Магазин
Мікросхема L4981A, DIP20
Немає в наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Коректор коефіцієнта потужності (PFC), ШІМ підвищувального типу, до 0,99 PF |
| Корпус | DIP-20 |
| Кількість виводів | 20 |
| Мережева напруга на вході | 85–265 В |
| Напруга живлення Vcc, максимальна | 19,5 В |
| Поріг вмикання UVLO | 15,5 В |
| Поріг вимикання UVLO | 10 В |
| Частота генератора | 100 кГц (Tj 25 °C, Rosc = 24 кОм, Cosc = 1 нФ) |
| Опорна напруга Vref | 5,1 В (Tj 25 °C, Iref = 0) |
| Робоча температура | −40…125 °C |
Мікросхема L4978D , so-16
Немає в наявності
89,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Знижувальний імпульсний перетворювач |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Вихідний струм | 2 А |
| Діапазон вхідної напруги | 8–55 В (Tj 25 °C) |
| Діапазон вихідної напруги | 3.3–50 В (задається зовнішнім дільником) |
| Опорна напруга | 3.3 В (±1 %) |
| Rds(on) | 0.25 Ом (типове значення) |
| Частота перемикання | 100 кГц (90–110 кГц; Cosc 2.7 нФ, Rosc 20 кОм, Vcc 8–55 В, Tj 25 °C) |
| Макс. досяжна частота перемикання | 300 кГц |
| Максимальний струм обмеження | 2.5–3.5 А (Vcc = 8–55 В) |
| Температура переходу і зберігання | –40…150 °C (Absolute Maximum Ratings) |
Мікросхема L4960
Немає в наявності
88,83 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Імпульсний знижувальний стабілізатор |
| Корпус | HEPTAWATT |
| Вихідний струм | 2.5 А (Vi = 9–46 В, Vo = Vref…36 В) |
| Діапазон вхідної напруги | 9–46 В (Vo = Vref…36 В, Io = 2.5 А) |
| Вхідна напруга (максимум) | 50 В (Absolute Maximum Ratings) |
| Діапазон вихідної напруги | 5.1–40 В (Vi = 46 В, Io = 1 А) |
| Опорна напруга | 5.1 В (5–5.2 В; Vi = 9–46 В, Io = 1 А, Tj 25 °C) |
| Падіння напруги Vd | 1.4 В (макс. 3 В, Io = 2 А) |
| Частота перемикання | 100 кГц (85–115 кГц, Tj 25 °C) |
| Поріг обмеження струму (вивід 7) | 3–4.5 А (Vi = 9–46 В) |
| ККД | 85 % (f = 100 кГц, Io = 2 А, Vo = 12 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 15 Вт (Tcase ≤ 90 °C) |
| Температура переходу і зберігання | –40…150 °C (Absolute Maximum Ratings) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 4 °C/Вт (макс.) |
Мікросхема L298N
Немає в наявності
128,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Подвійний мостовий драйвер |
| Корпус | MULTIWATT15 |
| Робоча напруга Vs | до 46 В (Operative Condition) |
| Vs (максимум) | 50 В (Absolute Maximum Ratings) |
| Напруга логіки Vss (максимум) | 7 В |
| Загальний постійний струм | до 4 А |
| Струм на канал, постійний | 2 А (DC) |
| Піковий струм на канал, повторюваний | 2.5 А (80 % увімкнено / 20 % вимкнено, ton = 10 мс) |
| Піковий струм на канал, неповторюваний | 3 А (t = 100 мкс) |
| Потужність розсіювання Pd | 25 Вт (Tcase = 75 °C) |
| Температура переходу при роботі | –25…130 °C |
| Захист | від перегріву |
Мікросхема L297 , DIP20
Немає в наявності
170,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Контролер крокових двигунів |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Режими | напівкрок, повний крок, wave drive |
| ШІМ-регулювання струму обмоток | є (вбудований chopper) |
| Напруга живлення | 5 В |
| Напруга живлення Vs (максимум) | 10 В (Absolute Maximum Ratings) |
| Вхідні сигнали Vi (максимум) | 7 В (Absolute Maximum Ratings) |
| Потужність розсіювання | 1 Вт (Tamb = 70 °C) |
| Температура зберігання і переходу | –40…150 °C (Absolute Maximum Ratings) |
| Корпус | DIP-20 |
Мікросхема L293DNE , DIP16
Немає в наявності
94,94 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Здвоєний драйвер напівмостів (quadruple half-H) |
| Виробник | Texas Instruments |
| Напруга живлення виходів VCC2 | 4.5–36 В (Recommended Operating Conditions) |
| Напруга живлення логіки VCC1 | 4.5–7 В (Recommended Operating Conditions) |
| Струм виходу на канал (постійний) | 600 мА |
| Піковий струм виходу на канал | 1.2 А (неповторюваний імпульс t ≤ 100 мкс) |
| Вихідні діоди-обмежувачі | є |
| Робоча температура середовища | 0–70 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C (Absolute Maximum Ratings) |
| Корпус | DIP16 |
Мікросхема L200C , TO220-5
Немає в наявності
83,19 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Регульований стабілізатор напруги й струму |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Діапазон вихідної напруги Vo | 2.85–36 В |
| Вихідний струм Io | до 2 А (регульований) |
| Вхідна напруга макс. Vi | 40 В (DC) |
| Імпульсна вхідна напруга | 60 В (10 мс) |
| Різниця вхід–вихід Vi–o | 32 В (макс.) |
| Падіння напруги Vd | 2 В, макс. 2.5 В (Io 1.5 А, Vo –2 %) |
| Опорна напруга Vref | 2.77 В (2.64–2.86 В) (Vi 20 В, Io 10 мА, Ta 25 °C) |
| Струм спокою Id | 4.2 мА, макс. 9.2 мА (Vi 20 В, Ta 25 °C) |
| Робоча температура переходу | –25…150 °C |
| Корпус | TO220-5 |
Мікросхема KID65783AP оригінал ( заміна для UDN2982A ), DIP18
Немає в наявності
169,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | 8 каналів, джерело струму (source), з вихідними діодами |
| Напруга живлення Vcc | 50 В (макс.) |
| Вихідний струм Iout | –500 мА (на канал, мін., одиночний вихід) |
| Вхід | Сумісний з TTL і 5 В CMOS |
| Вхідна напруга Vin | 15 В (макс.) |
| Зворотна напруга діода VR | 50 В (макс.) |
| Прямий струм діода IF | 500 мА (макс.) |
| Потужність розсіювання Pd | 1,47 Вт (корпус AP, Ta 25 °C) |
| Робоча температура Topr | –40…85 °C |
| Корпус | DIP-18 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема KID65003AP оригінал ( заміна для SIP2655A03-00 ), DIP16
Немає в наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | 7 NPN-пар Дарлінгтона з вихідними захисними діодами |
| Напруга на виході Vce(sus) | 50 В (макс.) |
| Вихідний струм Iout | 500 мА (на канал, макс.) |
| Вхід | Резистор 2,7 кОм, сумісний з TTL і 5 В CMOS (KID65003) |
| Вхідна напруга Vin | 30 В (макс.) |
| Зворотна напруга діода VR | 50 В (макс.) |
| Прямий струм діода IF | 500 мА (макс.) |
| Потужність розсіювання Pd | 1,47 Вт (корпус AP, Ta 25 °C) |
| Робоча температура Topr | –40…125 °C |
| Корпус | DIP16 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема KIA78R08API ( KA78R08 )
Немає в наявності
51,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Стабілізатор з малим падінням напруги, 4 виводи, вхід ON/OFF |
| Вихідна напруга Vout | 8,0 В (7,80–8,2 В) (Iout 0,5 А, Vin 10 В, Ta 25 °C) |
| Вихідний струм Iout | 1 А (макс.) |
| Вхідна напруга макс. Vin | 35 В |
| Напруга керування ON/OFF макс. Vc | 35 В |
| Потужність розсіювання Pd | 1,5 Вт (без радіатора) |
| Потужність розсіювання Pd з радіатором | 15 Вт (з радіатором) |
| Температура переходу Tj | 125 °C (макс.) |
| Робоча температура Topr | –20…80 °C |
| Корпус | TO-220F-4L |
Мікросхема KIA7805API
Немає в наявності
19,27 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KEC |
| Корпус | TO-220F |
| Вихідна напруга Vout | 5.0 В (4.8–5.2 В; Tj 25 °C, Iout 100 mA) |
| Вихідний струм | до 1 А |
| Макс. вхідна напруга Vin | 35 В |
| Падіння напруги Vd | 2.0 В (тип.; Iout 1.0 А, Tj 25 °C) |
| Придушення пульсацій RR | 78 дБ (мін. 62 дБ; f 120 Гц, Vin 8–18 В, Iout 50 мА, Tj 25 °C) |
| Струм спокою Iq | 4.2 мА (макс. 8.0 мА; Tj 25 °C, Iout 5 мА) |
| Струм КЗ Isc | 1.6 А (тип.; Tj 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 2.0 Вт (без радіатора, Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd з радіатором | 20.8 Вт (нескінченний радіатор, Ta 25 °C) |
| Температура переходу Tj | –40…150 °C |
| Робоча температура Topr | –40…85 °C |
Демонтаж
Мікросхема KA7632 демонтаж
Немає в наявності
49,35 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | 10-SIP-H/S |
| Вихід 1 | 3.3 В (±2 %; Io1=10 мА, Vin1 6–14 В, Tj 25 °C) |
| Вихід 2 | 8 В (±2 %; Io2=10 мА, Vin2 10,5–18 В, Tj 25 °C) |
| Вихід 3 | 5.1 В (із зовнішнім PNP-транзистором; Vsys=7 В, Io3=100 мА) |
| Вихідний струм виходів 1 і 2 | 0.5 А (на кожен вихід) |
| Вихідний струм виходу 3 | 1 А (із зовнішнім PNP-транзистором) |
| Макс. вхідна напруга | 20 В |
| Падіння напруги на виходах 1, 2 | 2.5 В (макс.; Io=500 мА) |
| Затримка імпульсу скидання | 25 мс (тип.; Cd=100 нФ) |
| Розсіювана потужність Pd | 1.5 Вт (без радіатора) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура | 0…+125 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема KA5Q1565RF ( 5Q1565RF ) оригінал
Немає в наявності
159,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO-3PF, 5 виводів |
| Напруга пробою BVDSS | 650 В (VGS=0 В, ID=50 мкА) |
| Струм стоку ID (Tc 25 °C) | 10.3 А |
| Струм стоку ID (Tc 100 °C) | 6.6 А |
| Імпульсний струм IDM | 60 А |
| Опір каналу RDS(on) | 0.5 Ом (тип.; VGS=10 В, ID=7,3 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл (тип.; VGS=10 В, ID=14,6 А, VDS=0,8·BVDSS) |
| Початкова частота | 20 кГц (тип.) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 95 % (тип.) |
| Піковий ліміт струму | 11.5 А (тип.) |
| Поріг запуску Vstart | 15 В (VFB=GND) |
| Поріг вимкнення Vstop | 9 В (VFB=GND) |
| Макс. напруга живлення Vcc | 40 В |
| Розсіювана потужність Pd | 98 Вт |
| Макс. температура переходу | 160 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема KA5M0365RN ( 5M0365R ) , DIP8
Немає в наявності
29,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер із вбудованим MOSFET |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга пробою BVDSS | 650 В (VGS=0 В, ID=50 мкА, Ta 25 °C) |
| Струм стоку ID | 0,42 А (Ta 25 °C); 0,28 А (Ta 100 °C) |
| Імпульсний струм IDM | 3 А |
| Опір RDS(on) | 3,6 Ом тип. (макс. 4,5 Ом; VGS=10 В, ID=0,5 А) |
| Частота перетворення | 67 кГц тип. (61–73 кГц; Ta 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % тип. (72–82 %) |
| Піковий ліміт струму | 2,15 А тип. (1,89–2,41 А) |
| Потужність Pd | 1,56 Вт |
| Макс. температура переходу | 160 °C |
Мікросхема KA5M0265R , TO220-4
Немає в наявності
80,84 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер із вбудованим MOSFET |
| Корпус | TO220-4 |
| Напруга пробою BVDSS | 650 В (VGS=0 В, ID=50 мкА) |
| Струм стоку ID | 2,0 А (Tc 25 °C); 1,3 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм IDM | 8,0 А |
| Опір RDS(on) | 5,0 Ом тип. (макс. 6,0 Ом; VGS=10 В, ID=0,5 А) |
| Заряд затвора Qg | 35 нКл макс. (VGS=10 В, ID=1,0 А, VDS=0,5·BVDSS) |
| Частота перетворення | 67 кГц тип. (61–73 кГц) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % тип. (72–82 %) |
| Піковий ліміт струму | 1,2 А тип. (1,05–1,34 А) |
| Потужність Pd | 42 Вт |
| Макс. температура переходу | 160 °C |
Мікросхема KA5L0365RN ( 5L0365R ) , DIP8
Немає в наявності
39,95 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер із вбудованим MOSFET |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга пробою BVDSS | 650 В (VGS=0 В, ID=50 мкА, Ta 25 °C) |
| Струм стоку ID | 0,42 А (Ta 25 °C); 0,28 А (Ta 100 °C) |
| Імпульсний струм IDM | 3 А |
| Опір RDS(on) | 3,6 Ом тип. (макс. 4,5 Ом; VGS=10 В, ID=0,5 А) |
| Частота перетворення | 50 кГц тип. (45–55 кГц; Ta 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % тип. (72–82 %) |
| Піковий ліміт струму | 2,15 А тип. (1,89–2,41 А) |
| Потужність Pd | 1,56 Вт |
| Макс. температура переходу | 160 °C |
Демонтаж
Мікросхема KA5H0165R , TO220F демонтаж
Немає в наявності
42,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO-220F-4L |
| Напруга стік–витік BVDSS | 650 В (VGS=0 В, ID=50 мкА) |
| Постійний струм стоку (25 °C) | 1.0 А |
| Постійний струм стоку (100 °C) | 0.7 А |
| Імпульсний струм стоку | 4.0 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 8 Ом тип., 10 Ом макс. (VGS=10 В, ID=0.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 21 нКл макс. (VGS=10 В, ID=1.0 А, VDS=0.5·BVDSS) |
| Потужність розсіювання | 40 Вт |
| Напруга затвор–витік VGS | ±30 В |
| Макс. температура переходу | +160 °C |
| Частота генератора | 100 кГц тип. (Ta=25 °C) |
| Макс. напруга живлення VCC | 30 В |
| Робоча температура | –25 … +85 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема KA5H0165R , TO220F
Немає в наявності
47,94 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO-220F-4L |
| Напруга стік–витік BVDSS | 650 В (VGS=0 В, ID=50 мкА) |
| Постійний струм стоку (25 °C) | 1.0 А |
| Постійний струм стоку (100 °C) | 0.7 А |
| Імпульсний струм стоку | 4.0 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 8 Ом тип., 10 Ом макс. (VGS=10 В, ID=0.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 21 нКл макс. (VGS=10 В, ID=1.0 А, VDS=0.5·BVDSS) |
| Потужність розсіювання | 40 Вт |
| Напруга затвор–витік VGS | ±30 В |
| Макс. температура переходу | +160 °C |
| Частота генератора | 100 кГц тип. (Ta=25 °C) |
| Макс. напруга живлення VCC | 30 В |
| Робоча температура | –25 … +85 °C |
Мікросхема KA3S0680R ( 3S0680R )
Немає в наявності
150,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга стік–витік BVDSS | 800 В (VGS=0 В, ID=50 мкА) |
| Постійний струм стоку (25 °C) | 6.0 А |
| Постійний струм стоку (100 °C) | 4.0 А |
| Імпульсний струм стоку | 24.0 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 1.6 Ом тип., 2.0 Ом макс. (VGS=10 В, ID=4.0 А) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл тип. (VGS=10 В, ID=6.0 А, VDS=0.5·BVDSS) |
| Потужність розсіювання | 150 Вт (з радіатором) |
| Напруга затвор–витік VGS | ±30 В |
| Частота генератора | 20 кГц тип. (Ta=25 °C) |
| Макс. напруга живлення VCC | 30 В |
| Робоча температура | –25 … +85 °C |
Мікросхема KA2915 ( CD5151CP , AN5151N )
Немає в наявності
71,91 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | відео ПЧ (VIF), звукова ПЧ (SIF), кадрова і рядкова розгортка для чорно-білих ТВ |
| Напруга живлення | 8–12 В (типово 10 В) |
| Макс. напруга живлення VCC (V20-21) | 12 В (TA=25 °C) |
| Потужність розсіювання | 1100 мВт (Ta=70 °C) |
| Робоча температура | –20 … +70 °C |
| Температура зберігання | –55 … +150 °C |
| Корпус | DIP-28 (28-DIP-600A) |
Мікросхема KA22429 ( S1A0429A01-SOBO , TDA7021T ) , so-16
Немає в наявності
58,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення | 1,8–6,0 В (типово 3,0 В) |
| Струм споживання | 6,3 мА типово (Vp = 3 В, Tamb 25 °C) |
| Вхідна частота ВЧ | 1,5–110 МГц |
| Проміжна частота | 76 кГц |
| Чутливість (ЕРС) при обмеженні –3 дБ | 4 мкВ типово (опір джерела 75 Ом) |
| Вихідна напруга НЧ | 90 мВ типово (опір джерела 75 Ом) |
| Робоча температура | –10…70 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 300 К/Вт |
| Корпус | SO-16 |
Мікросхема KA2133
Немає в наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення кадрової частини Vcc | 9,6–14,4 В (тип. 12 В) (TA 25 °C) |
| Струм живлення рядкової частини I10 | 6,5–18 мА (тип. 12 мА) |
| Частота кадрового генератора | 55–65 Гц (тип. 60 Гц) (Vcc 12 В, I10 12 мА, TA 25 °C) |
| Частота рядкового генератора | 15,0–16,5 кГц (тип. 15,75 кГц) (Vcc 12 В, I10 12 мА, TA 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 1,3 Вт (TA 25 °C) |
| Корпус | 16-DIHP-300 (DIP-16 з тепловідводом) |