Магазин
Мікросхема IR IRS2092S оригінал, so-16
В наявності
171,08 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-16 |
| Корпус (докладно) | SO-16 (SOIC16N, 16 виводів) |
| Напруга зміщення VOFFSET (макс.) | ±100 В |
| Вихідний струм Io- | 1.2 А |
| Час паузи (dead time) | 25 / 40 / 65 / 105 нс |
| Затримка захисту за струмом (макс.) | 500 нс |
| Частота ШІМ | ~800 кГц |
| THD+N | 0.01 % (1 кГц, 50 Вт, 4 Ом) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA7498E ( TDA7498ETR ) оригінал, PowerSSO36
В наявності
500,08 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга живлення | 14–36 В |
| Напруга живлення, абсолютний максимум | 45 В |
| Вихідна потужність (стерео) | 2 x 160 Вт (THD 10 %, RL 4 Ом, VCC 36 В) |
| Вихідна потужність (моно) | 220 Вт (THD 10 %, RL 3 Ом, VCC 36 В) |
| Ефективність | не менше 85 % |
| Частота перемикання | 310 кГц (типове) |
| Струм спокою | 60 мА (типове, VCC 36 В) |
| Поріг захисту за струмом | 11 А (типове) |
| Робоча температура навколишнього середовища | 0–70 °C |
| Корпус | PowerSSO-36 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LTA504 , so-8
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Мікросхема |
| Позначення | LTA504 |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема JRC NJM4580D ( 4580D , JRC4580D ) оригінал, DIP8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Здвоєний операційний підсилювач (аудіо) |
| Виробник | Nisshinbo Micro Devices (JRC) |
| Напруга живлення | ±2…±18 В (V+/V-, Ta = 25 °C) |
| GB | 15 МГц типово (f = 10 кГц, V+/V- = ±15 В) |
| Швидкість наростання | 5 В/мкс типово (RL ≥ 2 кОм) |
| THD | 0.0005 % типово (Av = 20 дБ, Vo = 5 В, RL = 2 кОм, f = 1 кГц) |
| Струм споживання | 6 мА типово (V+/V- = ±15 В) |
| Діапазон температур | -40…+85 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ON NCP1027P65 ( P1027P65 , NCP1027P065G ) оригінал, DIP-7
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер з вбудованим MOSFET |
| Виробник | onsemi |
| Пробивна напруга ключа BVdss | 700 В (мін.; ID(off) = 120 мкА, TJ = 25 °C) |
| Rds(on) | 5.8 Ом типово (ID = 100 мА, TJ = 25 °C) |
| Частота перетворення | 65 кГц (TJ = 25 °C) |
| Поріг струму | 800 мА типово (65 кГц, TJ = 25 °C) |
| Струм споживання | 1.4 мА типово |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NCP1207B ( NCP1207BD , 1207B ) , SOIC-7
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Призначення | ШІМ-контролер квазірезонансний |
| VCC макс. | 25 В |
| HV макс. | 500 В |
| Піковий струм драйвера | 500 мА |
| Макс. частота | 200 кГц |
| Плавний пуск | 1.0 мс |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOIC-7 |
Мікросхема SanKen STRW6253 оригінал
В наявності
155,57 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken Electric |
| Призначення | Мережевий ШІМ-регулятор із силовим MOSFET |
| Vdss (мін.) | 650 В |
| Rds(on) (макс.) | 1.9 Ом |
| Частота генератора | 67 кГц (тип.) |
| Макс. шпаруватість | 75 % |
| Корпус | TO-220F-6L |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TEA19161T оригінал, so-16
В наявності
165,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP |
| Тип | Цифровий контролер резонансного (LLC) джерела живлення |
| Корпус | SO-16 |
| Потужність джерела (у комбінації з TEA19162T і TEA1995T) | 90–500 Вт |
| Макс. частота перемикання напівмоста | 500 кГц |
| Мін. частота в режимі малого навантаження flp(min) | 23 кГц |
| Споживання без навантаження (уся система) | < 75 мВт |
| Макс. напруга на виводі SUPHV | 700 В |
| Температура переходу Tj | від -40 до +150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ST STA339BW оригінал, hssop36
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Призначення | 2.1-канальна цифрова аудіосистема |
| Напруга живлення силової частини | 5 … 26 В |
| Напруга живлення цифрової частини | 2.7 … 3.6 В |
| Вихідна потужність BTL | 16 Вт (THD 1 %), VCC 18 В, 8 Ом |
| SNR | 100 дБ |
| Інтерфейси | I2S, I2C |
| Корпус | PowerSSO-36 |
| Корпус (докладно) | PowerSSO-36 (slug down) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ST TDA2050 оригінал ( заміна для TDA2050A , TDA2050V , TDA2050L )
В наявності
225,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Pentawatt, 5 виводів |
| Напруга живлення | ±4.5 … ±25 В (Tamb 25 °C) |
| Макс. напруга живлення | ±25 В |
| Вихідна потужність 4 Ом | 35 Вт (THD 10 %, Vs ±18 V, f 1 кГц) |
| Вихідна потужність 8 Ом | 32 Вт (THD 10 %, Vs ±22 V, f 1 кГц) |
| Музична потужність | 50 Вт (IEC 268.3, RL 4 Ом, Vs ±22.5 V, 1 с) |
| Нелінійні спотворення | 0.05 % (тип.) |
| Піковий вихідний струм | 5 А |
| Потужність розсіювання | 25 Вт при Tcase 75 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 3 °C/Вт макс. |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема Philips TDA8946J оригінал
В наявності
197,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips |
| Корпус | DBS17P |
| Вихідна потужність | 15 Вт на канал (THD 10 %, RL 8 Ом, Vcc 18 В, мін. 13 Вт) |
| Спотворення | 0,03 % при Po 1 Вт (макс. 0,1 %) |
| Напруга живлення | 6–25 В (типове 18 В) |
| Струм спокою | 28 мА (Vcc 18 В, RL = ∞, макс. 42 мА) |
| Струм очікування | <10 мкА |
| Коефіцієнт підсилення | 32 дБ (31–33 дБ) |
| Придушення пульсацій живлення | 65 дБ (мін. 50 дБ) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор GS4B60KD1 ( IRGS4B60KD1 ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор з діодом |
| Виробник | International Rectifier |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 11 А |
| Струм Ic (100 °C) | 7.6 А |
| Напруга VCE(on) | 2.1 В (тип., IC = 4.0 А, VGE = 15 В, TJ = 25 °C) |
| Потужність Pd | 63 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 190 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Реле MPY-S-112-A ( 25A/250VAC ) 12V-котушка
В наявності
112,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MEISHUO |
| Контактна група | 1 Form A |
| Матеріал контактів | сплав срібла |
| Макс. комутований струм | 25 А |
| Макс. комутована напруга | 250 В AC |
| Номінальний струм (активне навантаження) | 20 А, 250 В AC |
| Макс. комутована потужність | 5000 ВА |
| Напруга котушки | 12 В DC (при 23 °C) |
| Опір котушки | 160 ± 10 % Ом (при 23 °C) |
| Потужність котушки | прибл. 0,9 Вт |
| Напруга спрацювання | 9,0 В DC |
| Напруга відпускання | 1,2 В DC |
| Час спрацювання | 15 мс |
| Час відпускання | 5 мс |
| Робоча температура | -25…+105 °C |
| Габарити | 30,2 x 15,8 x 23,3 мм |
| Вага | прибл. 23 г |
| Виконання | герметичне (Sealed), захист від флюсу |
Сімістор JST41Z-800BW ( JST41Z-800B ) оригінал , TOP3
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 800 В (Tj 25 °C) |
| Напруга Vrrm | 800 В (Tj 25 °C) |
| Струм IT(RMS) | 40 А (Tc 81 °C) |
| Ударний струм Itsm | 420 А (повний період, tp 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм відкривання Igt | 50 мА макс. (три квадранти 50/50/50 мА, VD 12 В, RL 33 Ом, Tj 25 °C) |
| Напруга Vtm | 1.4 В макс. (Itm 60 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| dV/dt | 2000 В/мкс мін. (VD 540 В, Tj 125 °C) |
| Струм утримання Ih | 100 мА макс. (IT 500 мА) |
| Напруга ізоляції Viso | 2500 В (ефект.) |
| Snubberless | так |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0.85 °C/Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-3P(N)IS |
| Корпус (докладно) | TO-3P (Ins) |
| Виробник | JieJie Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 60R360Q ( MMD60R360Q ) оригінал, DPAK
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип каналу | N (super junction) |
| Напруга Vds | 600 В (650 В при Tj max) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7 А |
| Rds(on) | 0.32 Ом тип., 0.36 Ом макс. (VGS 10 В, ID 3.8 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл (VGS 10 В, VDS 480 В, ID 11 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 742 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 76 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| trr | 218 нс (ISD 11 А, di/dt 100 А/мкс) |
| Vsd | 1.4 В макс. (ISD 11 А, VGS 0 В) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Magna 60R360P ( 60R360P7 , MMD60R360P, MMD60R360PRH ) , DPAK
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип каналу | N (super junction) |
| Напруга Vds | 600 В (650 В при Tj max) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.95 А |
| Rds(on) | 0.35 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS 10 В, ID 3.8 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS = VGS, ID 0.25 мА) |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл (VGS 10 В, VDS 480 В, ID 11 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 890 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 83 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| trr | 375 нс (ISD 11 А, di/dt 100 А/мкс) |
| Vsd | 1.4 В макс. (ISD 11 А, VGS 0 В) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор FTP08N07N оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Польовий транзистор (MOSFET) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST STP100N8F6 ( 100N8F6 ) оригінал, TO220
В наявності
57,81 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 80 В (VGS 0, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 100 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 70 А |
| Rds(on) | 0.008 Ом тип., 0.009 Ом макс. (VGS 10 В, ID 50 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл (VDD 40 В, ID 100 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5955 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 176 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP740 оригінал (заміна для UF740L , UF740 , TIANRUI 740 ), TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 400 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 7 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.51 Ом типово, 0.58 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 3.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 147 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Напруга діода Vsd | 1.4 В макс. (Is 7 А, Vgs 0 В) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Magna 60R280Q ( MMF60R280Q ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Magnachip |
| Тип | MOSFET N-канал, Super Junction |
| Напруга Vdss | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 13,8 А (Tc 25 °C); 8,7 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 41,4 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6,5 А, Tc 25 °C) |
| Qg | 25 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 480 В, Id 13,8 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 941 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Vds = Vgs, Id 0,25 мА) |
| Vgs | ±30 В (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Діодний міст D25SB80
В наявності
133,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 800 В |
| Прямий струм If(AV) | 25 А |
| Пряма напруга Vf | 1,05 В (при 12,5 А) |
| Корпус | SIP-4P |
| Робоча температура | -55…+150 °C |
Діодний міст D25SB100 (Заміна для D20SB100 )
В наявності
133,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна зворотна напруга Vrm | 1000 В |
| Середній струм Io (на тепловідводі) | 25 А (Tc 98 °C) |
| Середній струм Io (без тепловідводу) | 3,5 А (Ta 25 °C) |
| Піковий ударний струм Ifsm | 350 А |
| Пряма напруга Vf | 1,1 В (при 12,5 А) |
| Ізоляційна напруга | 2,5 кВ |
| Корпус | SIP (D5-25SB, ~30,3×20,3 мм) |
Демонтаж
Транзистор IXYS IXFH24N50 ( FH24N50 , IXFH24N50Q , FH24N50Q ) оригінал демонтаж, TO247 б/в
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS (Littelfuse) |
| Тип | MOSFET N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vdss | 500 В (Tj 25–150 °C) |
| Струм Id | 24 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 96 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,23 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 0,5·Id25, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Vds = Vgs, Id 4 мА) |
| Vgs | ±20 В постійна; імпульсна ±30 В |
| Qg(on) | 135 нКл тип. (Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор ON 2SK4125 ( K4125 ) оригінал демонтаж, TO-3P б/в
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В (V(BR)DSS, Id 10 мА, Vgs 0 В) |
| Струм Id | 17 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Rds(on) | 0.47 Ом типово, 0.61 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7 А) |
| Vgs(off) | 3–5 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 46 нКл (Vds 200 В, Vgs 10 В, Id 17 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1200 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 170 Вт (Tc 25 °C); у повітрі 2.5 Вт |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | onsemi |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |