Магазин
Діодний міст D20SB80 оригінал
В наявності
133,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 800 В |
| Середній прямий струм If(av) | 20 А |
| Ударний струм Ifsm | 300 А (напівхвиля 8,3 мс) |
| Пряма напруга Vf | 1,05 В (If 10 А) |
| Зворотний струм Ir | не більше 5 мкА |
| Робоча температура переходу | -55…+150 °C |
| Корпус | SIP-4P |
| Виробник | LRC |
| Стан | Оригінал |
Діодний міст D15SB80 оригінал
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна повторювана зворотна напруга Vrrm | 800 В |
| Максимальний середній струм If(AV) | 15 А (Tc 100 °C, з радіатором) |
| Ударний струм Ifsm | 250 А |
| Пряме падіння напруги Vf | 1,0 В (при 7,5 А) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА (25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | до 150 °C |
| Корпус | SIP-4P |
| Виробник | LRC (Leshan Radio Company) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA7265 оригінал
В наявності
178,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Стереопідсилювач звуку класу AB |
| Корпус | Multiwatt11 |
| Напруга живлення Vs | ±5…±25 В |
| Макс. напруга живлення Vs | ±25 В (абсолютний максимум) |
| Вихідна потужність на канал | 25 Вт (typ, мін. 20); THD = 10 %, RL = 8 Ом, Vs = ±20 В, f = 1 кГц |
| Вихідна потужність на канал при Vs ±22,5 В | 32 Вт (typ); THD = 10 %, RL = 8 Ом |
| Коефіцієнт нелінійних спотворень | 0,01 % (typ); RL = 8 Ом, Po = 1 Вт, f = 1 кГц, Vs = ±20 В |
| Струм спокою | 80 мА (typ, макс. 130); Vs = ±20 В |
| Піковий вихідний струм | 4,5 А |
| Розсіювана потужність | 30 Вт при Tcase = 70 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 2 °C/Вт (макс.) |
| Робочий діапазон температур | -20…85 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG015N10 ( HYG015N10NS1TA ) оригінал(100V/380A), TOLL
В наявності
194,58 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Корпус | TOLL |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В) |
| Струм Id (25 °C) | 380 А |
| Струм Id (100 °C) | 268,7 А |
| Rds(on) | 1,2 мОм тип., 1,5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Заряд затвора Qg | 205 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 12300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 428,5 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NGD8201AG оригінал ( NGD8201 , 8201AG ), DPAK
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT запалювання, N-канал, логічний рівень |
| Напруга Vces | 440 В (макс., TJ 25 °C) |
| Струм Ic | 20 А (TC 25 °C, безперервний); 50 А імпульсний |
| Vce(on) | 1,3 В (IC 10 А, VGE ≥ 4,5 В) |
| Потужність Pd | 125 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1300 пФ (Vce 25 В, f 10 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| ESD (HBM) | 8 кВ (R 1500 Ом, C 100 пФ) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор RJP63K2 оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Тип | IGBT n-канал |
| Напруга Vces | 630 В |
| Струм Ic (Ta 25 °C) | 35 А |
| Імпульсний струм Ic | 200 А |
| Vce(sat) (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) | 1,9 В тип., 2,4 В макс. |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 620 пФ |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема NCP1608B ( NCP1608BD ) оригінал демонтаж, so-8
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | SO-8 |
| Режим | критична провідність (CrM) |
| Напруга вмикання VCC(on) | 12 В |
| Напруга вимикання VCC(off) | 9,5 В |
| Напруга живлення (гранична) | -0,3…20 В |
| Драйвер затвора | джерело 500 мА / приймач 800 мА |
| Опорна напруга | 2,5 В |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор GS6B60KD ( IRGS6B60KD ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT n-канал з ультрашвидким діодом (NPT) |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 18 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 10 А |
| Імпульсний струм Icm | 26 А |
| Vce(on) (Ic 5 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 1,80 В тип. |
| Напруга Vge | ±20 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 90 Вт |
| Заряд затвора Qg | 18,2 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 290 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPP11N80C3 ( 11N80C3 ) оригінал, TO220
В наявності
163,56 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | MOSFET N-канал, CoolMOS C3 |
| Напруга Vds | 800 В (Tj 25 °C) |
| Струм Id | 11 А (Tc 25 °C); 7.1 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм | 33 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 0.45 Ом (Vgs 10 В, Id 7.1 А, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 156 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SD20N60 оригінал, TO247
В наявності
192,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 600 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 20 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А) | 0,45 Ом (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Діодний міст S25VB100 оригінал
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Повторювана напруга Vrrm | 1000 В (TA 25 °C) |
| Середній прямий струм If(av) | 25 А (60 Гц, з радіатором, Tc 100 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | до 125 °C |
| Температура зберігання Tstg | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RJH60F5 оригінал, TO247
В наявності
205,39 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Тип | IGBT n-канал зі вбудованим швидким діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Ic | 160 А |
| Vce(sat) (Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 1,37 В тип., 1,8 В макс. |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Потужність Pc | 260,4 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2780 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LM3886TF оригінал
В наявності
517,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | TO-220, 11 виводів |
| Потужність на 4 Ом | 68 Вт (VCC = ±28 В, THD+N 0,1 %, 20 Гц–20 кГц) |
| Потужність на 8 Ом | 38 Вт (VCC = ±28 В); 50 Вт (VCC = ±35 В) |
| Пікова потужність | 135 Вт |
| Сигнал/шум | не менше 92 дБ |
| Напруга живлення |V+|+|V-| | 20–84 В |
| Розсіювана потужність (гранична) | 125 Вт |
| Температура переходу (макс.) | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LM3886T оригінал
В наявності
705,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | TO-220, 11 виводів |
| Потужність на 4 Ом | 68 Вт (Vcc = ±28 В, THD+N 0,1 %) |
| Потужність на 8 Ом | 38 Вт (Vcc = ±28 В); 50 Вт (Vcc = ±35 В) |
| Пікова потужність | 135 Вт |
| Напруга живлення | 20–84 В |
| THD+N | 0,03 % |
| Макс. розсіювана потужність | 125 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IXFH24N90P оригінал демонтаж ( заміна для 24N90 , PTF24N90 ) , TO247
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Напруга Vds | 900 В (TJ 25–150 °C) |
| Струм Id (TC 25 °C) | 24 А |
| Rds(on) | 420 мОм макс. (VGS 10 В, ID 0,5 × ID25, TJ 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 7200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 660 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STW45NM60 ( W45NM60 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0 В) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 45 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 28 А |
| Rds(on) | 90 мОм тип., 110 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 22.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл тип., 134 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 3800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 417 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STW12NK80Z ( W12NK80Z ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 800 В (Vgs 0 В, Id 1 мА) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 10.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 6.6 А |
| Rds(on) | 585 мОм тип., 750 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 5.25 А) |
| Заряд затвора Qg | 87 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2620 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 190 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор K50MCH3 ( IKQ50N120CH3 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга колектор–емітер Vce | 1200 В (Tvj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 100 А (Tc 25 °C, обмежений Tvjmax); 50 А (Tc 135 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 200 А (обмежений Tvjmax) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.00 В тип., 2.35 В макс. (Vge=15 В, Ic=50 А) |
| Пряма напруга діода Vf | 1.90 В тип., 2.30 В макс. (Vge=0 В, If=50 А) |
| Заряд затвора Qg | 235 нКл (Vcc=960 В, Ic=40 А, Vge=15 В) |
| Час спаду tf | 30 нс (Vcc=600 В, Ic=50 А, Vge=0/15 В, Rg=10 Ом) |
| Енергія вимкнення Eoff | 1.90 мДж (Vcc=600 В, Ic=50 А, Vge=0/15 В, Rg=10 Ом) |
| Розсіювана потужність Ptot | 652 Вт (Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tvj | -40…175 °C |
| Тепловий опір IGBT перехід–корпус | 0.23 К/Вт (макс.) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор AOK30B60D1 ( K30B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга колектор–емітер Vce | 600 В (Ic=1 мА, Vge=0 В, Tj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 30 А (Tc 100 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vge | ±20 В |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.85 В тип. (Vge=15 В, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 5.6 В тип. (Vce=5 В, Ic=1 мА) |
| Пряма напруга діода Vf | 1.47 В тип. (If=15 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 34 нКл (Vge=15 В, Vce=480 В, Ic=30 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1324 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс (Tj 25 °C, Vge=15 В, Vce=400 В, Ic=30 А, Rg=10 Ом) |
| Енергія вимкнення Eoff | 0.24 мДж (Tj 25 °C, Vge=15 В, Vce=400 В, Ic=30 А, Rg=10 Ом) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 120 нс (Tj 25 °C, If=15 А, dI/dt=200 А/мкс, Vce=400 В) |
| Температура переходу і зберігання (Tj, Tstg) | -55…150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IRFP32N50K оригінал демонтаж, TO247
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | International Rectifier |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 32 А (Vgs 10 В) |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 20 А (Vgs 10 В) |
| Rds(on), Vgs 10 В | 0.135 Ом (тип.), 0.16 Ом (макс.) при Id 32 А, Tj 25 °C |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 190 нКл макс. (Id 32 А, Vds 400 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5280 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 460 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| trr діода | 530 нс (тип.), 800 нс (макс.) при If 32 А, di/dt 100 А/мкс |
| Вбудований діод | є, Vsd макс. 1.5 В (Is 32 А, Vgs 0 В) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема CM6800UX , sop-16 вузький корпус
В наявності
197,87 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Champion Microelectronic |
| Призначення | Контролер PFC і PWM в одному корпусі, з малим пусковим струмом |
| Макс. напруга живлення VCC | 20 В (абсолютний максимум) |
| Опорна напруга підсилювача помилки | 2,5 В (мін. 2,45, макс. 2,55) |
| Пусковий струм | 100 мкА при VCC = 12 В, CL = 0 (тип.) |
| Робочий струм | 3,0 мА при VCC = 14 В, CL = 0 (тип.) |
| Частота секції PWM | до 250 кГц |
| Піковий струм виходу PWM OUT | 1 А (абсолютний максимум) |
| Корпус | SO-16 |
Транзистор TDM3458 оригінал, DFN5*6-8
В наявності
121,73 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, режим збагачення |
| Виробник | Techcode |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Напруга Vds | 30 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 60 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 38 А |
| Rds(on), Vgs 10 В | 4.5 мОм (тип.), 5.5 мОм (макс.) при Id 15 А, Tj 25 °C |
| Rds(on), Vgs 4.5 В | 6.7 мОм (тип.), 8.7 мОм (макс.) при Id 10 А, Tj 25 °C |
| Vgs(th) | 1.4–2.5 В (тип. 1.7 В), Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 5.8 нКл (Vds 15 В, Id 15 А, Vgs 4.5 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 780 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 29.8 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| trr діода | 25 нс (If 5 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TD62783APG ( TD62783AP ) оригінал, DIP18
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Кількість каналів | 8 |
| Напруга живлення Vcc, макс. | 50 В при Ta = 25 °C |
| Вихідний струм одного каналу, макс. | -500 мА при Ta = 25 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,0 В макс. при Iout = -350 mA, Ta = 25 °C |
| Струм витоку виходу, макс. | 100 мкА при Vcc = 50 V, VIN = 0,4 V, Ta = 25 °C |
| Потужність розсіювання | 1,47 Вт при Ta = 25 °C |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | DIP-18 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A60U ( K15A60U ) оригінал , TO220F
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N (DTMOS II) |
| Напруга Vds | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл (Vdd 400 В, Vgs 10 В, Id 15 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 950 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 530 нс (Idr 15 А, Vgs 0 В) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |