнення 10 В) |
| Корпус | SO-14 |
Мікросхема ISL9241HRTZ ( ISL9241H , 9241H ) оригінал, QFN-32
В наявності
376,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas (Intersil) |
| Тип | Контролер зарядки Li-ion (buck-boost, SMBus) |
| Вхідна напруга | 3.9–23.4 В |
| Вихідна напруга | 3.9–18.304 В |
| Елементів Li-ion | 2–4 шт. |
| Інтерфейс | SMBus/I2C |
| АЦП | 8 біт |
| Температура навколишнього середовища | -10…+100 °C (версія HRTZ) |
| Маркування | 9241H |
| Корпус | 32 Ld 4×4 TQFN, L32.4x4D |
| Стан | Оригінал |
