Магазин
Транзистор FQF13N50 ( FQF13N50D2 ) оригінал (заміна для KEF13N50 , FIR13N50F )(13A,500V), TO220F
В наявності
85,07 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id | 13 А |
| Опір каналу Rds(on) | 0,44 Ом макс. (VGS = 10 В) |
| Заряд затвора Qg | 35 нКл (тип.) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FP12N65 ( FP12N65C ) оригінал (заміна для CR12N65 , TSP12N65M , SFP12N65 , SSFP12N65 , WFP12N65 , CR12N65 A8K , CR12N65A8K , 12N65A8K , OSG60R580P )(12A,650V), TO220
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id | 12 А (Tc = 25 °C) |
| Опір каналу Rds(on) | 0,75 Ом макс. (VGS = 10 В) |
| Заряд затвора Qg | 52 нКл (тип.) |
| Потужність Pd | 231 Вт (Tc = 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQF12N65DF ( FQF12N65 , FQF12N65D , FQF12N65C ) оригінал(12A,650V), TO220F
В наявності
69,56 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id | 12 А (Tc = 25 °C) |
| Опір каналу Rds(on) | 0,75 Ом макс. (VGS = 10 В) |
| Заряд затвора Qg | 52 нКл (тип.) |
| Потужність Pd | 54 Вт (Tc = 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HF8N65 оригінал, TO220F
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В (BVDSS, VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 7,5 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 4,6 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,90 Ом (тип.), 1,05 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 4,0 А |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 22 нКл (тип.), 29 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 940 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 48 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| trr | 365 нс (тип.) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK1574 ( K1574 ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0, мін., V(BR)DSS при ID = 10 мА) |
| Струм стоку Id | 8 А (Tc 25 °C, постійний) |
| Rds(on) | 0,85 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 4 А |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (тип. 3,0 В) при ID = 1 мА |
| Потужність розсіювання Pd | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Оптрон TLP350 , SOP-8
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип виходу | двотактний (totem-pole), буферна логіка |
| Піковий вихідний струм, абс. макс. | ±2,5 А |
| Напруга живлення VCC | 15–30 В |
| Вхідний струм увімкнення IF(ON) | 7,5–10 мА |
| Напруга ізоляції | 3750 В (ср. кв.) |
| CMR | ±15 кВ/мкс (мін.) |
| Робочі температури | –40…+100 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | DIP8 з вигнутими виводами під поверхневий монтаж |
| Розпіновка | 1 – NC, 2 – анод, 3 – катод, 4 – NC, 5 – GND, 6 – VO (вихід), 7 – NC, 8 – VCC |
Транзистор 60S180P7 ( IPA60R180P7S ) оригінал, TO220F
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 53 А (TC = 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,145 Ом тип., 0,180 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5,6 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4 В, тип. 3,5 В (VDS = VGS, ID = 0,28 мА) |
| Заряд затвора Qg | 25 нКл (VDD = 400 В, ID = 5,6 А, VGS = 0–10 В) |
| Потужність Ptot | 26 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Ізоляція корпусу | 2500 В ефект. (TC = 25 °C, t = 1 хв) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP20N40 оригінал, TO220
В наявності
76,61 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 400 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,20 Ом (тип.), 0,24 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 10 А |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В при ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 35 нКл (тип.), 42 нКл (макс.) при VGS = 10 В, VDS = 320 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1840 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 273 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Оптрон HCPL3120 ( A3120 , HCPL3120-500E ) оригінал, SOP8
В наявності
114,21 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Broadcom (Avago) |
| Тип виходу | IC-драйвер для IGBT/MOSFET |
| Піковий вихідний струм, макс. | 2,5 А |
| Піковий вихідний струм, мін. | 2,0 А |
| Напруга живлення (VCC – VEE) | 15–30 В |
| Вхідний струм увімкнення IF(ON) | 7–16 мА |
| Напруга ізоляції | 3750 В (ср. кв.) |
| CMR | 25 кВ/мкс (мін.) |
| Робочі температури | –40…+100 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Конденсатор 2мкФ*275VAC (2mkF*275VAC , 2uf 275v -AC) MKP-X2 для індукціонки , варильної поверхні
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 2 мкФ |
| Робоча напруга AC | 275 В AC |
| Тип | MKP-X2 |
Транзистор FDPF12N50NZ ( 12N50NZ ) оригінал, TO220F
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал (UniFET II) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 11,5 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,46 Ом typ., 0,52 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 5,75 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,0–5,0 В (Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 42 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 945 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±25 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDA59N30 ( 59N30 ) оригінал(300V,59A) , TO-3P
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 300 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 59 А (TC 25 °C), 35 А (TC 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 236 А (імпульс, обмежений Tj max) |
| Rds(on) тип. | 0.047 Ом (Vgs 10 В, Id 29.5 А) |
| Rds(on) макс. | 0.056 Ом (Vgs 10 В, Id 29.5 А, TC 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 77 нКл (тип.; Vds 240 В, Id 59 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Напруга затвор-витік | ±30 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GW30V60DF ( STGW30V60DF ) оригінал, TO247
В наявності
306,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT trench gate field-stop, серія V, із діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 2 мА) |
| Струм Ic | 60 А (TC = 25 °C); 30 А (TC = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,85 В тип. (VGE = 15 В, IC = 30 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 163 нКл (тип., VCC = 480 В, IC = 30 А) |
| Вхідна ємність Cies | 3750 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 258 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE20TD60BT оригінал, TO247
В наявності
160,27 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power |
| Тип | IGBT N-канал (Trench FS II) з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic | 40 А при Tc 25 °C; 20 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм | 60 А (обмежений Tjmax) |
| Vce(sat) | 1.7 В тип., 1.9 В макс. при Vge 15 В, Ic 20 А, Tj 25 °C |
| Vge(th) | 4.0–6.0 В при Ic 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 97 нКл при Vcc 480 В, Ic 20 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2580 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 135 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRST030N10N оригінал, TO220
В наявності
63,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Опір Rds(on) | 2,5 мОм typ., 3,0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 90 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,2–3,8 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл (Vgs 10 В, Vds 50 В, Id 90 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 11355 пФ |
| Потужність Pd | 227 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY5110W ( HY5110 ) оригінал (100V,316A), TO247
В наявності
147,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 100 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 316 А (Tc 25 °C); 214 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 2,1 мОм typ., 2,5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 158 А, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В (діапазон 2–4 В, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 16465 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQF18N50D ( FQF18N50CF , FQF18N50 , 18N50CF , 18N50D , 18N50 ) оригінал ( Заміна для SIF18N50 , SIF18N50C , JCS18N50FH , HFS18N50U , FXN18N50F ) , TO220F
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Rds(on) typ. | 0.30 Ом (Vgs 10 В, Id 6.5 А, Tj 25 °C; макс. 0.38 Ом) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (Vdd 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. Vgs | ±30 В |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQF7N65 оригінал (7A,650V)(заміна для MDF7N65B , SW7N65, TF7N65 , AOTF7N65 , PF7N65F , JCS7N65FB , KF7N65 , KF7N65F , LGM7N65C , TSF7N65M , PW7N65F ), TO220F
В наявності
69,56 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vdss | 650 В |
| Струм Id | 7 А (Tc = 25 °C) |
| Опір каналу Rds(on) | 1,4 Ом макс. (VGS = 10 В) |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл (тип.) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc = 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN40N60F2DS ( 40N60F2DS ) оригінал, TO-3P
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | TRinno |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic | 80 А при Tc 25 °C, 40 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) | 2.3 В (тип.), 2.9 В (макс.) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 115 нКл (тип.) при Vcc 400 В, Ic 40 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2635 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 236 Вт при Tc 25 °C |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Діод SFA80UP20DN оригінал ( заміна для 80U20 , MM80F020 , SL80F20 , F60UP20DN , FFA60UP20DN , SFA60UP20DN ) , TO-3P
В наявності
400,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 200 В (за найближчим даташитом) |
| Середній прямий струм If(AV) | 40 А на один діод, 80 А на обидва (Tc 135 °C) |
| Ударний прямий струм Ifsm | 450 А на один діод (tp = 8,3 мс) |
| Пряма напруга Vf | 0,95 В тип. / 1,1 В макс. на один діод (If 40 А, Tc 25 °C) |
| Час відновлення trr | 27 нс тип. / 40 нс макс. (Vr 30 В, If 1 А, dIf/dt 50 А/мкс) |
| Зворотний струм Ir | до 1,0 мкА (Vr 200 В, Tc 25 °C) |
| Температура переходу і зберігання | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
MUR3060PT оригінал (заміна для MUR3060BW , MUR3060WT )(600V,30A) , TO247-3pin
В наявності
197,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод швидкий, здвоєний |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм | 30 А (на корпус; 15 А на діод) |
| Ударний струм Ifsm | 200 А (t = 8,3 мс, на діод) |
| Пряма напруга Vf | 1,7 В макс. (If 15 А, Tj 25 °C) |
| Час відновлення trr | 50 нс макс. (If 0,5 А, Ir 1,0 А, Irr 0,25 А, Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1,1 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG065N15 ( HYG065N15NS1P , G065N15 ) оригінал ( заміна для PW065N15CS ), TO220
В наявності
124,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds | 150 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 165 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 116 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) typ. | 6.2 мОм (Vgs 10 В, Id 100 А, Tc 25 °C; макс. 7.5 мОм) |
| Vgs(th) | 3.2 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА; діапазон 2–4 В) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл (Vds 75 В, Id 100 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6646 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 375 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG053N10 ( HYG053N10NS2P , HYG053N10NS1P , G053N10 ) оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds | 100 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 120 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 84.8 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) typ. | 4.8 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А, Tc 25 °C; макс. 5.5 мОм) |
| Vgs(th) | 3 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА; діапазон 2–4 В) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (Vds 80 В, Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4036 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 187.5 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST75N65HSM оригінал (заміна для OST75N65HM , OST75N65HSX , OST75N65HN , OST75N65HMF ) , TO247
В наявності
320,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic | 90 А при Tc 25 °C, 75 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм | 300 А при Tc 25 °C |
| Vce(sat) | 1.4 В (тип.), 1.8 В (макс.) при Vge 15 В, Ic 75 А |
| Заряд затвора Qg | 201 нКл при Vge 15 В, Vcc 520 В, Ic 75 А |
| Вхідна ємність Cies | 8165 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Потужність Pd | 405 Вт при Tc 25 °C |
| Tj max | 175 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий м’який антипаралельний |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |