Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор VS8402ATH ( 8402ATH ) оригінал, TO220
57,34 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
VS8402ATH (8402ATH) – потужний N-канальний MOSFET Vergiga на 80 В і 160 А для швидких перемикачів. Оригінал, корпус TO-220.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм стоку Id | 160 А (TC 25 °C), 113 А (TC 100 °C), VGS=10 В |
| Rds(on) | 4.5 мОм тип., 6 мОм макс. (VGS=10 В, ID=80 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.1 В тип. (2.6–3.6 В; VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Qg | 144 нКл тип. (VDS=40 В, ID=40 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 8655 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 259 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Vergiga |
| Стан | Оригінал |
VS8402ATH (маркування 8402ATH) – N-канальний польовий транзистор Vergiga, режим збагачення, з вбудованим діодом. За даташитом (VS8402ATH, Rev B, APR 2022) напруга Vds – 80 В при VGS=0 В, ID=250 мкА, Tj 25 °C. Струм стоку Id – 160 А при TC 25 °C і 113 А при TC 100 °C, VGS=10 В. Опір відкритого каналу Rds(on) – 4.5 мОм типове і 6 мОм максимальне при VGS=10 В, ID=80 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) – 3.1 В типова (2.6–3.6 В) при VDS=VGS, ID=250 мкА. Заряд затвора Qg – 144 нКл типове (максимум 192 нКл) при VDS=40 В, ID=40 А, VGS=10 В. Вхідна ємність Ciss типово 8655 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 259 Вт при TC 25 °C, температура переходу Tj – від -55 до 175 °C. Діод: Vsd 0.9 В типове при ISD=80 А, trr 33 нс типове при ISD=40 А, di/dt=100 А/мкс.
Оригінал, не демонтаж. Корпус TO-220AB. Щоб підібрати заміну, порівнюйте канал, Vds, Id, Rds(on) і корпус; при більшому Qg перевірте драйвер затвора. Аналог із нашого каталогу в тому ж корпусі – у таблиці аналогів. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Потужний комутаційний N-канальний MOSFET для швидких перемикачів з високим ККД
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 80, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×160=128, Rds(on) Vgs 10 В typ 3.5 ≤ 1.3×4.5=5.85 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Qg 119 нКл проти 144 нКл | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити VS8402ATH?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з такою самою або вищою напругою Vds, достатнім струмом Id і Rds(on) не гіршим за наш за VGS=10 В. Варіант з нашого каталогу – у таблиці аналогів.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує VS8402ATH?
Id – 160 А при TC 25 °C і 113 А при TC 100 °C, VGS=10 В.
Чи є вбудований діод?
Так. Vsd 0.9 В типове при ISD=80 А, trr 33 нс типове при ISD=40 А, di/dt=100 А/мкс.
Документація виробника: VS8402ATH (Vergiga).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.