Магазин
Мікросхема L6388ED оригінал, so-8
В наявності
80,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Призначення | драйвер напівмоста MOSFET/IGBT, технологія BCD offline, виходи у фазі зі входами |
| Напруга живлення верхньої сторони (шина) | до 600 В |
| Вихідний струм (витікання) | 400 мА |
| Вихідний струм (втікання) | 650 мА |
| Час наростання | 70 нс (навантаження 1 нФ) |
| Час спаду | 40 нс (навантаження 1 нФ) |
| Частота перемикання, макс. | 400 кГц (HVG, LVG, CL 1 нФ) |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IRS4427 ( S4427 ) оригінал , so-8
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення Vcc | 6–20 В (рекомендована), 25 В (гранична) |
| Вихідний струм (витікання) | 2,3 А (типово, Vcc 15 В, TA 25 °C) |
| Вихідний струм (втікання) | 3,3 А (типово, Vcc 15 В, TA 25 °C) |
| Затримка вмикання ton | 50 нс (типово, Vcc 15 В, CL 1000 пФ) |
| Затримка вимикання toff | 50 нс (типово, Vcc 15 В, CL 1000 пФ) |
| Робоча температура | -40…125 °C (рекомендована) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG8015 оригінал , QFN39
В наявності
149,93 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EG Micro |
| Корпус | QFN39 (6 × 6 мм) |
| Напруга живлення VDD | 2,0–5,5 В (типово 5 В) |
| Напруга живлення драйверів VDD_12V | 10–20 В (типово 15 В) |
| Напруга високої сторони VB | 600 В (гранична, TA 25 °C) |
| Струм драйвера затвора | ±1,8 А |
| Частота вихідної синусоїди | 50 або 60 Гц |
| Несуча частота SPWM | 20 кГц |
| Мертвий час | 300 нс або 1,0 мкс |
| Робоча температура | -45…105 °C (гранична) |
| Стан | Оригінал |
Діод SFR15F60T2 оригінал, TO220-2pin
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Тип | швидкий (super-fast), одиночний |
| Vrrm | 600 В |
| If(av) | 15 А |
| Ifsm | 100 А (t = 8,3 мс) |
| Vf (макс.) | 2,4 В (If = 20 А; Tc = 25 °C) |
| Ir (макс.) | 5,0 мкА (номінальна Vr; Tc = 25 °C) |
| trr (макс.) | 60 нс (If = 0,5 А, Ir = 1,0 А, Irec = 0,25 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Rth(j-c) | 1,2 °C/Вт (TO-220-2L) |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Стан | Оригінал |
Діодний міст D20XB80 оригінал
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 800 В |
| Прямий струм If(AV) | 20 А (з радіатором) |
| Ударний струм Ifsm | 240 А |
| Пряма напруга Vf | 1,1 В (при 10 А) |
| Корпус | Тонкий SIP («5S») |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS28N50A оригінал (заміна для COS28N50E ), TO247
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 28 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 14 А) | 0,24 Ом (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 300 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор YGW25N120U2 оригінал, TO247
В наявності
133,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semi |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic при 25 °C | 50 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 25 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 75 А (Vge 15 В) |
| Vce(sat) | 1,85 В тип., 2,25 В макс. (Vge 15 В, Ic 25 А, Tj 25 °C) |
| Напруга Vge | ±20 В |
| Потужність Ptot | 210 Вт (Tj 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2800 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK150E09NE ( K150E09NE ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N (U-MOS-H, режим збагачення) |
| Напруга Vds | 85 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 150 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 120 А |
| Rds(on) | 3,6 мОм тип., 5,0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=75 А, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 81 нКл (VDD≈64 В, VGS=10 В, ID=72 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS=10 В, ID=1,0 мА) |
| Потужність Pd | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу Tch | 175 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S68N08R оригінал, TO220
В наявності
69,09 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SI-TECH |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 82 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 52 А |
| Rds(on) | 6,5 мОм тип., 7,8 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 72 нКл (VDD=48 В, VGS=10 В, ID=50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4166 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,4–3,6 В (VGS=VDS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 113 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | 25 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PDP8974 ( DP8974 ) , TO220
В наявності
78,96 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Potens Semiconductor |
| Тип каналу | N, режим збагачення (trench DMOS) |
| Напруга Vds | 80 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 120 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 76 А |
| Опір Rds(on) | 3,2 мОм тип., 3,9 мОм макс. (VGS=10 В, ID=20 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 88 нКл тип., 132 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 5160 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs(th) | 1–2,5 В (тип. 1,6 В) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Напруга Vgs | +20/–12 В |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор NCEP055N10 оригінал ( заміна для KEP055N10T ) , TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power |
| Тип каналу | N (Super Trench II) |
| Напруга Vds | 100 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 110 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 72 А |
| Опір Rds(on) | 5,4 мОм тип., 5,7 мОм макс. (VGS=10 В, ID=55 А) |
| Заряд затвора Qg | 72 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3850 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (тип. 3,0 В) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE85H21C оригінал, TO220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power |
| Тип каналу | N, режим збагачення |
| Напруга Vds | 85 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 210 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 148 А |
| Опір Rds(on) | 4,1 мОм тип., 4,95 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Заряд затвора Qg | 140 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 7600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3,2 В) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE8295AD оригінал , D2PAK
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 82 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 95 А (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 67 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 320 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 6.6 мОм (типове, Vgs 10 В, Id 20 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.9 В (типове, Id 250 мкА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Заряд затвора Qg | 109.3 нКл (типове, Vds 40 В, Id 50 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 170 Вт (Ta 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0.88 °C/Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | NCE (Wuxi NCE Power) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JR150N03P оригінал, TO220
В наявності
249,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 30 В |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 75 А) | 4,1 мОм (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFP140N + IRFP9140N оригінали, TO247
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| IRFP140N: Vds | 100 В |
| IRFP140N: Rds(on) макс. | 0,052 Ом при Vgs 10 В, Id 16 А |
| IRFP140N: Id | 33 А при Vgs 10 В |
| IRFP140N: Idm | 110 А |
| IRFP140N: Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| IRFP9140N: Vds | -100 В |
| IRFP9140N: Rds(on) макс. | 0,117 Ом при Vgs -10 В, Id -13 А |
| IRFP9140N: Id | -23 А при Vgs -10 В |
| IRFP9140N: Idm | -76 А |
| IRFP9140N: Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Vgs | ±20 В |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 6R600P ( IPP60R600CP ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 6.1 А (безперервний, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 15 А (одиночний імпульс, Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.6 Ом (макс., Vgs 10 В, Id 3.3 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–3.5 В (Vds=Vgs, Id 0.22 мА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Потужність Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Тепловий опір канал–корпус | 2.1 °C/Вт (макс.) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG100N20 ( HYG100N20NS1P ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vdss | 200 В |
| Струм стоку Id | 140 А (Tc 25 °C); 98 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on), тип. | 9 мОм (Vgs 10 В, Id 40 А; макс. 10.7 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3.1 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg, тип. | 64 нКл (Vgs 10 В, Vds 160 В, Id 40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4708 пФ (Vds 25 В, f 300 кГц) |
| Потужність Pd | 416 Вт (Tc 25 °C); 208 Вт (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Час відновлення діода trr, тип. | 136 нс (Isd 40 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | HUAYI Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG065N15 ( HYG065N15NS1W ) оригінал, TO247
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 150 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 165 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 116 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 580 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 6.0 мОм (типове, Vgs 10 В, Ids 100 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В (типове, Ids 250 мкА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл (типове, Vds 75 В, Vgs 10 В, Id 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6646 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 375 Вт (Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0.40 °C/Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247A-3L |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG011N04 ( G011N04 , HYG011N04LS1B6 ) оригінал(40V/320A), TO-263-6L
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, режим підсилення |
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 320 А (Tc 25 °C); 227 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 1000 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) при Vgs = 10 В | 0.92 мОм типово, макс. 1.2 мОм (Ids = 50 А) |
| Опір Rds(on) при Vgs = 4.5 В | 1.3 мОм типово, макс. 1.6 мОм (Ids = 50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.8 В типово, діапазон 1–3 В (Vds = Vgs, Ids = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 94.8 нКл при Vgs = 10 В; 45.6 нКл при Vgs = 4.5 В (Vds = 32 В, Ids = 40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5774 пФ (Vds 25 В, f 500 кГц) |
| Потужність Pd | 240 Вт (Tc 25 °C); 120 Вт (Tc 100 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0.62 °C/Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга діода Vsd | 0.75 В типово, макс. 1.3 В (Isd = 20 А, Vgs = 0 В) |
| Час відновлення діода trr | 38.8 нс типово (Isd = 40 А, dIsd/dt = 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-263-6L |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY5208W ( HY5208 ) оригінал (80V,320A), TO247
В наявності
126,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, режим підсилення |
| Напруга Vds | 80 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±25 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 320 А (Tc 25 °C, обмежено температурою переходу); 228 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 1050 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 1.7 мОм типово, макс. 2.0 мОм (Vgs = 10 В, Ids = 160 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В типово, діапазон 2–4 В (Vds = Vgs, Ids = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 298 нКл типово (Vds = 64 В, Vgs = 10 В, Ids = 160 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 12160 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 416 Вт (Tc 25 °C); 208 Вт (Tc 100 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0.36 °C/Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга діода Vsd | 0.8 В типово, макс. 1 В (Isd = 160 А, Vgs = 0 В) |
| Час відновлення діода trr | 76 нс типово (Isd = 160 А, dIsd/dt = 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-247A-3L |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DXG20N65FS оригінал ( заміна для DXG20N65FSEK , DXG20N65FSEU ), TO220F
В наявності
80,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 40 А |
| Струм Ic при 100 °C | 20 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,80 В (тип.) |
| Вбудований діод | так |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS7N60F оригінал, TO220F
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (VDMOS) |
| Напруга стік–витік Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 7 А (TC = 25 °C); 4.4 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 28 А |
| Опір Rds(on) | 1.0 Ом типово, макс. 1,3 Ом (VGS = 10 В, ID = 3,5 А) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 24 нКл типово (VGS = 10 В, VDD = 480 В, ID = 7 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1121 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Енергія лавини EAS | 400 мДж (одиночний імпульс) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRTT045N06N оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал (Trench) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Напруга Vgs | ±25 В |
| Струм стоку Id | 120 А (TC = 25 °C, обмеження корпусом); 100 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 480 А (TC = 25 °C) |
| Rds(on) | 3.3 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 60 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.4–3.6 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 30 В, ID = 60 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4531 пФ |
| Потужність розсіювання Pd | 184 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CR Micro |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRST073N15N оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал (SkyMOS1) |
| Напруга Vds | 150 В |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Струм стоку Id | 85 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 540 А (TC = 25 °C) |
| Rds(on) | 6.2 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 60 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 79 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 75 В, ID = 60 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5416 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 227 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CRMICRO |
| Стан | Оригінал |