Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST50N65HSZ ( OST50N65HSZF ) оригінал (заміна для OST50N65HSN , OST50N65HM , OST50N65HM2 ) , TO247
432,40 ₴
14 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
OST50N65HSZ – оригінальний IGBT-транзистор 650 В зі швидким вбудованим діодом у корпусі TO-247. Використовують в індукційних перетворювачах і ДБЖ.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (Tvj=25 °C) |
| Струм Ic | 80 А (Tc=25 °C); 50 А (Tc=100 °C) |
| Vce(sat) | 1.45 В (VGE=15 В, IC=50 А, Tvj=25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл (VGE=15 В, VCC=520 В, IC=50 А) |
| Вхідна ємність Cies | 5765 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd | 375 Вт (Tc=25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
OST50N65HSZ (також OST50N65HSZF) – IGBT-транзистор виробництва Oriental Semiconductor у корпусі TO-247 зі вбудованим швидким антипаралельним діодом. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В (Tvj=25 °C). Струм колектора Ic – 80 А при Tc=25 °C і 50 А при Tc=100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.45 В при VGE=15 В, IC=50 А, Tvj=25 °C (макс. 1.75 В). Заряд затвора Qg – 110 нКл при VGE=15 В, VCC=520 В, IC=50 А. Вхідна ємність Cies типово 5765 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц). Потужність розсіювання – 375 Вт при Tc=25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Транзистор витримує коротке замикання 10 мкс (VGE=15 В, VCC≤400 В, Tvj=150 °C).
Це оригінальна деталь, не демонтаж. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня. За назвою товару OST50N65HSZ може замінити OST50N65HSN, OST50N65HM і OST50N65HM2; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Де застосовують
- Індукційні перетворювачі
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
Чим замінити OST50N65HSZ?
За назвою товару він може замінити OST50N65HSN, OST50N65HM і OST50N65HM2. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є у транзистора вбудований діод?
Так, швидкий і м'який антипаралельний діод: Vf 1.3 В при IF=50 А, VGE=0, Tvj=25 °C (макс. 1.6 В).
Який час витримки короткого замикання?
10 мкс при VGE=15 В, VCC≤400 В, Tvj=150 °C.
Документація виробника: OST50N65HSZF V1.0.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.