Магазин
Транзистор H20R1353 ( IHW20N135R3 ) оригінал, TO-247
В наявності
221,84 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | RC-IGBT, Resonant Switching, TRENCHSTOP |
| Напруга Vce | 1350 В при Tvj=25 °C |
| Струм колектора Ic | 40 А при Tc=25 °C; 20 А при Tc=100 °C |
| Імпульсний струм колектора | 60 А |
| Vce(sat) | 1,60 В тип. при VGE=15 В, IC=20 А, Tvj=25 °C; 1,90 В при Tvj=175 °C |
| Вбудований діод | є, монолітний, Vf 1,60 В тип. при IF=20 А |
| Заряд затвора QG | 195 нКл (тип., VCC=1080 В, IC=20 А, VGE=15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ |
| Потужність Ptot | 310 Вт при Tc=25 °C; 155 Вт при Tc=100 °C |
| Температура переходу Tvj | -40…+175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Pai8233C ( PAI8233C-WR ) оригінальна мікросхема
В наявності
100,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | 2Pai Semi |
| Кількість каналів | 2 |
| Піковий струм виходу, джерело | 4 А (версія Pai8233) |
| Піковий струм виходу, втікання | 8 А (версія Pai8233) |
| Напруга ізоляції Viso | 5000 В (ефект.), WB SOIC-14, UL 1577, 1 хв |
| Робоча напруга ізоляції | 1200 В (пост.) |
| CMTI | 100 кВ/мкс |
| Затримка поширення | 19 нс (тип.), 30 нс (макс.) |
| Макс. частота | 5 МГц |
| Живлення VCCI | 3…5,5 В |
| Живлення VDDA / VDDB (макс.) | 25 В |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Корпус | WB SOIC-14 (широкий) |
| Стан | Оригінал |
Діод DSEI60-06A ( DSE160-06A ) оригінал (заміна для APT60D60BG , APT60D60B , 60D60B )(600V,60A) , TO247-2pin
В наявності
310,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS (Littelfuse) |
| Тип | Діод швидкий епітаксіальний (FRED) |
| Конфігурація | одиночний |
| Корпус | TO-247-2 |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 60 А (Tc 70 °C, прямокутний, d = 0.5) |
| Пряма напруга Vf | 1.8 В (If 70 А, Tvj 25 °C) |
| Час відновлення trr | 35 нс тип., 50 нс макс. (If 1 А, -di/dt 200 А/мкс, Vr 30 В) |
| Тепловий опір Rjc | 0.75 К/Вт макс. |
| Макс. температура переходу Tvjm | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема GD32F303CCT6 оригінал, LQFP48
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | 32-бітний мікроконтролер, Arm Cortex-M4 |
| Виробник | GigaDevice |
| Корпус | LQFP48 |
| Макс. частота | 120 МГц |
| Flash | 256 КБ |
| SRAM | 48 КБ |
| Лінії вводу-виводу | до 37 |
| Таймери | 4 загального призначення, 1 розширений, 2 базові (16 біт), SysTick |
| Інтерфейси | USART/UART – 3, I2C – 2, SPI – 3, I2S – 2, CAN 2.0B – 1, USB 2.0 FS – 1 |
| АЦП | 12 біт, 3 блоки (10 каналів) |
| ЦАП | 12 біт, 2 блоки |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 6R190C6 ( IPW60R190C6 ) оригінал, TO247
В наявності
352,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | N-канальний MOSFET, CoolMOS C6 |
| Напруга V(BR)DSS | 600 В (мін., VGS=0 В, ID=0,25 мА) |
| Струм стоку ID | 20,2 А при TC=25 °C; 12,8 А при TC=100 °C |
| Імпульсний струм стоку | 59 А при TC=25 °C |
| Опір Rds(on) | 0,17 Ом тип., 0,19 Ом макс. при VGS=10 В, ID=9,5 А, Tj=25 °C |
| Заряд затвора Qg | 63 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1400 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5 / 3 / 3,5 В (мін. / тип. / макс., VDS=VGS, ID=0,63 мА) |
| Корпус | TO-247 |
| Температура переходу і зберігання (Tj, Tstg) | -55…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDP9N50 ( MDP9N50TH )(заміна для FQP9N50C ) оригінал, TO220
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id | 9.0 А при TC 25 °C, VGS=10 В; 5.5 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 0.72 Ом типово, макс. 0.85 Ом (VGS=10 В, ID=4.5 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Qg | 19 нКл типово (VDS=400 В, ID=9.0 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP028N85 оригінал, TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 85 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id | 200 А при TC 25 °C; 150 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 2.55 мОм типово, макс. 2.8 мОм (VGS=10 В, ID=100 А, TC 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0 В типово (від 2.0 до 4.0 В), VDS=VGS, ID=250 мкА |
| Qg | 124 нКл типово (VDS=40 В, ID=100 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 7680 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Pd | 245 Вт при TC 25 °C |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK72E12N1 ( K72E12N1 ) оригінал , TO220
В наявності
148,05 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vdss | 120 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vgss | ±20 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 72 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 4,4 мОм (Vgs 10 В, Id 36 А) |
| Rds(on) тип. | 3,6 мОм (Vgs 10 В, Id 36 А) |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (Vdd ≈ 96 В, Vgs 10 В, Id 72 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1,0 мА) |
| Ciss | 8100 пФ (Vds 60 В, Vgs 0 В, f 1 МГц) |
| Pd | 255 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BGN40T65HD ( 40T65HD ) оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 160 А |
| Vce(sat) тип. (Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C) | 1.85 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 312.5 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 5200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PTW30N50EL оригінал, TO-3P
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (planar) |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id | 30 А (Tc 25 °C), 18 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 150 мОм тип., 200 мОм макс. (VGS=10 В, ID=15 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.5–4.5 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Qg | 108 нКл тип. (VDD=250 В, ID=30 А, VGS=0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 333 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | PIP (Perfect Intelligent Power) |
| Стан | Оригінал |
Діод MUR2060CTR оригінал , TO220-3pin (20A,600V) загальний анод
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод ультрашвидкий, здвоєний |
| Конфігурація | загальний анод |
| Корпус | TO-220 |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 20 А (весь прилад, номінальна Vr) |
| Ударний струм Ifsm | 200 А (напівхвиля, 60 Гц) |
| Час відновлення trr | 35 нс (If 0.5 А, Ir 1.0 А, Irec 0.25 А) |
| Робоча температура Tj | -55…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Діод MUR2060CT оригінал , TO220-3pin (20A,600V) загальний катод
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод ультрашвидкий, здвоєний |
| Конфігурація | загальний катод |
| Корпус | TO-220 |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В (Tc 25 °C) |
| Середній прямий струм If(av) | 10 А на один діод; 20 А на обидва |
| Пряма напруга Vf | 1.6 В макс. (If 10 А, Tc 25 °C) |
| Час відновлення trr | 40 нс макс. (Vr 30 В, If 1 А, dI/dt 50 А/мкс) |
| Робоча температура Tj | -55…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK3407 ( K3407 ) оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 450 В |
| Струм стоку Id (DC) | 10 А (Ta 25 °C) |
| Rds(on) | 0.48 Ом тип., 0.65 Ом макс. (VGS=10 В, ID=5 А) |
| Vgs(th) | 2.4–3.4 В (VDS=10 В, ID=1 мА) |
| Qg | 35 нКл тип. (VDD≈360 В, VGS=10 В, ID=10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1400 пФ |
| Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN20N135FD ( 20N135FD ) оригінал, TO-3P
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1350 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 20 А |
| Імпульсний струм Icm | 60 А |
| Vce(sat) тип. (Vge 15 В, Ic 20 А, Tc 25 °C) | 1.8 В |
| Заряд затвора Qg тип. | 120 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1950 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 223 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Trinno Technology |
| Стан | Оригінал |
Діод E30ED1 ( IDW30E65D1 ) оригінал, TO247-3pin
В наявності
296,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Маркування | E30ED1 |
| Конфігурація | одиночний діод |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 650 В |
| Прямий струм If (номінальний) | 30 А |
| Пряма напруга Vf (If 30 А, Tvj 25 °C, типове) | 1.35 В |
| Макс. температура переходу Tvj | 175 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус Rth(j-c) (макс.) | 1.06 К/Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Діод RHRP8120 ( RP8120 ) оригінал (8A,1200V) , TO220-2pin
В наявності
101,05 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Конфігурація | одиночний |
| Vrrm | 1200 В (Tc 25 °C) |
| If(av) | 8 А (Tc 140 °C) |
| Ifrm | 16 А (прямокутний імпульс, 20 кГц) |
| Ifsm | 100 А (напівхвиля, 1 фаза, 60 Гц) |
| Vf (макс.) | 3,2 В (If 8 А, Tc 25 °C) |
| trr (макс.) | 70 нс (If 8 А, dIf/dt 200 А/мкс) |
| Pd | 75 Вт (Tc 25 °C) |
| Rjc (макс.) | 2 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDD5N50 ( MDD5N50RH ) оригінал, D-PAK
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 4.4 А при Tc 25 °C; 2.8 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 1.15 Ом (тип.), 1.4 Ом (макс.) при VGS=10 В, ID=2.2 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 12.2 нКл (тип.), 16 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 70 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема BQ24780S ( BQ24780SRUYR ) , QFN-28
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Призначення | синхронний контролер заряду Li+ акумуляторів, Hybrid Power Boost |
| Кількість елементів акумулятора | 1–4 послідовних Li+ |
| Робоча напруга VCC/ACP/ACN | 4,5–24 В |
| Діапазон напруги батареї | 1,024–19,2 В |
| Частота перемикання ШІМ | 600 / 800 / 1000 кГц |
| Точність напруги заряду | ±0,4 % |
| Точність вхідного струму | ±2 % |
| Точність струму заряду | ±2 % |
| Робоча температура повітря TA | від –40 до 85 °C |
| Інтерфейс | SMBus (SDA, SCL) |
| Корпус | WQFN-28 (RUY), 4,00 × 4,00 мм |
Оптрон TLP352 , SOP-8
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип виходу | буферна логіка, totem-pole |
| Піковий вихідний струм | ±2.5 А (максимум) |
| Напруга живлення VCC | 15–30 В (абсолютний максимум 35 В) |
| Струм увімкнення IF(ON) | 6.5–10 мА |
| Максимальний прямий струм IF | 20 мА |
| Затримка поширення | 130 нс (тип.) при VCC = 30 В, Rg = 20 Ом, Cg = 10 нФ |
| Напруга ізоляції | 3750 В (діюче, AC, 60 с) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор FQPF9N90 , TO220F
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 900 В |
| Струм Id | 8.0 А при Tc 25 °C |
| Rds(on) | 1.12 Ом (тип.), 1.4 Ом (макс.) при VGS=10 В, ID=4 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (тип.), 58 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 68 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор G50EH5 ( IGW50N65H5 ) оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | TRENCHSTOP 5 H5 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 100 °C | 56 А |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А (обмежено виводами) |
| Імпульсний струм | 150 А |
| Vce(sat) при 25 °C | 1,65 В тип. / 2,10 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл |
| Ptot при 25 °C | 305 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |