Магазин

Показано 4489–4512 із 6336Сортовано за останнім

Показати 20 40 80

Мікросхема NCP1337D ( P1337 , NCP1337 ) , so-7

Немає в наявності

70,50 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
Макс. частота130 кГц
Піковий струм драйвера500 мА (sink)
Soft-start4,0 мс
Поріг запуску VCC12 В (мін. 11, макс. 13)
Поріг вимкнення VCC10 В (мін. 9,0, макс. 11)
Поріг OVP за VCC18,6 В (мін. 17,6, макс. 19,6)
Макс. напруга VCC20 В (абсолютний максимум)
Макс. напруга на HV500 В (абсолютний максимум)
Споживання мікросхеми1,2 мА (навантаження 1 нФ, Fsw 60 кГц, тип.)
КорпусSOP-7

Мікросхема NCP1271A ( NCP1271D65 ) , so-7

Немає в наявності

57,81 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
Частота перетворення65 кГц (Tj 25 °C, 58–69 кГц)
Макс. шпаруватість80 % (мін. 75, макс. 85)
Поріг запуску VCC(on)12,6 В (мін. 11,2, макс. 13,8)
Мін. робоча напруга VCC(off)9,1 В (мін. 8,2, макс. 10)
Струм споживання2,3 мА (VCC 14 В, навантаження 1 нФ, тип.)
Піковий струм драйвера+500 / -800 мА
КорпусSOP-7

Мікросхема NCP1234AD65 ( 34A65 ) , so-7

Немає в наявності

90,71 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіNCP1234AD65
Маркування34A65
КорпусSOP-7

Мікросхема NCP1014AP10 ( NCP1014AP100G , P1014AP10 ) демонтаж, DIP7

Немає в наявності

36,19 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
Напруга MOSFET Vbr(dss)700 В (макс.)
Опір Rds(on)11 Ом (тип., NCP1014AP100G)
Піковий струм450 мА (NCP1014AP100G)
Частота перетворення100 кГц (NCP1014AP100G)
КорпусDIP7
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема NCP1013AP100G ( P1013AP10 – маркування) , DIP-7

Немає в наявності

49,82 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіNCP1013AP100G
МаркуванняP1013AP10
КорпусDIP7

Мікросхема MX25L8006E , smd 8pin SPI-флеш

Немає в наявності

70,50 ₴
ПараметрЗначення
Обсяг пам'яті8 Мбіт (1 МБ)
ІнтерфейсSPI
Напруга живлення2,7–3,6 В
Частота SCLK86 МГц (у режимі Dual Output 80 МГц)
Струм читання12 мА (макс., на 86 МГц)
Струм у режимі очікування15 мкА (тип.)
Струм у Deep Power-down2 мкА (тип.)
Розмір сектора4 КБ
Програмування сторінки0,6 мс (тип.)
Цикли стирання/запису100000 (тип.)
Зберігання даних20 років
Робоча температура-40…85 °C
КорпусSO-8
ВиробникMacronix

Мікросхема MX25L8005M2C-15G , smd 8pin SPI-флеш

Немає в наявності

65,33 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіMX25L8005M2C-15G
Корпусsmd 8 pin
ІнтерфейсSPI

Мікросхема MX25L4005M2C-15G , smd 8pin SPI-флеш

Немає в наявності

32,90 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіMX25L4005M2C-15G
Корпусsmd 8 pin
ІнтерфейсSPI
Виводи8

Мікросхема MSP3400D C5 , SDIP52

Немає в наявності

220,90 ₴
ПараметрЗначення
Призначеннямультистандартний процесор звуку для аналогового ТВ
Живлення аналогової частини5,0 В (4,75–5,25 В; TA 0…70 °C)
Живлення цифрової частини5,0 В (4,75–5,25 В; TA 0…70 °C)
Живлення вихідних каскадів (AHVSUP)8,0 В (7,6–8,7 В; TA 0…70 °C)
Інтерфейс керуванняI2C
Входи SCART4
КорпусSDIP52
ВиробникMicronas

Мікросхема MR4040 , TO220F-7

Немає в наявності

177,66 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіMR4040
КорпусTO-220F-7

Мікросхема MR4020 (105W) , TO220F-7

Немає в наявності

169,20 ₴
ПараметрЗначення
СеріяMR4000, IC-модуль зі 900 В IGBT
Напруга силового ключа900 В
Потужність (з назви товару)105 Вт
КорпусTO-220F-7
ВиробникShindengen

Мікросхема MP3411 , so-16

Немає в наявності

31,02 ₴
ПараметрЗначення
КорпусSO-16

Мікросхема MP3399EF , TSSOP28

Немає в наявності

91,65 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMonolithic Power Systems
Типдрайвер світлодіодної підсвітки
Кількість каналів12
Максимальний струм каналу60 мА
Вхідна напруга5–28 В
Точність вирівнювання струмів2.5 %
Напруга регулювання на джерелах струму600 мВ (ILED 30.5 мА, VIN 12 В)
ДимінгPWM або DC-вхід, пакетний PWM
КорпусTSSOP28

Мікросхема MP2372DN , so-8

Немає в наявності

75,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMonolithic Power Systems
Типпонижувальний DC/DC-регулятор з вбудованим силовим MOSFET
Вхідна напруга4.5–28 В (рекомендований діапазон)
Вихідний струм, постійний3 А (піковий 4 А)
Вихідна напруга0.92–21 В
Частота перетворення925 кГц (VIN 12 В, TA 25 °C)
Опір вбудованого ключа100 мОм
ККДдо 91 %
Розсіювана потужність2.5 Вт (TA 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусESOP-8

Мікросхема MP2307DN , so-8

Немає в наявності

48,88 ₴
ПараметрЗначення
Призначеннямонолітний синхронний понижувальний регулятор із двома вбудованими MOSFET
Вхідна напруга4,75–23 В (робочий діапазон)
Макс. напруга живлення Vin26 В (абсолютний максимум)
Вихідна напруга0,925–20 В (регульована)
Вихідний струм3 А (безперервний; пік 4 А)
Частота перетворення340 кГц (фіксована)
Опір ключа100 мОм
Струм у режимі вимкненняменше 1 мкА
ККДдо 95 %
Макс. температура переходу150 °C
Температура навколишнього повітря-40…+85 °C
КорпусSOIC8N (8 виводів, теплова площадка)
ВиробникMonolithic Power Systems

Мікросхема MP1593DN , so-8

Немає в наявності

88,83 ₴
ПараметрЗначення
Призначенняпонижувальний імпульсний перетворювач із вбудованим силовим MOSFET
Вхідна напруга4,75–28 В (робочий діапазон)
Макс. напруга живлення Vin30 В (абсолютний максимум)
Мінімальна вихідна напруга1,22 В (регульована)
Вихідний струм3 А (безперервний)
Частота перетворення385 кГц (фіксована)
Опір внутрішнього ключа100 мОм
Напруга зворотного зв'язку1,222 В (типове, 4,75 В ≤ VIN ≤ 28 В)
Струм у режимі вимкнення20 мкА
Макс. температура переходу150 °C
Температура навколишнього повітря-40…+85 °C
КорпусSOIC8E (8 виводів, теплова площадка)
ВиробникMonolithic Power Systems

Мікросхема MP1584EN , so-8

Немає в наявності

20,68 ₴
ПараметрЗначення
Призначеннявисокочастотний понижувальний імпульсний регулятор із вбудованим силовим MOSFET
Вхідна напруга4,5–28 В (робочий діапазон)
Макс. напруга живлення Vin30 В (абсолютний максимум)
Вихідна напруга0,8–25 В (рекомендований діапазон)
Вихідний струм3 А
Частота перетворення100–1500 кГц (програмується резистором на виводі FREQ)
Опорна напруга зворотного зв'язку0,8 В (внутрішня)
Робочий струм спокою100 мкА
Макс. температура переходу150 °C
Температура навколишнього повітря-20…+85 °C
КорпусESOP-8
ВиробникMonolithic Power Systems

Мікросхема MP1583DN , so-8

Немає в наявності

25,85 ₴
ПараметрЗначення
Призначенняпонижувальний імпульсний перетворювач із вбудованим силовим MOSFET
Вхідна напруга4,75–23 В (робочий діапазон)
Макс. напруга живлення Vin28 В (абсолютний максимум)
Вихідна напруга1,22–21 В (регульована)
Вихідний струм3 А (безперервний)
Частота перетворення385 кГц (фіксована)
Опір внутрішнього ключа100 мОм
Напруга зворотного зв'язку1,222 В (типове, VIN = 12 В, TA = 25 °C, 4,75 В ≤ VIN ≤ 23 В)
Обмеження струму4,9 А (типове, 4,0–6,0, VIN = 12 В, TA = 25 °C)
Струм у режимі вимкнення20 мкА (VEN = 0 В)
ККДдо 95 %
Макс. температура переходу150 °C
Температура навколишнього повітря-40…+85 °C
КорпусSOIC8E, 8 виводів, теплова площадка
ВиробникMonolithic Power Systems

Мікросхема MP1580HS , so-8

Немає в наявності

33,37 ₴
ПараметрЗначення
Призначенняпонижувальний імпульсний перетворювач із вбудованим силовим MOSFET
Вхідна напруга4,75–25 В (робочий діапазон)
Макс. напруга живлення Vin27 В (абсолютний максимум)
Вихідна напруга1,22–21 В (регульована)
Вихідний струм2 А (безперервний)
Частота перетворення380 кГц (фіксована; синхронізація зовнішнім сигналом до 600 кГц)
Опір верхнього ключа0,18 Ом (типове, VIN = 12 В, TA = 25 °C)
Струм у режимі вимкнення23 мкА (типове)
ККДдо 95 %
Макс. температура переходу150 °C
Робоча температура-40…+125 °C
КорпусSO-8
ВиробникMonolithic Power Systems

Мікросхема MP1430DN , so-8

Немає в наявності

65,80 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіMP1430DN
КорпусSO-8

Мікросхема ML4800CP , DIP16

Немає в наявності

58,28 ₴
ПараметрЗначення
Призначенняконтролер PFC (boost, середній струм) і ШІМ
Струм драйвера затвора1 А
Макс. частота ШІМ250 кГц
Обмеження заповнення ШІМ50 %
Напруга живлення Vcc (макс.)18 В (абсолютний максимум)
Опорна напруга VREF7,5 В
Поріг UVLO13 В
Гістерезис UVLO2,8 В
Температура переходу Tj (макс.)150 °C
Тепловий опір перехід–середовище80 °C/Вт
Діапазон робочих температур0…70 °C
Корпус16-pin PDIP (P16), 16 виводів
ВиробникFairchild Semiconductor

Мікросхема MIP3E3 , DIP

Немає в наявності

123,61 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
Напруга Vd (макс.)700 В
Напруга керування Vc (макс.)8 В
Струм стоку Id (макс.)0,88 А
Піковий струм стоку Idp (макс.)1,7 А
Температура каналу Tch (макс.)150 °C
Частота генератора100 кГц (мін. 90, макс. 110; Vc = Vc(CNT) – 0,2 В, Vd = 5 В; Tc 25 °C ± 3 °C)
Струм захисту Ilimit0,80 А (мін. 0,72, макс. 0,88; Tc 25 °C ± 3 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)8,0 Ом (макс. 10,0; Id = 0,2 А; Tc 25 °C ± 3 °C)
Температура теплового захисту140 °C (мін. 130, макс. 150)

Мікросхема MIP2M2 , DIP7

Немає в наявності

126,90 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
КорпусDIP7
Напруга Vd (макс.)700 В (Ta 25 °C ± 3 °C)
Напруга Vcc (макс.)45 В (Ta 25 °C ± 3 °C)
Піковий струм стоку Idp (макс.)0,76 А
Температура каналу Tch (макс.)150 °C
Частота генератора67 кГц (мін. 60,3, макс. 73,7; V4 = 15 В, V3 = 2 В; Tc 25 °C ± 3 °C)
Макс. коефіцієнт заповнення54 % (мін. 50, макс. 58; Tc 25 °C ± 3 °C)
Напруга пуску Vcc(ON)12 В (мін. 11, макс. 13; Tc 25 °C ± 3 °C)
Напруга зупину Vcc(OFF)8,2 В (мін. 7,45, макс. 8,95)
Струм захисту Ilimit0,35 А (мін. 0,315, макс. 0,385; Duty 30 %; Tc 25 °C ± 3 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)16 Ом (макс. 21; I5 = 100 мА, V4 = 15 В, V3 = 2 В; Tc 25 °C ± 3 °C)
Температура теплового захисту140 °C (мін. 130, макс. 150)

Мікросхема MIP2H2 , DIP7

Немає в наявності

58,75 ₴
ПараметрЗначення
ТипМікросхема
КорпусDIP7