Магазин
Транзистор STD12NM50N (550V,11A,0.38R) , D-PAK(Заміна для FDD8N50NZ )
Немає в наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, MDmesh II |
| Напруга Vds | 500 В (550 В при Tj max) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 6,7 А |
| Опір Rds(on) | 0,29 Ом тип., 0,38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5,5 А; TC 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.) (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 100 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 340 нс (ISD = 11 А, di/dt = 100 А/мкс, VDD = 100 В) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Мікросхема TC4422 , DIP8
Немає в наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip |
| Призначення | швидкий драйвер потужних MOSFET і IGBT з піковим струмом 9 А |
| Робоча напруга живлення | 4,5–18 В |
| Максимальна напруга живлення | 20 В |
| Піковий вихідний струм | 9,0 А (VDD 18 В) |
| Постійний вихідний струм | 2 А (макс.) |
| Час наростання | 60 нс (тип.; макс. 75 нс; CL 10 000 пФ, Ta 25 °C) |
| Час спаду | 60 нс (тип.; макс. 75 нс; CL 10 000 пФ, Ta 25 °C) |
| Затримка розповсюдження | 30–33 нс (тип.; макс. 60 нс; Ta 25 °C) |
| Корпус | DIP8 |
Оптрон TLP421F ( P421F , TLP421 , P421 )
Немає в наявності
17,86 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип виходу | фототранзистор |
| Напруга Vceo | 80 В (мінімум) |
| Коефіцієнт передачі струму CTR | 50 % (мінімум; клас GB – мінімум 100 %) |
| Напруга ізоляції Viso | 5000 В ефективне (AC, мінімум) |
| Корпус | DIP-4 (крок 10,16 мм) |
| Кількість виводів | 4 |
Оптрон TCET1103 ( ET1103 ) , 4pin
Немає в наявності
11,28 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Тип виходу | фототранзистор |
| Коефіцієнт передачі струму CTR | 100–200 % (IF = 10 мА) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 70 В (Ic = 1 мА, мін.) |
| Струм колектора Ic | 50 мА (Tamb 25 °C) |
| Прямий струм LED If max | 60 мА (Tamb 25 °C) |
| Пряма напруга LED Vf | 1.25 В тип., 1.6 В макс. (IF = 50 мА) |
| Напруга ізоляції Viso | 5000 В діюче (1 хв) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.3 В макс. (IF = 10 мА, Ic = 1 мА) |
| Гранична частота fc | 110 кГц тип. (VCE = 5 В, IF = 10 мА, RL = 100 Ом) |
| Робоча температура | -40…+100 °C |
| Корпус | DIP-4 |
Оптрон PS2561 , DIP4
Немає в наявності
18,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | NPN кремнієвий фототранзистор, вхід – GaAs світлодіод |
| Корпус | DIP-4 |
| Виробник (документ) | Renesas (раніше NEC) |
| Напруга ізоляції | 5000 В (ср. кв.), AC 1 хв, TA 25 °C, RH 60 % |
| Напруга колектор-емітер Vceo | 80 В, TA 25 °C |
| Струм колектора Ic, макс. | 50 мА, TA 25 °C |
| Прямий струм діода If (DC), макс. | 80 мА, TA 25 °C |
| CTR | мін. 80 %, тип. 200 %, макс. 400 %, If 5 мА, Vce 5 В, TA 25 °C |
| Vce(sat) | макс. 0,3 В, If 10 мА, Ic 2 мА, TA 25 °C |
| Робоча температура | -55…+100 °C |
Оптрон PC123
Немає в наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | фототранзистор |
| Коефіцієнт передачі струму CTR | 50–400 % (IF 5 мА, VCE 5 В, Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 70 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 50 мА (Ta 25 °C) |
| Прямий струм LED If max | 50 мА (Ta 25 °C) |
| Пряма напруга LED Vf | 1.2 В (тип.), 1.4 В (макс.) при IF 20 мА |
| Напруга ізоляції Viso | 5 кВ (діюче, 1 хв, вологість 40–60 %) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.1 В (тип.), 0.2 В (макс.) при IF 20 мА, Ic 1 мА |
