Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQF12N65DF ( FQF12N65 , FQF12N65D , FQF12N65C ) оригінал(12A,650V), TO220F
69,56 ₴
44 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
44 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FQF12N65DF – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) на 12 А і 650 В у корпусі TO-220F, оригінал. Параметри – за даташитом FHF12N65C.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id | 12 А (Tc = 25 °C) |
| Опір каналу Rds(on) | 0,75 Ом макс. (VGS = 10 В) |
| Заряд затвора Qg | 52 нКл (тип.) |
| Потужність Pd | 54 Вт (Tc = 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
FQF12N65DF – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) в ізольованому корпусі TO-220F. У назві також вказані позначення FQF12N65, FQF12N65D і FQF12N65C. Точного даташиту на FQF12N65DF не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі FHF12N65C (Feihong) у тому самому корпусі: напруга стік–витік 650 В, струм стоку Id 12 А при Tc = 25 °C (7 А при Tc = 100 °C), імпульсний струм 48 А, напруга затвор–витік ±30 В. Опір відкритого каналу Rds(on) не більше 0,75 Ом, типово 0,63 Ом (VGS = 10 В, ID = 6 А). Порогова напруга Vgs(th) від 3,0 до 5,0 В, заряд затвора Qg 52 нКл (тип.). Потужність розсіювання Pd 54 Вт (Tc = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус 2,33 °C/Вт, температура переходу до 150 °C.
За даташитом такі транзистори ставлять ключами в імпульсні блоки живлення, електронні баласти і джерела живлення світлодіодів. Деталь оригінальна, не демонтаж. Заміну підбирайте за типом каналу (N) і корпусом TO-220F: напруга не нижче 650 В, струм не нижче 12 А. Перед монтажем звірте розпіновку з платою: за даташитом 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- імпульсні блоки живлення
- електронні баласти
- джерела живлення світлодіодів
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити FQF12N65DF?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з напругою стік–витік не нижче 650 В і струмом стоку не нижче 12 А. Параметри FQF12N65DF наведено за даташитом FHF12N65C, тому перед заміною звірте їх із документацією на ваш пристрій.
Що означають FQF12N65, FQF12N65D і FQF12N65C в назві?
Це позначення, під якими ця деталь відома. Вони наведені в назві товару, щоб її було легше знайти за будь-яким із номерів.
Звідки параметри FQF12N65DF?
Точного даташиту на FQF12N65DF не знайшли. Параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі – FHF12N65C (Feihong). Точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Найближчий datasheet: FHF12N65C (Feihong).
Точного даташиту на FQF12N65DF не знайдено. Найближчий схожий даташит – FHF12N65C (Feihong).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Запобіжник прямокутний 3,15А (250V) з висновками під пайку
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номінальний струм | 3,15 А (Amp Code 1315) |
| Номінальна напруга | 250 В AC |
| Тип спрацювання | Time-Lag (сповільнене), IEC 60127-3, Sheet 4 |
| Падіння напруги (макс.) | 80 мВ при 1,0×Iн |
| Розсіювана потужність (макс.) | 1100 мВт при 1,5×Iн |
| Інтеграл плавлення I²t (мін.) | 55 А²с при 10×Iн |
| Опір холодний | 0,0170 Ом при 10% Iн, 25 °C |
| Робоча температура | -40…+125 °C з урахуванням дерейтингу вище +25 °C |
| Корпус | Радіальні виводи, прямокутний, ~8,5 × 4 мм, крок 5,08 мм |
| Матеріал корпуса | Поліамід PA 6.6, UL94 V-0 |
| Матеріал виводів | Мідь, луджена оловом |
| Розривна здатність | 32 А при 250 В AC |
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.