Магазин
Реле F3AA024E (5A/250V)(для котлів)
Немає в наявності
70,03 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга котушки | 24 В DC |
| Контактна група | 1 група на замикання (SPST-NO) |
| Комутована напруга | 250 В AC / 30 В DC |
| Комутований струм | 5 А (активне навантаження) |
| Матеріал контактів | AgNi |
| Опір котушки | 2880 Ом (±10 %, 20 °C) |
| Потужність котушки | 200 мВт |
| Напруга спрацювання | не вище 18 В DC (20 °C) |
| Напруга відпускання | не нижче 2,4 В DC (20 °C) |
| Час спрацювання / відпускання | до 10 мс / до 10 мс |
| Робоча температура | -40…+70 °C |
| Призначення | для котлів |
Реле HF32F-012-HS3 ( заміна для JZC32F-012-HS , JZC-32F-012-HS3 , JZC-32FA-012-HSL1 , SJ-S-112DM , HW32-12V , TF-32F-12VDC-HS , JZC-40F-012-HS ) 12VDC (5A/250V) 4pin
Немає в наявності
65,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга котушки | 12 В DC |
| Комутований струм | 5 А (250 В AC / 30 В DC, резистивне навантаження) |
| Потужність котушки | 0.45 Вт |
| Опір котушки | 320 Ом |
| Напруга спрацювання | 9.00 В DC |
| Напруга відпускання | 0.60 В DC |
| Матеріал контактів | AgCdO |
| Механічний ресурс | 1×10^7 циклів |
| Електричний ресурс | 1×10^5 циклів |
| Робоча температура | -40…+70 °C |
| Корпус | PCB, 4 виводи |
| Маса | 6 г |
Реле JQC-3FF-S-Z-5VDC ( заміна для LEG-5 , HF3FF-005-1ZS 5VDC) (10A/250V) 5pin
Немає в наявності
61,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Hongfa |
| Корпус | PCB (THT), герметичне, 5 pin |
| Напруга котушки | 5 В DC |
| Напруга спрацювання | 3.80 В DC max |
| Напруга відпускання | 0.5 В DC min |
| Макс. напруга котушки | 6.5 В DC |
| Опір котушки | 70 ±10% Ом при 25 °C |
| Конфігурація контактів | 1C (SPDT) |
| Струм контактів | 10 А при 250 В |
| Час спрацювання | 10 мс max при номінальній напрузі |
| Час відпускання | 5 мс max при номінальній напрузі |
| Механічний ресурс | 1×10⁷ спрацювань |
| Електричний ресурс | 1×10⁵ спрацювань |
IGBT-транзистор FGPF4633 , TO220F
Немає в наявності
58,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vces | 330 В |
| Напруга затвор-емітер Vges | ±30 В |
| Імпульсний струм колектора Ic pulse | 300 А (Tc 25 °C, напівсинусоїдний імпульс, D < 0,01, обмежено Tj max) |
| Розсіювана потужність Pd | 30.5 Вт (Tc 25 °C); 12.2 Вт (Tc 100 °C) |
| Повний заряд затвора Qg | 60 нКл (Vce 200 В, Ic 20 А, Vge 15 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.55 В тип. / 1.8 В макс. (Ic 70 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 2.4 / 3.3 / 4.0 В (мін. / тип. / макс.; Ic 250 мкА, Vce = Vge) |
| Час спаду tf | 260 нс (Vcc 200 В, Ic 20 А, Rg 5 Ом, Vge 15 В, резистивне навантаження, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 4.1 °C/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-220F (виводи: G, C, E) |
Транзистор APM4568 ( APM4568J ) , DIP8
Немає в наявності
55,46 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | Комплементарна пара: N-канал і P-канал |
| Напруга Vds (N / P) | 40 / -40 В (V(BR)DSS при VGS = 0 В, IDS = ±250 мкА) |
| Струм стоку Id (N / P) | 7,5 / -6 А (VGS = 10 В (N), VGS = -10 В (P); TA 25 °C) |
| Опір Rds(on), N-канал | 21 мОм тип., 29 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 7,5 А) |
| Опір Rds(on), P-канал | 36 мОм тип., 50 мОм макс. (VGS = -10 В, IDS = -6 А) |
| Порогова напруга Vgs(th), N-канал | 1,3 / 2 / 2,5 В мін. / тип. / макс. (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg, N-канал | 20 нКл тип., 28 нКл макс. (VDS = 20 В, VGS = 10 В, IDS = 7,5 А) |
| Потужність Pd | 2,5 Вт (TA 25 °C, на платі 1 дюйм²) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | DIP8 |
Тиристор C106M1G , TO126
Немає в наявності
24,91 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-225AA (TO-126), виводи: 1 – катод, 2 – анод, 3 – затвор |
| Напруга Vdrm | 600 В (серія C106M/M1, синус 50–60 Гц, Rgk = 1 кОм, Tc від –40 до 110 °C) |
| Напруга Vrrm | 600 В (серія C106M/M1, Rgk = 1 кОм, Tc від –40 до 110 °C) |
| Струм It(rms) | 4 А (кут провідності 180°, Tc 80 °C) |
| Струм It(av) | 2,55 А (кут провідності 180°, Tc 80 °C) |
| Ударний струм Itsm | 20 А (півперіод синусоїди, 60 Гц, Tj 110 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 110 °C |
Тиристор BT169G (600V,0.8A,Igt=50мкА) , to92
Немає в наявності
7,05 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Корпус | TO-92 (SOT54), 3 виводи |
| Напруга Vdrm | 600 В |
| Напруга Vrrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 0.8 А (напівсинусоїда, Tlead 83 °C) |
| Струм It(av) | 0.5 А (напівсинусоїда, Tlead 83 °C) |
| Ударний струм Itsm | 8 А (напівсинусоїда, tp = 10 мс, Tj(init) 25 °C) |
| Струм відмикання затвора Igt | 50 мкА тип., макс. 200 мкА (VD = 12 В, IT = 10 мА, Tj 25 °C) |
| Напруга відмикання затвора Vgt | 0,5 В тип., макс. 0,8 В (VD = 12 В, IT = 10 мА, Tj 25 °C) |
| Напруга у відкритому стані Vt | 1,25 В тип., макс. 1,7 В (IT = 1,2 А, Tj 25 °C) |
| dV/dt | 500 В/мкс мін., тип. 800 В/мкс (VDM = 402 В, Tj 125 °C, Rgk = 1 кОм) |
| Струм утримання Ih | 2 мА тип., макс. 5 мА (VD = 12 В, Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
Сімістор Z0103MA , to92
Немає в наявності
13,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Повторювана напруга VDRM | 600 В (макс.) |
| Діючий струм IT(RMS) | 1 А (повна синусоїда, Tlead ≤ 45 °C) |
| Ударний струм ITSM | 12,5 А (повна синусоїда, Tj початкова 25 °C, tp 20 мс; 13,8 А при 16,7 мс) |
| Струм керування IGT (T2+G+, T2+G-, T2-G-) | 3 мА макс. (VD 12 В, IT 0,1 А, Tj 25 °C) |
| Струм керування IGT (T2-G+) | 5 мА макс. (VD 12 В, IT 0,1 А, Tj 25 °C) |
| Струм утримання IH | 7 мА макс. (Tj 25 °C) |
| Напруга у відкритому стані VT | 1,6 В макс. (тип. 1,3 В; IT 1,4 А, Tj 25 °C) |
| Критична швидкість dVD/dt | 80 В/мкс мін. (VDM 402 В, 67 % VDRM, Tj 110 °C, затвор розімкнений) |
| Квадранти керування | 4Q |
| Максимальна температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-92 |
Сімістор T405-800B ( T405-800 , T40580 , T405Q-600B, T405Q-600H ) , D-PAK
Немає в наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Діючий струм IT(RMS) | 4 А (повна синусоїда, Tc = 110 °C) |
| Ударний струм ITSM | 35 А (50 Гц, 20 мс, Tj початкова 25 °C) |
| Струм керування IGT | 5 мА макс. (VD 12 В, RL 30 Ом, квадранти I-II-III; квадрант IV – 10 мА) |
| Напруга керування VGT | 1,3 В макс. (усі квадранти) |
| Напруга у відкритому стані VTM | 1,5 В макс. (ITM 5 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Квадранти керування | 4Q |
| Максимальна температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Сімістор BTB24-600BW , ТО220
Немає в наявності
58,28 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Повторювана напруга VDRM | 600 В (повна синусоїда) |
| Діючий струм IT(RMS) | 25 А (повна синусоїда, Tc = 75 °C) |
| Ударний струм ITSM | 250 А (50 Гц, 20 мс, Tj початкова 25 °C) |
| Струм керування IGT | 50 мА макс. (VD 12 В, RL 33 Ом, квадранти I-II-III) |
| Напруга керування VGT | 1,3 В макс. |
| Напруга у відкритому стані VT | 1,55 В макс. (ITM 35 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Струм вмикання IL | 80 мА макс. (IG 1,2·IGT, квадранти I-III) |
| Критична швидкість dV/dt | 1000 В/мкс мін. (VD 67 % VDRM, затвор розімкнений, Tj 125 °C) |
| Квадранти керування | 3Q (I-II-III) |
| Максимальна температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
Сімістор BTB12-600B , ТО220 (Заміна для BTB08-600B )
Немає в наявності
54,05 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 12 А (повна синусоїда, Tc 105 °C) |
| Струм керування Igt | 50 мА (VD 12 В, RL 33 Ом); 100 мА у квадранті T2-G+ |
| Напруга керування Vgt | 1.3 В (VD 12 В, RL 33 Ом, усі квадранти) |
| Струм утримання Ih | 50 мА (Igt 0,5 А, керівний електрод розімкнений) |
| Напруга Vtm | 1.55 В (It 17 А, tp 380 мкс) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1.4 °C/Вт |
| Корпус | TO-220 |
Сімістор BTB06-600B ( BTB06-600BW ) (6A;600V,Igt=0.05A) , TO220
Немає в наявності
30,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (Ta 25 °C; ID 0,1 мА) |
| Струм It(rms) | 6,0 А (Ta 25 °C) |
| Ударний струм Itsm | 63 А (неповторюваний, Ta 25 °C) |
| Струм керування Igt | 50 мА (T2+G+, T2+G-, T2-G-); 100 мА (T2-G+); макс.; VAK 12 В, RL 30 Ом |
| Напруга керування Vgt | 1,3 В (макс.; VD 12 В, RL 30 Ом) |
| Напруга Vtm | 1,55 В (макс.; IT 5,5 А) |
| Струм утримання Ih | 50 мА (макс.; IT 0,5 А, IGT 20 мА) |
| Струм витоку Idrm | 10 мкА (макс.; VDRM 520 В) |
| Квадранти | 4Q |
| Tj max | 110 °C |
Сімістор BTA41-600B (40A,600V,Igt=0,05A) , TOP3
Немає в наявності
65,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TOP3 |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм It(rms) | 40 А (Tc 81 °C) |
| Ударний струм Itsm | 420 А (повний період, tp 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм керування Igt | 50 мА (макс.; VD 12 В, RL 33 Ом, квадранти I–II–III); квадрант IV – 70 мА |
| Напруга керування Vgt | 1,3 В (макс.; VD 12 В, RL 33 Ом) |
| Спад напруги Vtm | 1,4 В (макс.; Itm 60 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Квадранти | 4Q |
| Ізоляція корпусу | 2500 В (RMS) |
| Tj max | 125 °C |
Сімістор BTA24-800CW ( BTA24-800CWRG ) оригінал (25A,800V,Igt=0,035A) ,ТО220
Немає в наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 800 В (Tj 25 °C) |
| Струм It(rms) | 25 А |
| Ударний струм Itsm | 250 А (повний період, 50 Гц) |
| Струм керування Igt | 35 мА (VD 12 В, RL 33 Ом, макс., версія CW) |
| Напруга керування Vgt | 1.3 В (VD 12 В, RL 33 Ом, макс.) |
| Струм утримання Ih | 60 мА (IT 100 мА, макс., версія CW) |
| dV/dt | 1000 В/мкс (VD 2/3 Vdrm, Tj 125 °C, затвор розімкнений, мін., версія CW) |
| Спад напруги Vtm | 1.5 В (Itm 35 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C, макс.) |
| Квадранти | 3Q |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-220A (Ins), ізольований; 2500 В RMS, UL |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTA204S-600D , D-PAK
Немає в наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 4 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 107 °C) |
| Ударний струм Itsm | 25 А (повна синусоїда, tp 20 мс, Tj(init) 25 °C) |
| Струм керування Igt | 5 мА (VD 12 В, IT 0,1 А, Tj 25 °C, макс.) |
| Спад напруги Vt | 1.4 В (IT 5 А, Tj 25 °C, тип.) |
| Квадранти | 3Q (T2+G+, T2+G-, T2-G-) |
| dV/dt | 20 В/мкс (VDM 402 В, Tj 125 °C, затвор розімкнений, мін.) |
| Струм утримання Ih | 6 мА (VD 12 В, Tj 25 °C, макс.) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | WeEn Semiconductors |
Сімістор BTA16-600CW ( BTA16-600C ) (16A,600V,35mA) оригінал ,ТО220
Немає в наявності
71,91 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Сімістор snubberless |
| Корпус | TO-220A, ізольований |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм It(rms) | 16 А (Tc 80 °C) |
| Ударний струм Itsm | 160 А (повний період, tp 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм керування Igt | 35 мА (макс.; VD 12 В, RL 33 Ом) |
| Квадранти | 3Q |
| Напруга керування Vgt | 1 В (макс.; VD 12 В, RL 33 Ом) |
| Спад напруги Vtm | 1.5 В (макс.; Itm 22,5 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Ізоляція корпусу | 2500 В (RMS) |
| Температура переходу Tj | 125 °C (макс.) |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTA12-600B (12A,600V,50mA) ,ТО220
Немає в наявності
29,61 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Сімістор |
| Напруга Vdrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 12 А (Tc = 79 °C) |
| Ударний струм Itsm | 119 / 130 А (один період, 50 Гц / 60 Гц) |
| Квадранти | 3Q |
| Напруга Vtm | 1.4 В (макс.; IT = 20 А, імпульсне вимірювання) |
| Напруга керування Vgt | 1.5 В (макс.; VD = 6 В, Rн = 10 Ом) |
| Струм утримання Ih | 20 мА (макс.) |
| Температура переходу Tj | 125 °C (макс.) |
Сімістор BT139-800E (16А;800V,Igt=0.01A) ,ТО220
Немає в наявності
42,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Тип | Сімістор |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdrm | 800 В (макс.) |
| Струм It(rms) | 16 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 99 °C) |
| Ударний струм Itsm | 155 А (повна синусоїда, Tj(init) = 25 °C, tp = 20 мс) |
| Струм керування Igt | 10 мА (макс.; VD = 12 В, IT = 0.1 А, Tj = 25 °C) |
| Квадранти | 4Q |
| Напруга керування Vgt | 1 В (макс.; VD = 12 В, IT = 0.1 А, Tj = 25 °C) |
| Напруга Vt | 1.6 В (макс.; IT = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Струм утримання Ih | 45 мА (макс.; VD = 12 В, Tj = 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 125 °C (макс.) |