Магазин
Діод Шоттки MBRF2045CT оригінал ( заміна для MBR2045FCT ), TO220F
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Vrrm | 45 В |
| Io на діод | 10 А |
| Io на корпус | 20 А |
| Ifsm | 180 А (8,3 мс, одна напівсинусоїда) |
| Vf | 0,58 В тип., 0,64 В макс. (If = 10 А, Tj = 25 °C) |
| Ir | 0,1 мА макс. (Tj = 25 °C) |
| Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Діод KD4520 ( 4520 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Конденсатор 8мкФ 275VAC ( 8mkF 275VAC , 8uf 275v -AC/400V-DC ) MKP-X2 для індукціонки , варильної поверхні
В наявності
239,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 8 мкФ |
| Робоча напруга AC | 275 В AC |
| Робоча напруга DC | 400 В DC |
| Тип | MKP-X2 |
Конденсатор 10мкФ 275VAC ( 10mkF 275VAC , 10uf 275v -AC/400V-DC ) MKP-X2 для індукціонки , варильної поверхні
В наявності
244,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 10 мкФ |
| Робоча напруга AC | 275 В AC |
| Робоча напруга DC | 400 В DC |
| Тип | MKP-X2 |
SKD503T оригінальний транзистор, TO220
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (TC=25 °C) | 120 А (обмеження корпусу; за кремнієм 172 А) |
| Струм Id (TC=100 °C) | 109 А (за кремнієм) |
| Опір Rds(on) | 3.6 мОм тип., 4.5 мОм макс. (VGS=10 В, ID=50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл (VGS=10 В, VDS=50 В, ID=20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6772 пФ |
| Потужність Pd (TC=25 °C) | 227 Вт |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Час відновлення діода trr | 80 нс (IF=50 А, dI/dt=100 А/мкс) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CRMICRO (China Resources Microelectronics) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор WMJ36N60C4 , TO247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Тип | польовий транзистор (MOSFET) |
Транзистор TK8A50D ( K8A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
91,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id | 8 А |
| Rds(on) типовий | 0.7 Ом (Vgs 10 В, Id 4 А) |
| Заряд затвора Qg | 16 нКл (типовий) |
| Вхідна ємність Ciss | 800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Розпіновка | 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK20A60U ( K20A60U ) оригінал , TO220F
В наявності
144,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, DTMOS II |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vds | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 20 А (Ta 25 °C); імпульсний 40 А |
| Rds(on) | тип. 0,165 Ом, макс. 0,19 Ом (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В |
| Заряд затвора Qg | тип. 27 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1470 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK11A65W ( K11A65W ) оригінал , TO220F
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vdss | 650 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 11.1 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 0.39 Ом (Vgs 10 В, Id 5.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 25 нКл (типовий) |
| Вхідна ємність Ciss | 890 пФ |
| Потужність Pd | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга ізоляції Viso | 2000 В (RMS) |
| Корпус | TO-220F |
| Розпіновка | 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN20N135FDL2 ( 20N135FDL2 ) оригінал, TO-3P
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Trinno Technology |
| Напруга Vces | 1350 В (VGE = 0 В, Ic 1 мА) |
| Струм Ic | 40 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,8 В тип., 2,2 В макс. (VGE 15 В, Ic 20 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 223 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (VCC 600 В, Ic 20 А, VGE 15 В) |
| Діод | є, If 20 А (Tc 100 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор T70R380P ( MMFT70R380P ) оригінал , TO220F
В наявності
109,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | MagnaChip |
| Напруга Vds | 700 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 11 А (Tc 25 °C); 7 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | макс. 0,38 Ом, тип. 0,34 Ом (Vgs 10 В, Id 3,2 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | тип. 34 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1061 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 32,4 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор T65R195P ( MMFT65R195PTH ) оригінал , TO220F
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, суперперехід |
| Виробник | MagnaChip Semicon |
| Напруга Vds | 650 В (TC 25 °C) |
| Струм Id | 20 А (TC 25 °C); 12,7 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | макс. 0,195 Ом, тип. 0,175 Ом (VGS = 10 В, ID = 7,3 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | тип. 53 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1860 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 34 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP9NC60FP ( P9NC60FP ) оригінал, TO-220F
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік Vds | 600 В (VGS = 0) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 9 А (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 5,7 А (TC 100 °C) |
| Опір каналу Rds(on) | 0,75 Ом макс., типово 0,6 Ом (VGS = 10 В, ID = 4,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (типово 3 В; VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 40 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1420 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Напруга ізоляції Viso | 2500 В (DC) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STF3NK80Z ( F3NK80Z ) оригінал ( Заміна для FQPF3N80C , FQPF3N80 ), TO220F
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік Vds | 800 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 2,5 А (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 1,57 А (TC 100 °C) |
| Опір каналу Rds(on) | 4,5 Ом макс., типово 3,6 Ом (VGS = 10 В, ID = 1,25 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4,5 В (типово 3,75 В; VDS = VGS, ID = 50 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл типово (VDD = 640 В, ID = 2,5 А, VGS = 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 485 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 25 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Напруга ізоляції Viso | 2,5 кВ (RMS, t = 1 с, TC 25 °C) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STF24NM60N ( 24NM60N , ST24NM60N) оригінал, TO220F
В наявності
127,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 17 А (Tc = 25 °C, корпус TO-220FP) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11 А (Tc = 100 °C, корпус TO-220FP) |
| Опір Rds(on) | 168 мОм тип., 190 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 44 нКл тип. (VDD = 480 В, ID = 17 А, VGS = 0–10 В) |
| Потужність Pd | 30 Вт (Tc = 25 °C, корпус TO-220FP) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор SPW20N60C3 ( 20N60C3 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
90,71 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 0,25 мА) |
| Струм стоку Id | 20,7 А (безперервний, Ta 25 °C) |
| Опір каналу Rds(on) | 190 мОм (VGS = 10 В, ID = 13,1 А, TC 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,1–3,9 В (VDS = VGS, ID = 1 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 208 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SLF65R170E7 оригінал, TO220F
В наявності
94,47 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, суперперехід |
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В, ID=1 мА) |
| Струм Id (TC=25 °C) | 22 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 12 А |
| Опір Rds(on) | 170 мОм макс., 150 мОм тип. (VGS=10 В, ID=10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS=VGS, ID=1,7 мА) |
| Заряд затвора Qg | 30,2 нКл тип. (VDS=400 В, ID=10 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1240 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Час відновлення діода trr | 274 нс тип. (VDD=400 В, IS=10 А, dIF/dt=100 А/мкс) |
| Потужність Pd (TC=25 °C) | 36 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Msemitek |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S80N10R оригінал, TO220
В наявності
143,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 80 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id (TC=25 °C) | 100 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 63 А |
| Опір Rds(on) | 6.3 мОм тип., 7.6 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.4–3.6 В (VGS=VDS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 56 нКл (VDD=60 В, VGS=10 В, ID=40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3056 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC=25 °C) | 160 Вт |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±25 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | SI-TECH |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S80N08R оригінал, TO220
В наявності
91,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 80 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id | 80 А (TC=25 °C); 68 А (TC=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 6.4 мОм тип., 7 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–3.5 В |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл (VDD=60 В, VGS=10 В, ID=80 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±25 В |
| Час зворотного відновлення діода trr | 100 нс тип., 150 нс макс. (VGS=0 В, IS=45 А) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | SI-TECH |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор RJH3044 оригінал демонтаж б/в, TO220F
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 360 В |
| Струм Ic | 30 А |
| Імпульсний струм | 200 А |
| Vce(sat) | 1,5 В тип. |
| Потужність розсіювання | 20 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Діод | є, швидкий, імпульсний струм 100 А |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор OSG55R190F ( OSG55R190FF ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 550 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А (TC=25 °C); 12.5 А (TC=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 150 мОм тип., 190 мОм макс. (VGS=10 В, ID=10 А, Tj=25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.7–3.7 В |
| Заряд затвора Qg | 17.7 нКл (VGS=10 В, VDS=400 В, ID=10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 991.4 пФ (Vds 50 В, f 100 кГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 32 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP02T10 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 200 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id | 100 А (TC=25 °C); 70.7 А (TC=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 10 мОм тип., 12 мОм макс. (VGS=10 В, ID=50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В |
| Заряд затвора Qg | 87 нКл (VDS=100 В, ID=50 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6000 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 300 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Час зворотного відновлення діода trr | 140 нс (TJ=25 °C, IF=50 А, di/dt=100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power (Wuxi NCE Power Co., Ltd) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE8295A оригінал , TO220
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 82 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 95 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 67 А |
| Опір Rds(on) | 6.6 мОм, макс. 8.0 мОм (Vgs 10 В, Id 20 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, типово 2.9 В |
| Заряд затвора Qg | 109.3 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 6800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 170 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Імпульсний струм Idm | 320 А |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power (Wuxi NCE Power Semiconductor) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDP08N055 оригінал, TO220
В наявності
91,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 80 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 120 А (обмежений корпусом) |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 92 А |
| Опір Rds(on) | 4.5 мОм, макс. 5.5 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.4–3.8 В |
| Заряд затвора Qg | 61 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4137 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 188 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Імпульсний струм Idm | 480 А |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | MagnaChip |
| Стан | Оригінал |