Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор SPP11N80C3 ( 11N80C3 ) оригінал, TO220

163,56 ₴

1 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

На канікулах до 20.11

Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

SPP11N80C3 (11N80C3) – оригінальний N-канальний MOSFET Infineon серії CoolMOS C3 на 800 В у корпусі TO-220, для високовольтних ключових схем.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипMOSFET N-канал, CoolMOS C3
Напруга Vds800 В (Tj 25 °C)
Струм Id11 А (Tc 25 °C); 7.1 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм33 А (Tc 25 °C)
Rds(on) макс.0.45 Ом (Vgs 10 В, Id 7.1 А, Tj 25 °C)
Розсіювана потужність156 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss1600 пФ
КорпусTO-220
СтанОригінал
Опис

SPP11N80C3 (маркування 11N80C3) – N-канальний польовий транзистор Infineon серії CoolMOS C3 у корпусі PG-TO220-3 (TO-220). Напруга стік-витік Vds – 800 В при Tj 25 °C. Струм стоку Id – 11 А при Tc 25 °C і 7.1 А при Tc 100 °C, імпульсний – 33 А. Опір відкритого каналу Rds(on) не більше 0.45 Ом при Vgs 10 В, Id 7.1 А, Tj 25 °C (типове значення – 0.39 Ом). Розсіювана потужність Ptot – 156 Вт при Tc 25 °C. Напруга затвор-витік Vgs – ±20 В статична. Робоча температура переходу і зберігання – від -55 до 150 °C. Вхідна ємність Ciss типово 1600 пФ.

У наявності – оригінальна деталь, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vds, Id, Rds(on) при однакових умовах вимірювання, заряд затвора Qg (64 нКл тип. при Vdd 640 В, Id 11 А, Vgs 0…10 В) і корпус: транзистор має стояти в тому самому TO-220 з тією самою розпіновкою. Якщо драйвер розрахований на інший заряд затвора, перевірте його. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Промислові застосування з високою напругою DC-шини
  • Ключові схеми, наприклад прямоходові перетворювачі з active clamp
Часто питають
Чим замінити SPP11N80C3?

Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з тією самою розпіновкою: Vds не нижче 800 В, Id близький до 11 А при Tc 25 °C, Rds(on) не набагато вищий за 0.45 Ом при Vgs 10 В. Заряд затвора Qg порівняйте окремо.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Який корпус і яке маркування у SPP11N80C3?

Корпус PG-TO220-3 (TO-220), на корпусі маркування 11N80C3.

Який опір відкритого каналу у SPP11N80C3?

Не більше 0.45 Ом при Vgs 10 В, Id 7.1 А, Tj 25 °C. При Tj 150 °C типове значення зростає до 1.05 Ом за тих самих Vgs і Id.

Datasheet

Документація виробника: SPP11N80C3 CoolMOS Power Transistor, Rev. 2.91.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

SPP11N80C3 CoolMOS Power Transistor, Rev. 2.91 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор CS20N65 оригінал, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id20 А (безперервний)
Rds(on)0.35 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)3.0–4.0 В
Заряд затвора Qg80 нКл (VDD = 520 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220

В наявності

70,97 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Super Trench
Напруга Vds85 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)160 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)112 А
Опір Rds(on) (тип.)3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм
Заряд затвора Qg105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd220 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
ВиробникNCE Power
СтанОригінал

Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )

В наявності

109,98 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss60 В
Струм Id (25 °C)200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А)
Струм Id (100 °C)140 А (розрахунково)
Rds(on)2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА
Qg155 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникRuichips
СтанОригінал

Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

345,92 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Напруга Vds500 В
Струм Id21 А (при 25 °C, макс.)
Імпульсний струм Id63 А (макс.)
Опір Rds(on)190 мОм (Vgs 10 В, макс.)
Заряд затвору Qg95 нКл (тип., Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.1–3.9 В
Потужність Ptot208 Вт (макс.)
Rth(j-c)0.6 К/Вт (макс.)
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5