Магазин

Показано 3937–3960 із 6336Сортовано за останнім

Показати 20 40 80

Мікросхема LTK5128 , so-8

Немає в наявності

30,55 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникLTKCHIP
Напруга живлення VDD2,5–5,5 В (клас D, Ta 25 °C)
Макс. напруга живлення6,0 В (абсолютний максимум, Ta 25 °C)
Вихідна потужність на 4 Ом2,9 Вт (VDD = 5 В, THD+N = 10 %, f = 1 кГц, клас D)
Коефіцієнт спотворень THD+N0,12 % (VDD = 5 В, Po = 0,6 Вт, RL = 8 Ом, f = 1 кГц, клас D)
Частота перемикання (клас D)480 кГц
Струм споживання (клас D)5 мА (типове; MODE = VDD, VDD = 5 В, IO = 0 А)
Розсіювана потужність1 Вт (абсолютний максимум, Ta 25 °C)
КорпусESOP-8

Транзистор ST18N60M2 ( STF18N60M2 , 18N60M2 ) оригінал (заміна для FQPF18N60 , FQPF18N60C , FDPF18N60 , FCPF18N60 , STF18NM60N , SVF18N60F ) , TO220F

Немає в наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds600 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В; 650 В при Tj max)
Струм стоку Id (25 °C)13 А (TC = 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)8 А (TC = 100 °C)
Імпульсний струм стоку52 А
Опір Rds(on)0,255 Ом тип., 0,280 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 6,5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В, тип. 3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg21,5 нКл (VDD = 480 В, ID = 13 А, VGS = 0–10 В)
Потужність Pd25 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
Ізоляція корпусу2,5 кВ ефект. (t = 1 с, TC = 25 °C)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор GW38IH130D ( STGW38IH130D ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P

Немає в наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга колектор-емітер Vces1300 В (VGE = 0)
Струм колектора Ic (100 °C)33 А (TC = 100 °C)
Напруга насичення Vce(sat)2.1 В тип., 2.8 В макс. (VGE = 15 В, Ic = 20 А, TC = 25 °C)
Порогова напруга Vge(th)3.75–5.75 В
Пряма напруга діода Vf1.9 В (If = 20 А)
Вбудований діодтак, антипаралельний (free-wheeling)
КорпусTO-3P
ВиробникSTMicroelectronics
Вхідна ємність Cies2900 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Реле JQ1a-12V обмотка на 12V (5A/250V)

Немає в наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
Контакти1 Form A (1 замикаючий)
Напруга котушки12 В DC
Опір котушки720 ±10% Ом (20 °C)
Струм котушки16,7 мА (20 °C)
Потужність котушки200 мВт (20 °C)
Напруга спрацюванняне більше 75 % номіналу
Напруга відпусканняне менше 5 % номіналу
Час спрацюванняне більше 20 мс
Час відпусканняне більше 10 мс
Електрична міцність контакт–котушка4000 В (ср. кв.), 1 хв

Реле G2R-2-12VDC ( G2R-2 12VDC , G2R-2 12V )(5A/250V) 2 групи

Немає в наявності

352,50 ₴
ПараметрЗначення
СеріяG2R
ТипРеле електромеханічне силове, для друкованої плати
Контакти2 групи перемикальні (DPDT, 2c)
Матеріал контактівAg-сплав (без Cd)
Напруга котушки12 В DC
Струм котушки43,6 мА (при 23 °C)
Опір котушки275 Ом (при 23 °C, допуск ±10 %)
Потужність котушкиблизько 0,53 Вт (при 23 °C)
Напруга спрацюванняне більше 70 % номіналу (при 23 °C)
Напруга відпусканняне менше 15 % номіналу (при 23 °C)
Навантаження AC, активне5 А при 250 В AC
Навантаження AC, індуктивне2 А при 250 В AC, cos = 0,4
Навантаження DC, активне5 А при 30 В DC
Макс. комутована напруга380 В AC, 125 В DC
Опір контактівне більше 50 мОм (5 В DC, 1 А)
Час спрацюванняне більше 15 мс
Час відпусканняне більше 5 мс
Електрична міцність котушка–контакти5000 В AC (50/60 Гц, 1 хв)
Електрична міцність між полюсами3000 В AC (50/60 Гц, 1 хв)
Механічний ресурсне менше 20 000 000 спрацювань
Електричний ресурсне менше 100 000 спрацювань
Робоча температура-40…70 °C, без обмерзання
Масаблизько 17 г

Мікросхема GD32F305RBT6 оригінал, LQFP64

Немає в наявності

256,15 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникGigaDevice
Тип32-бітний мікроконтролер, Arm Cortex-M4
КорпусLQFP64
Частота ядрадо 120 МГц
Flash128 КБ
SRAM64 КБ
Напруга живлення VDD2.6–3.6 В (тип. 3.3 В)
Лінії GPIO51
Таймери4 загального призначення, 1 розширений, 2 базові (16 біт), SysTick
ІнтерфейсиUSART – 3, UART – 2, I2C – 2, SPI – 3, I2S – 2, CAN – 2, USBFS – 1
АЦП12 біт, 2 блоки, 16 каналів, до 2.6 MSPS
ЦАП12 біт, 2 канали
Робоча температура-40…+85 °C
СтанОригінал

Транзистор H20R1203 ( IHW20N120R3 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

Немає в наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипIGBT з вбудованим діодом
КорпусTO-247
Напруга Vce1200 В (Vge = 0, Ic = 0,5 мА)
Струм Ic40 А (Tc = 25 °C); 20 А (Tc = 100 °C)
Vce(sat)1,48 В (Vge = 15 В, Ic = 20 А, Tvj = 25 °C)
Заряд затвора Qg211 нКл (Vcc = 960 В, Ic = 20 А, Vge = 15 В)
Потужність Ptot310 Вт (Tc = 25 °C)
Макс. температура переходу175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Тактова кнопка 4pin 6х6мм,шток=3.5мм

Немає в наявності

2,82 ₴

Транзистор CS30N50 оригінал, TO-3P

Немає в наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал (VDMOS)
ВиробникCR Micro
КорпусTO-3P
Напруга Vds500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм Id (Tc 25 °C)30 А
Струм Id (Tc 100 °C)18.6 А
Rds(on), Vgs 10 В0.09 Ом (тип.), 0.12 Ом (макс.) при Id 15 А
Vgs(th)2.0–4.0 В (Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg153 нКл (тип.) (Id 30 А, Vdd 400 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss7857.9 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd250 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
trr діода482 нс (тип.) при Is 30 А, dIf/dt 100 А/мкс
СтанОригінал

Мікросхема TNY266PN ( TNY266P ) демонтаж (заміна для TNY265PN ), DIP7

Немає в наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPower Integrations
Напруга пробою стоку BVDSS700 В мін. (VBP = 6,2 В, VEN/UV = 0 В, Tj 25 °C)
Струм обмеження ILIMIT350 мА (типове, Tj 25 °C, di/dt = 70 мА/мкс)
Опір відкритого каналу RDS(on)14 Ом (типове, ID = 35 мА, Tj 25 °C)
Частота перетворення132 кГц (середня, Tj 25 °C, з частотним джитером)
Макс. коефіцієнт заповнення65 % (типове)
Вихідна потужність (адаптер), 230 В AC ±15 %10 Вт (50 °C)
Вихідна потужність (відкрита рама), 230 В AC ±15 %15 Вт (50 °C)
КорпусDIP7
СтанДемонтаж б/в

Транзистор STP14NK50ZFP оригінал демонтаж, TO-220F

Немає в наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В)
Струм стоку Id (25 °C)14 А (TC = 25 °C, TO-220FP, обмежено температурою переходу)
Струм стоку Id (100 °C)7,6 А (TC = 100 °C, TO-220FP)
Імпульсний струм стоку48 А (TO-220FP)
Опір Rds(on)0,340 Ом тип., 0,380 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 6 А)
Порогова напруга Vgs(th)3,00–4,50 В, тип. 3,75 В (VDS = VGS, ID = 100 мкА)
Заряд затвора Qg69 нКл тип., 92 нКл макс. (VDD = 400 В, ID = 12 А, VGS = 0–10 В)
Потужність Pd35 Вт (TC = 25 °C, TO-220FP)
Макс. температура переходу150 °C
Ізоляція корпусу2,5 кВ ефект. (TC = 25 °C, t = 1 с)
КорпусTO-220F
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FGD3040G2 оригінал, D-PAK

Немає в наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга пробою BVCER400 В (Ice 2 мА, Vge = 0, Rge 1 кОм)
Струм Ic (Tc 25 °C)41 А (Vge 5 В)
Струм Ic (Tc 110 °C)25,6 А (Vge 5 В)
Напруга насичення Vce(sat)1,15 В (Ice 6 А, Vge 4 В, Tj 25 °C, типове)
Порогова напруга Vge(th)1,7 В (Ice 1 мА, Vce = Vge, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg(on)21 нКл (Ice 10 А, Vce 12 В, Vge 5 В)
Потужність Pd150 Вт (Tc 25 °C)
Енергія SCIS300 мДж (Tj 25 °C, L 3 мГн, Iscis 14,2 А, Vcc 100 В)
Макс. температура переходу Tj175 °C
ТипN-канал, логічний рівень керування затвором
КорпусD-PAK (DPAK3, TO-252)
СтанОригінал

Реле ALDP124 (5A/250V)( заміна для ALD124 , HF46F/24-HS1 , HF46F-G/24-HS1 , CU11-24S , PCJ-124D3M , JZC-43F-024V )

Немає в наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
Напруга котушки24 В DC
Струм/напруга контактів5 А / 250 В AC / 30 В DC (85 °C)
Опір котушки2880 Ом ±10% (23 °C)
Потужність котушки≈0,2 Вт
Напруга спрацювання, макс.18,0 В DC
Напруга відпускання, мін.1,20 В DC
Час спрацювання, макс.10 мс
Час відпускання, макс.10 мс
Габарити20,5×7,0×15,3 мм
Робоча температура-40…+85 °C

Діод HFA16PB120 оригінал демонтаж(1200V,16A), TO247-2pin

Немає в наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInternational Rectifier
Типнадшвидкий діод HEXFRED, одинарний
VR1200 В
IF(AV)16 А (Tc 100 °C)
IFSM190 А (одиночний імпульс)
Vf2.5 В (тип., IF = 16 А, Tj 25 °C)
trr30 нс (тип., IF = 1,0 А, dif/dt = 200 А/мкс, VR = 30 В)
Pd151 Вт (Tc 25 °C)
Tj max150 °C
КорпусTO-247-2
Корпус (докладно)TO247-2pin (TO-247AC Modified)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Діод ETH3006S ( VS-ETH3006S-M3 ) оригінал (заміна для 30ETH06S ) , TO263

Немає в наявності

162,15 ₴
ПараметрЗначення
Повторювана зворотна напруга Vrrm600 В
Середній прямий струм If(av)30 А (Tc 95 °C)
Пряма напруга Vf2.0 В (If 30 А, Tj 25 °C, типово; макс. 2,65)
Пряма напруга Vf (150 °C)1.4 В (If 30 А, Tj 150 °C, типово; макс. 1,8)
Час зворотного відновлення trr26 нс (If 1 А, dIf/dt 50 А/мкс, Vr 30 В, типово; макс. 35)
Ємність переходу Ct20 пФ (Vr 600 В)
Макс. температура переходу Tj175 °C
Тепловий опір перехід–корпус0.95 °C/Вт (типово; макс. 1,4)
КорпусD2PAK
Конфігураціяодиночний
ВиробникVishay
СтанОригінал

Флюс-паста F-2000 ( F2000 )(Баночка 25грм.Флюс-паста для пайки електронних пристроїв та друкованих плат)

Немає в наявності

112,80 ₴
ПараметрЗначення
Типфлюс-паста для пайки електронних пристроїв та друкованих плат
МаркаF-2000 (Ф-2000)
Маса25 ± 3 г
Упаковкабаночка
Розмір банки (діаметр x висота)30 x 47 мм
Колірв’язка пастоподібна маса темно-зеленого кольору
Складпінен, каніфоль жива, жирні кислоти (без галогенних активаторів)
Температура плавлення60–70 °C
Температура активності250–310 °C

Мікросхема FSFR1800L

Немає в наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
Напруга сток–витік500 В (ID 200 мкА, TA 25 °C)
Опір відкритого каналу0,95 Ом макс. (VGS 10 В, ID 3,0 А)
Постійний струм стоку7,0 А (TC 25 °C)
Потужність розсіювання23 Вт (на один MOSFET, коли відкриті обидва)
Час відновлення діода160 нс макс. (VGS 0 В, ID діода 7,0 А)
Робоча частотадо 300 кГц
Мертвий час350 нс (фіксований)
Вихідна потужність без радіатора120 Вт (VIN 350–400 В)
Температура переходу–40…+130 °C (рекомендована)
Корпус9-SIP (L-forming)

Транзистор JNG15N120HS2 оригінал, TO247

Немає в наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникJiaen
Напруга Vces1200 В
Струм Ic (Tc 25 °C)30 А
Струм Ic (Tc 100 °C)15 А
Vce(sat) тип. (Vge 15 В, Ic 15 А, Tc 25 °C)2.2 В
Потужність Pd (Tc 25 °C)180 Вт
Вхідна ємність Cies550 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор VS8402ATH ( 8402ATH ) оригінал, TO220

Немає в наявності

57,34 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds80 В
Струм стоку Id160 А (TC 25 °C), 113 А (TC 100 °C), VGS=10 В
Rds(on)4.5 мОм тип., 6 мОм макс. (VGS=10 В, ID=80 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)3.1 В тип. (2.6–3.6 В; VDS=VGS, ID=250 мкА)
Qg144 нКл тип. (VDS=40 В, ID=40 А, VGS=10 В)
Вхідна ємність Ciss8655 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Pd259 Вт (TC 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникVergiga
СтанОригінал

Оптрон TLP351 , SOP-8

Немає в наявності

85,54 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникToshiba
Тип виходуIC-драйвер (фотоприймач з вихідним каскадом)
Піковий вихідний струм±0,6 А (максимум)
Напруга живлення10–30 В
Пороговий вхідний струм IFLH5 мА (максимум; VCC 10–30 В)
Струм споживання2 мА (максимум)
Час перемикання tpLH/tpHL700 нс (максимум)
Стійкість до синфазних перешкод±10 кВ/мкс (мінімум)
Напруга ізоляції Viso3750 В ефективне (AC, 1 хв, R.H. ≤ 60 %)
Прямий струм If max20 мА (Ta 25 °C)
Робоча температура-40…100 °C

Транзистор IRFP264 ( IRFP264PBF ) оригінал , TO247

Немає в наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds250 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)38 А (VGS = 10 В, TC = 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)24 А (VGS = 10 В, TC = 100 °C)
Імпульсний струм стоку150 А
Опір Rds(on)0,075 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 23 А)
Порогова напруга Vgs(th)2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg210 нКл макс. (VGS = 10 В, ID = 38 А, VDS = 200 В)
Потужність Pd280 Вт (TC = 25 °C)
Напруга затвор–витік±20 В
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Мікросхема EG3525 , so-16

Немає в наявності

71,44 ₴
ПараметрЗначення
Напруга живлення VCC8–35 В (TA 25 °C, VCC 15 В)
Напруга живлення, макс.36 В (абсолютний максимум)
Опорна напруга5,1 В (±2 %)
Діапазон частоти генератора100 Гц – 500 кГц
Вихідний струм, макс.500 мА (абсолютний максимум)
Потужність розсіювання1000 мВт (TA 25 °C)
Струм плавного старту50 мкА (вивід 8)
КорпусSO-16

Транзистор H15R1202 ( IHW15N120R2 ) оригінал, TO-247

Немає в наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces1200 В
Струм Ic (Tc 25 °C)30 А
Струм Ic (Tc 100 °C)15 А
Заряд затвора Qg133 нКл (VCC 960 В, Ic 15 А, VGE 15 В)
Потужність Ptot357 Вт (Tc 25 °C)
Енергія вимкнення Eoff0,9 мДж (VCC 600 В, Ic 15 А, VGE 0/15 В, Rg 14,8 Ом, Tj 25 °C)
Час спаду tf62 нс (VCC 600 В, Ic 15 А, VGE 0/15 В, Rg 14,8 Ом, Tj 25 °C)
Вбудований діодє, монолітний
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Мікросхема CM6800G оригінал демонтаж, DIP16

Немає в наявності

69,09 ₴
ПараметрЗначення
Напруга живлення VCC10–18 В (робоча, вивід 13)
Напруга шунтового стабілізатора VCC16,5 В
Струм запуску55 мкА (типово)
Робочий струм2,5 мА (типово)
Максимальна шпаруватість ШІМ50 % (цифрова точність)
Опорна напруга підсилювача помилки PFC2,52 В (типово; VCC 14 В)
КорпусDIP16
СтанОригінал, демонтаж б/в