Магазин

TP181A3-CR підсилювач вимірювання струму SC70-6, фото маркування

Мікросхема TP181A3-CR оригінал, SC70-6

В наявності

51,70 ₴

Параметр	Значення
Виробник	3PEAK
Коефіцієнт підсилення	200 В/В (фіксований)
Напруга живлення	2.7–30 В (одноджерельне)
Синфазна напруга на вході	-0.3…+36 В (-40…125 °C)
Дрейф зміщення (макс.)	0.5 мкВ/°C (VSENSE = 0 мВ, -40…125 °C)
Похибка підсилення (макс.)	1 % (у всьому діапазоні температур)
Струм споживання (тип.)	120 мкА (VSENSE = 0 мВ)
Робочий діапазон температур	-40…125 °C
Корпус	SC70-6
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

TP181A1-CR підсилювач вимірювання струму SC70-6, фото маркування

Додати в обране

Мікросхема TP181A1-CR оригінал, SC70-6

В наявності

53,58 ₴

Параметр	Значення
Виробник	3PEAK
Коефіцієнт підсилення	50 В/В (фіксований)
Напруга живлення	2.7–30 В (одноджерельне)
Синфазна напруга на вході	-0.3…+36 В (-40…125 °C)
Дрейф зміщення (макс.)	0.5 мкВ/°C (VSENSE = 0 мВ, -40…125 °C)
Похибка підсилення (макс.)	1 % (у всьому діапазоні температур)
Струм споживання (тип.)	120 мкА (VSENSE = 0 мВ)
Робочий діапазон температур	-40…125 °C
Корпус	SC70-6
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор LX3205A оригінал , TO220

В наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм Id (25 °C)	110 А
Опір Rds(on)	6.5 мОм тип., VGS = 10 В, ID = 55 А
Порогова напруга Vgs(th)	2–4 В
Заряд затвора Qg	146 нКл макс.
Вхідна ємність Ciss	3247 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	200 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу	175 °C
Корпус	TO-220
Тип каналу	N-канал
Вбудований діод	є
Виробник	LingXun
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор CS20N50A оригінал, TO247

В наявності

305,50 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vdss	500 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C)	20 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А)	0,28 Ом (макс.)
Напруга затвор-витік Vgs	±30 В
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)	220 Вт
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор HFP11N40 оригінал, TO220

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм Id (25 °C)	11.4 А
Струм Id (100 °C)	7.2 А
Опір Rds(on)	0.38 Ом тип., VGS = 10 В, ID = 5.7 А
Порогова напруга Vgs(th)	2.5–4.5 В
Заряд затвора Qg	35 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss	1450 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	147 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-220
Тип каналу	N-канал
Вбудований діод	є
Виробник	SemiHow
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор CS28N50 оригінал, TO-3P

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	CR Micro (China Resources Microelectronics)
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	28 А (TC 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	17,5 А (TC 100 °C)
Опір Rds(on)	150 мОм тип., 195 мОм макс. (VGS=10 В, ID=14 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2,5–4,5 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Заряд затвора Qg	83 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss	5070 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	312,5 Вт (TC 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-3P
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

FHF18N50 MOSFET TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор FHF18N50 оригінал , TO220F

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	FeiHong
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	18 А (TC 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	14 А (TC 100 °C)
Опір Rds(on)	0,31 Ом тип., 0,37 Ом макс. (VGS=10 В, ID=9 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Заряд затвора Qg	58 нКл тип. (VGS=10 В)
Вхідна ємність Ciss	3300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	37 Вт (TC 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

CS18N50F MOSFET TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор CS18N50F оригінал, TO220F

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	CRMICRO (China Resources Microelectronics)
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	18 А (TC 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	11 А (TC 100 °C)
Опір Rds(on)	0,31 Ом тип., 0,35 Ом макс. (VGS=10 В, ID=9 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Заряд затвора Qg	45,7 нКл тип. (VGS=10 В, ID=18 А, VDD=400 В)
Вхідна ємність Ciss	2620 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	42,8 Вт (TC 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

DHS020N88 MOSFET N-канал TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор DHS020N88 оригінал, TO220

В наявності

84,60 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	85 В мін. при Id 250 мкА, Vgs 0 В
Опір Rds(on)	2.3 мОм макс. при Vgs 10 В, Id 80 А
Поріг Vgs(th)	2–4 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА
Заряд затвора Qg	185 нКл тип. при Id 120 А, Vds 40 В, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss	14489 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Tj max	150 °C
Вбудований діод	є
Корпус	TO-220
Виробник	Jiangsu Donghai Semiconductor (WXDH)
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

DHG50T65 IGBT-транзистор TO-247S-3L, фото маркування

Додати в обране

Транзистор DHG50T65 оригінал (заміна для G50T65DS , DHG50T65DS ) , TO247

В наявності

432,40 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Jiangsu Donghai Semiconductor (WXDH)
Корпус	TO-247S-3L
Напруга Vces	650 В (Tj 25 °C)
Струм Ic	100 А (Tc 25 °C); 50 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм Icm	200 А
Vce(sat)	2.0 В тип. (Vge 15 В, Ic 50 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg	86 нКл (тип., Vce 520 В, Ic 50 А, Vge 15 В)
Вхідна ємність Cies	2528 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Вбудований діод	є
Потужність Pd	250 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	175 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

XNF30N65T IGBT-транзистор TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор XNF30N65T оригінал, TO220F

В наявності

134,89 ₴

Параметр	Значення
Корпус	TO-220F
Напруга колектор-емітер	650 В (за даними клієнта)
Струм	30 А
Vce(sat)	1.75 В (тип., Tj=25 °C)
Vge(th)	5.4 В (тип., Tj=25 °C)
Час витримки КЗ	5 мкс (VGE=15 В, Tj=150 °C)
Tj макс.	175 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

NSG2113 драйвер напівмоста SOW-16, фото маркування

Додати в обране

Мікросхема NSG2113 оригінал, sow-16

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	Драйвер напівмоста MOSFET/IGBT
Виробник	WXNSIC
Напруга плаваючого каналу VS	700 В
Напруга VB (абс. максимум)	725 В
Вихідний струм (джерело / втікання)	4,0 / 4,0 А
Напруга живлення VCC	10…20 В
Логічні входи	3,3 В, 5 В, 15 В
Затримка вмикання tON	130 нс тип., 200 нс макс. (TA 25 °C, VDD = VCC = VBS = 15 В, CL = 1 нФ, VS = 0 В)
Робоча температура	-40…125 °C
Корпус	SOIC-16 (wide body)
Корпус (докладно)	SOIC-16 (W), 10,3 × 7,5 мм
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор UF460L оригінал, TO247

В наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Виробник	UTC (Unisonic Technologies)
Тип каналу	N
Напруга Vds	500 В
Струм стоку Id	21 А
Опір Rds(on)	до 310 мОм (VGS=10 В, ID=21 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg	84 нКл тип., 190 нКл макс.
Вхідна ємність Ciss	4300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	190 Вт (TC 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

CRST052N15N3Z MOSFET TO-220, фото маркування

Додати в обране

CRST052N15N3Z оригінальний транзистор, TO220

В наявності

122,20 ₴

Параметр	Значення
Виробник	CR Micro
Тип каналу	N
Напруга Vds	150 В
Струм стоку Id (TC 25 °C)	168 А (за корпусом 160 А)
Струм стоку Id (TC 100 °C)	106 А
Опір Rds(on)	4,0 мОм тип., 5,2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=80 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg	73,8 нКл (типово)
Вхідна ємність Ciss	5096 пФ
Потужність Pd	284 Вт (TC 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор MS5N100FE оригінал, D2PAK

В наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	MASPOWER
Тип каналу	N
Напруга Vds	1000 В
Струм стоку Id (TC 25 °C)	5 А
Струм стоку Id (TC 100 °C)	3 А
Опір Rds(on)	до 4.5 Ом (VGS=10 В, ID=1 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–5.0 В
Заряд затвора Qg	18.68 нКл (типово)
Вхідна ємність Ciss	506 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	198 Вт (TC 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	D2PAK
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

MS5N100FT MOSFET N-канал TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор MS5N100FT оригінал, TO220

В наявності

66,74 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	1000 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	5 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	3 А
Опір Rds(on)	4.5 Ом (макс., Vgs 10 В, Id 1 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–5.0 В
Заряд затвора Qg	18.68 нКл (типово)
Вхідна ємність Ciss	506 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (Tc 25 °C)	198 Вт
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Час відновлення діода trr	1.02 мкс
Корпус	TO-220
Виробник	MASPOWER
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

OST50N65HSZ IGBT-транзистор TO-247, фото маркування

Додати в обране

Транзистор OST50N65HSZ ( OST50N65HSZF ) оригінал (заміна для OST50N65HSN , OST50N65HM , OST50N65HM2 ) , TO247

В наявності

432,40 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Oriental Semiconductor
Корпус	TO-247
Напруга Vces	650 В (Tvj=25 °C)
Струм Ic	80 А (Tc=25 °C); 50 А (Tc=100 °C)
Vce(sat)	1.45 В (VGE=15 В, IC=50 А, Tvj=25 °C)
Заряд затвора Qg	110 нКл (VGE=15 В, VCC=520 В, IC=50 А)
Вхідна ємність Cies	5765 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц)
Вбудований діод	є
Потужність Pd	375 Вт (Tc=25 °C)
Tj макс.	175 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

NCE65TF130T MOSFET Super Junction TO-247, фото маркування

Додати в обране

Транзистор NCE65TF130T оригінал, TO247

В наявності

345,92 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N, Super Junction
Напруга Vds	650 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	28 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	18 А
Опір Rds(on)	149 мОм (макс., Vgs 10 В, Id 14 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2.6–4.3 В
Заряд затвора Qg	37.5 нКл (типово)
Вхідна ємність Ciss	2070 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (Tc 25 °C)	260 Вт
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Вбудований діод	швидкий
Корпус	TO-247
Виробник	NCE
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

FHP80N07 транзистор N-канал TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор FHP80N07 оригінал , TO220

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vdss	68 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C)	80 А
Струм стоку Id (TC = 100 °C)	56 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 40 А)	8,5 мОм (макс.)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0…4,0 В
Заряд затвора Qg	73 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss	3200 пФ (тип.)
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)	110 Вт
Температура переходу Tj	175 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор CMH82N25 оригінал, TO247

В наявності

432,40 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Cmos
Тип каналу	N
Напруга Vds	250 В
Струм стоку Id (TC 25 °C)	90 А
Струм стоку Id (TC 100 °C)	58 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 40 А, Tj 25 °C, макс.)	35 мОм
Rds(on) (типово)	29 мОм
Vgs(th)	2–4 В
Ciss (VDS = 25 В, VGS = 0, f = 1 МГц)	7000 пФ
Потужність Pd (TC 25 °C)	550 Вт
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор FTW20N50A оригінал (заміна для SW20N50 , PTW20N50A , 20N50P , FSA20N50 , FDA20N50 , A20N50SE , WGA20N50SE , CMA20N50 , CS20N50 , BR20N50 , HA20N50 , 20N50ANH , 20N50 ) , TO-3P

В наявності

282,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	InPower Semiconductor
Тип каналу	N
Напруга Vds	500 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	20 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	12 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А, типове)	0.26 Ом
Vgs(th)	2.0–4.0 В
Розсіювана потужність Pd (Tc 25 °C)	230 Вт
Вхідна ємність Ciss	4500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-3P
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

G20T65FULA (BLG20T65FULA-A) IGBT-транзистор TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор G20T65FULA ( BLG20T65FULA-A ) оригінал , TO220F

В наявності

253,80 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Belling
Корпус	TO-220F
Напруга Vces	650 В (VGE=0 В, IC=250 мкА)
Струм Ic (Tc=25 °C)	40 А
Струм Ic (Tc=100 °C)	20 А
Vce(sat)	1.55 В (VGE=15 В, IC=20 А, Tj=25 °C)
Заряд затвора Qg	44 нКл
Вхідна ємність Cies	892 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (TO-220F, Tc=25 °C)	39 Вт
Вбудований діод	є
Макс. температура переходу	175 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

CRJF190N65GCF MOSFET TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор CRJF190N65GCF оригінал, TO220F

В наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	CR Micro
Тип каналу	N (Super Junction)
Напруга Vds	650 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	20 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	14 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А, типове)	181 мОм
Заряд затвора Qg (типове)	41 нКл
Вхідна ємність Ciss	1427 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	3.5–4.5 В
Розсіювана потужність (Tc 25 °C)	29 Вт
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

CS19N40 MOSFET N-канал TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор CS19N40 ( CS19N40A8R ) оригінал, TO220

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	CR Micro
Напруга Vds	400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id	19 А (Tc 25 °C); 12 А (Tc 100 °C)
Опір Rds(on)	0.23 Ом (VGS = 10 В, ID = 9.5 А; типове, макс. 0.30 Ом)
Заряд затвора Qg	42 нКл (типове значення)
Вхідна ємність Ciss	1919 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Розсіювана потужність Pd	150 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Тип каналу	N
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Магазин