| Потужність Pd | 200 мВт (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -30…+100 °C |
| Корпус | DIP-4 |
Оптрон MOC3062
Немає в наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | фототріак з детектором переходу через нуль |
| Пікова блокуюча напруга Vdrm | 600 В |
| Струм спрацьовування LED Ift | 10 мА (макс., напруга на головних виводах 3 В) |
| Прямий струм LED If max | 60 мА (безперервний) |
| Пряма напруга LED Vf | 1.3 В (тип.), 1.5 В (макс.) при IF 30 мА, Ta 25 °C |
| Напруга ізоляції Viso | 7500 В (пік, 60 Гц, 1 с) |
| dv/dt | 600 В/мкс (мін.), 1500 В/мкс (тип.), статичний, Ta 25 °C |
| Напруга у відкритому стані Vtm | 1.8 В (тип.), 3 В (макс.) при ITM 100 мА |
| Струм утримання Ih | 250 мкА (тип., в обох напрямках) |
| Потужність Pd | 250 мВт (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | DIP-6 |
Оптрон MOC3052
Немає в наявності
28,67 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | фототріак (triac driver) |
| Пікова блокуюча напруга Vdrm | 600 В (мін., Ta 25 °C) |
| Струм спрацьовування LED Ift | 10 мА (макс., напруга на головних виводах 3 В) |
| Прямий струм LED If max | 50 мА (Ta 25 °C) |
| Пряма напруга LED Vf | 1.15 В (тип.), 1.5 В (макс.) при IF 20 мА |
| Напруга ізоляції Viso | 5000 В (діюче, 1 хв, вологість 40–60 %) |
| dv/dt | 1000 В/мкс (мін., Vin 240 В діюче, статичний) |
| Напруга у відкритому стані Vtm | 1.7 В (тип.), 3.0 В (макс.) при ITM 100 мА (пік) |
| Повторюваний імпульсний струм Itsm | 1 А (PW 1 мс, 120 імп./с) |
| Робоча температура | -40…+100 °C |
| Корпус | DIP-6 |
Оптрон MOC3043 , DIP6
Немає в наявності
28,67 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | фототріак з детектором переходу через нуль |
| Напруга Vdrm | 400 В (Ta 25 °C) |
| Струм спрацьовування Ift | 5 мА макс. (VTM 3 В) |
| Прямий струм LED | 50 мА (Ta 25 °C) |
| Пряма напруга LED Vf | 1,2 В тип., 1,4 В макс. (IF 20 мА) |
| Напруга Vtm | 3,0 В макс. (ITM 100 мА, пік) |
| Напруга блокування Vinh | 20 В макс. (IF = номінальний Ift) |
| Потужність Pd | 250 мВт (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -40…+100 °C |
| Корпус | DIP-6 |
Оптрон MOC3041
Немає в наявності
21,15 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | фотосимістор з перемиканням у нулі напруги (zero cross) |
| Напруга Vdrm | 400 В мін. (IDRM 500 нА) |
| Струм спрацювання Ift | 15 мА макс. (VTM 3 В) |
| Ізоляційна напруга вхід–вихід | 5300 В ефект. (7500 В пікових; входи й виходи закорочені) |
| dV/dt | 600 В/мкс мін., 1500 В/мкс тип. |
| Макс. прямий струм діода | 50 мА (25 °C) |
| Імпульсний струм виходу | 1 А (PW 100 мкс, 120 імп./с) |
| Напруга Vtm | 3,0 В макс. (ITM 100 мА, імпульс) |
| Пряма напруга діода Vf | 1,2 В тип., 1,4 В макс. (IF 20 мА) |
| Напруга блокування | 20 В макс. (IF = номінальний Ift) |
| Робоча температура | -40…+100 °C |
| Корпус | DIP-6 |
Оптрон MOC3020
Немає в наявності
18,33 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | фотосимістор (драйвер симістора) |
| Напруга Vdrm | 400 В мін. (Tamb 25 °C) |
| Струм спрацювання Ift | 30 мА макс. (напруга на головних виводах 3 В) |
| Ізоляційна напруга вхід–вихід | 5000 В (ефект.) |
| dV/dt | 1000 В/мкс мін. (Vin 240 В ефект., статичне) |
| Макс. прямий струм діода | 50 мА (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм виходу Itsm | 1 А (PW 1 мс, 120 імп./с) |
| Напруга Vtm | 1,7 В тип., 3,0 В макс. (ITM 100 мА, імпульс) |
| Пряма напруга діода Vf | 1,15 В тип., 1,5 В макс. (IF 20 мА) |
| Робоча температура | -40…+100 °C |
| Корпус | DIP-6 |
Оптрон H11D1
Немає в наявності
39,01 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP-6 |
| Тип виходу | фототранзистор з виводом бази |
| Vceo | 300 В (Tamb 25 °C, ICE 1 мА, RBE 1 МОм) |
| CTR | від 20 % (IF 10 мА, VCE 10 В) |
| Напруга ізоляції | 5000 В (ефект., UL1577, t = 1 хв) |
| Прямий струм діода | 60 мА (Tamb 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 50 мА (Tamb 25 °C) |
| Vce(sat) | 0,25 В тип., 0,4 В макс. (IF 10 мА, IC 0,5 мА, RBE 1 МОм) |
| Пряма напруга Vf | 1,2 В тип., 1,5 В макс. (IF 10 мА) |
| Робоча температура | -55…+100 °C |
Оптрон CNY17-4 ( CNY17F-4 )
Немає в наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP-6 |
| Тип виходу | фототранзистор |
| CTR | 160–320 % (IF 10 мА, VCE 5 В, Ta 25 °C) |
| Напруга ізоляції | 5000 В (ефект.) |
| Vceo | 70 В (Ta 25 °C) |
| Прямий струм діода | 60 мА (Ta 25 °C) |
| Vce(sat) | 0,3 В макс. (IF 10 мА, IC 2,5 мА) |
| Потужність Pd | 250 мВт (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -55…+100 °C |
Оптрон CNY17-2
Немає в наявності
13,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Корпус | DIP-6 |
| Тип виходу | фототранзистор NPN з виводом бази |
| CTR | 63–125 % (VCE 5 В, IF 10 мА, Tamb 25 °C) |
| Напруга ізоляції | 5000 В (ефект., t = 1 хв) |
| Vceo | 70 В (Tamb 25 °C) |
| Прямий струм діода | 60 мА (Tamb 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 50 мА (постійний) |
| Vce(sat) | 0,25 В тип., 0,4 В макс. (IF 10 мА, IC 2,5 мА) |
| Потужність Pd | 250 мВт (Tamb 25 °C) |
| Робоча температура | -55…+110 °C |
Мікросхема YDA138-E ( YDA138 – EZ ) , smd
Немає в наявності
202,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | YAMAHA |
| Корпус | SSOP, 42 виводи |
| Вихідна потужність, 2 канали | 10 Вт × 2 (VDDP 12 В, RL 8 Ом, THD+N 10 %) |
| Вихідна потужність, 1 канал (міст) | 20 Вт (VDDP 12 В, RL 4 Ом, THD+N 10 %) |
| Потужність підсилювача навушників | 50 мВт × 2 (VDDP 12 В, RL 32 Ом, THD+N 10 %) |
| Напруга живлення | 9,0–13,5 В (номінально 12 В) |
| Коефіцієнт гармонік THD+N | 0,02 % (VDDP 12 В, RL 8 Ом, Po 1,0 Вт) |
| Частота несучої | 524 / 466 кГц (перемикається) |
| Допустима потужність розсіювання | 2,7 Вт (Ta 25 °C) |
Мікросхема XL4016E1 ( XL4016 ) оригінал, TO220
Немає в наявності
85,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | XLSEMI |
| Корпус | TO220-5 |
| Вхідна напруга Vin | 8–36 В (Ta 25 °C) |
| Вихідна напруга | 1,25–32 В |
| Вихідний струм | 12 А (Vin 20–36 В, Vout 5 В; при Vin 8–20 В і Vout 5 В – 9 А) |
| Частота перетворення | 180 кГц (144–216 кГц, Vin 24 В, Ta 25 °C) |
| Струм обмеження ключа | 14 А (VFB = 0 В, Vin 24 В) |
| Опір ключа PMOS | 40 мОм (тип.; макс. 50 мОм; VFB = 0 В, Vin 24 В, ISW 12 А) |
| Робоча температура переходу | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема XL4015E1 ( XL4015 ) , TO263-5
Немає в наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | XLSEMI |
| Корпус | TO263-5 |
| Вхідна напруга Vin | 8–36 В (абсолютний максимум –0,3…40 В) |
| Вихідна напруга | 1,25–32 В |
| Вихідний струм | 5 А |
| Частота перетворення | 180 кГц (144–216 кГц) |
| Струм обмеження ключа | 7 А (VFB = 0 В) |
| Опір ключа PMOS | 60 мОм (тип.; макс. 80 мОм; VFB = 0 В, Vin = 12 В, ISW = 5 А) |
| Робоча температура переходу | –40…125 °C |
Мікросхема XL4005E1 ( XL4005 ) , TO263-5
Немає в наявності
36,66 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | XLSEMI |
| Корпус | TO263-5 |
| Вхідна напруга Vin | 5–32 В |
| Вихідна напруга | 0,8–30 В |
| Вихідний струм | 5 А (постійний) |
| Частота перетворення | 300 кГц (240–360 кГц) |
| Струм обмеження ключа | 8 А (VFB = 0 В, Ta = 25 °C) |
| ККД | 90 % (Vin = 12 В, Vout = 5 В, Iout = 5 А) |
| Робоча температура переходу | –40…125 °C |
Мікросхема VIPer26L , so-16
Немає в наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | off-line перетворювач, ШІМ + силова частина 800 В |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Пробивна напруга стік-витік | 800 В (ID 1 мА, VCOMP = GND, Tj 25 °C, мін.) |
| Rds(on) | 7 Ом (ID 0,2 А, Tj 25 °C, тип.; 14 Ом при Tj 125 °C) |
| Обмеження струму стоку | 0,7 А (ILIM −10 мкА, VCOMP 3,3 В, Tj 25 °C) |
| Частота перемикання (тип L) | 60 кГц (54–66 кГц) |
| Напруга обмеження VDD | 23,5 В (IDD 15 мА) |
| Типова потужність (адаптер) | 18 Вт (230 В AC); 10 Вт (85–265 В AC) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | SO-16 |
Мікросхема VIPer26L оригінал, DIP7
Немає в наявності
126,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | DIP7 |
| Напруга стоку V(BR)DSS | 800 В (IDRAIN = 1 мА, TJ = 25 °C) |
| Обмеження струму стоку | 0,7 А (мін. 0,66 / макс. 0,74 А; ILIM = –10 мкА, VCOMP = 3,3 В, TJ = 25 °C) |
| Частота перетворення (тип L) | 60 кГц (54–66 кГц, з джитером) |
| Напруга живлення VDD | 11,5–23,5 В (TJ –25…125 °C) |
| Споживання в режимі очікування | <50 мВт (265 В AC) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема VIPer20A ( VIPER20 ) , DIP8
Немає в наявності
82,25 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга стік–витік VDSS | 700 В (ID = 1 мА, VCOMP = 0 В) |
| Струм силового ключа | 0,5 А |
| Опір відкритого каналу RDS(on) | 15,5 Ом (тип.; макс. 18 Ом; ID = 0,4 А, TJ = 25 °C) |
| Частота перетворення | до 200 кГц |
| Напруга живлення VDD | 0–15 В (абсолютний максимум) |
| Температура теплового відключення | 170 °C |
Демонтаж
Мікросхема VIPer17L ( VIPER17H ) демонтаж, DIP7
Немає в наявності
53,58 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Високовольтний імпульсний регулятор для flyback-перетворювача, ШІМ з керуванням по струму |
| Напруга стоку, макс. | 800 В (V(BR)DSS при IDRAIN 1 мА) |
| Робоча напруга живлення VDD | 8,5–23,5 В (TJ –25…125 °C) |
| Обмеження струму стоку | 0,4 А (мін. 0,38 / макс. 0,42 А; VDD 14 В, TJ –25…125 °C) |
| Частота перетворення, тип L | 60 кГц (54–66 кГц) |
| Частота перетворення, тип H | 115 кГц (103–127 кГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема VIPer12A , DIP8
Немає в наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Струмовий ШІМ-контролер і високовольтний силовий MOSFET на одному кристалі |
| Напруга стік–витік, пробивна | 730 В (ID 1 мА, VFB 2 В, мін.) |
| Обмеження піка струму стоку | 0.4 А (VFB 0 В, типово, 0.32–0.48 А) |
| Опір відкритого каналу rDS(on) | 27 Ом (ID 0.2 А, TJ 25 °C, типово, макс. 30 Ом) |
| Частота перетворення | 60 кГц (фіксована, 54–66 кГц у діапазоні TJ 0…100 °C) |
| Напруга живлення VDD | 9…38 В |
| Поріг захисту від перенапруги VDD | 42 В (типово, 38–46 В) |
| Температура зберігання | –55…150 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема ULN2803A оригінал ( заміна для ULN2803APG , TD62083AP ) , DIP18
Немає в наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Конфігурація | 8 каналів Дарлінгтона із загальним емітером, вбудовані захисні діоди |
| Вихідна напруга | 50 В макс. у закритому стані |
| Струм колектора | 500 мА на канал, піковий 600 мА |
| Вхідна напруга (макс.) | 30 В |
| Потужність розсіювання | 1 Вт на Дарлінгтон, 2,25 Вт на корпус |
| Робоча температура | -20…85 °C |
| Корпус | DIP-18 |
| Стан | Оригінал |